Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ......с выключением с помощью полевого эффекта – H01L 29/745

Изобретение относится к конструированию высоковольтных высокотемпературных сильноточных тиристоров. Сущность изобретения: в высоковольтном высокотемпературном быстродействующем тиристоре с полевым управлением, содержащем анодную область из высоколегированной подложки p⁺-типа проводимости, базовую область из последовательных эпитаксиальных слоев n-типа и высокоомного n ^--типа проводимости, затворную область, выполненную из локальных взаимосвязанных областей p⁺-типа проводимости в приповерхностном объеме, в том числе в углублениях базовой области, катодную область, выполненную из локальных взаимосвязанных n⁺-типа проводимости неглубоких областей, расположенных между затворными p⁺-областями, структура тиристора выполнена на основе арсенида галлия, при этом между анодной и базовой областями структуры выполнены эпитаксиальные слои р ⁺-р-р^- типа с резким, плавным, резким перепадом разностной концентрации акцепторной и донорной примесей от не менее чем 10¹⁹ см^-3 до 10¹¹ см^-3 и менее, и эпитаксиальная i-область с разностной концентрацией акцепторной и донорной примесей не более чем 10 ¹¹ см^-3. Изобретение позволяет в несколько раз увеличить быстродействие тиристора с полевым управлением, повысить рабочую температуру кристалла в 1,5-2 раза, радиационную стойкость. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.