Полупроводниковые приборы, специально предназначенные для выпрямления, усиления, генерирования или переключения и имеющие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей, конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них: ..отличающиеся физическими дефектами структуры, имеющие полированную или шероховатую поверхность – H01L 29/30

Изобретение относится к полупроводниковым приборам на кристаллической нитридной подложке. Сущность изобретения: кристаллическая подложка из Al_xGa_yIn _1-x-yN (0 х, 0 у, х+у 1) (12) имеет главную плоскость (12m) с площадью по меньшей мере 10 см², в которой упомянутая главная плоскость (12m) имеет внешнюю область (12w), расположенную в пределах 5 мм от внешней периферии упомянутой главной плоскости, и внутреннюю область (12n), соответствующую области, отличной от упомянутой внешней области. Упомянутая внутренняя область (12n) имеет суммарную плотность дислокации, по меньшей мере, 1×10² см^-2 и не более 1×10⁶ см^-2 . Изобретение позволяет получить кристаллическую подложку из Al_xGa_yIn_1-x-yN в качестве подложки полупроводникового прибора, которая является большой по размеру и имеет подходящую плотность дислокации, полупроводниковый прибор, содержащий такую кристаллическую подложку, и способ его изготовления. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к конструированию и технологии изготовления силовых полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых резисторов таблеточного исполнения, в частности резисторов-шунтов, характеризующихся низким значением номинального сопротивления 0,2÷1 мОм с пониженной температурной зависимостью сопротивления в рабочем интервале температур. Техническим результатом изобретения является расширение интервала номинальных сопротивлений в область низких значений ( 5 мОм) при сохранении температурной стабильности и себестоимости изготовления и, как следствие, расширение функциональных возможностей мощных кремниевых резисторов - использование их в качестве шунтов. Сущность изобретения: в мощном полупроводниковом резисторе, состоящем из резистивного элемента, выполненного в виде кремниевого диска n-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением от 7 Ом·см до 120 Ом·см, содержащего радиационные дефекты, резистивный элемент состоит из сильнолегированной n⁺ -подложки и тонкого высокоомного эпитаксиального n-слоя, при этом радиационные дефекты имеют концентрацию N_pд [см ^-3] в зависимости от исходного удельного сопротивления высокоомного эпитаксиального слоя _n0 [Ом·см] от 4·10¹³ см ^-3 для _n0=120 Ом·см до 7.5·10¹⁴ см^-3 для _n0=7 Ом·см, при этом радиационные дефекты получают путем облучения ускоренными электронами с энергией Е=2÷5 МэВ с последующим термическим отжигом. 2 н.п. ф-лы, 4 табл, 2 ил.