Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: ..включающие в себя внешние межсоединения, имеющие многослойную структуру в виде электропроводных или изоляционных слоев, несъемно сформованных на полупроводниковой подложке – H01L 23/522

МПКРаздел HH01H01LH01L 23/00H01L 23/522
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 23/00 Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
H01L 23/522 ..включающие в себя внешние межсоединения, имеющие многослойную структуру в виде электропроводных или изоляционных слоев, несъемно сформованных на полупроводниковой подложке

Патенты в данной категории

МИКРОПРОФИЛЬ СТРУКТУРЫ ВАКУУМНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СВЧ-СХЕМЫ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве электровакуумных приборов, вакуумных интегральных СВЧ-схем и других микросхем. Технический результат - уменьшение потерь СВЧ-энергии, повышение уровня интеграции. Достигается тем, что в микропрофиле, включающем расположенные на расстоянии друг от друга (с зазором) пленочные элементы рабочей топологии, сопряженные с поверхностью диэлектрического носителя, выполнена симметрично совмещенная с рабочей топологией сквозная микрополость с образованием над ней нависающих кромок пленочных элементов рабочей топологии и тупого угла заданной величины между ними и стенками микрополости. Сущность способа изготовления микропрофиля заключается в том, что методом селективного травления сквозную микрополость выполняют в диэлектрическом носителе, начиная ее формирование со стороны, противоположной стороне, сопряженной с рабочей топологией, и продолжают до образования над ней нависающих кромок пленочных элементов и тупого угла между ними и стенками микрополости. 2 н.п. ф-лы, 7 ил., 2 табл.

2404481
патент выдан:
опубликован: 20.11.2010
УСТРОЙСТВО ПАМЯТИ И/ИЛИ ОБРАБОТКИ ДАННЫХ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Использование: в устройствах памяти и обработки данных. Сущность изобретения: в устройстве памяти и/или обработки данных, содержащем, по меньшей мере, два слоя (L), образующих стопу, расположенную на подложке или образующую отдельную структуру типа сэндвича, в которой указанные слои образуют контуры памяти и/или обработки данных с межслойными соединениями или соединениями с контурами, выполненными в подложке, взаимное расположение слоев выбрано таким образом, что протяженные слои образуют сдвинутую структуру, по меньшей мере, вдоль одного края устройства. При этом предусмотрен, по меньшей мере, один краевой соединитель, который выступает за кромку одного слоя и проходит вниз на одну ступень. Тем самым обеспечивается электрическое соединение с проводником в любом из последующих слоев в стопе. Предлагаемый способ изготовления устройства описанного типа предусматривает операции по последовательному добавлению подобных слоев таким образом, чтобы слои формировали сдвинутую структуру. При этом один или более слоев снабжают, по меньшей мере, одной контактной площадкой для присоединения к одному или более межслойному краевому соединению. Техническим результатом изобретения является создание электрических соединений, в состав которых входит стопа, содержащая две или более функциональных части в виде листов или пленок, которые частично или полностью перекрывают друг друга, и использование при этом недорогих технологий массового производства. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 11 ил.

2237948
патент выдан:
опубликован: 10.10.2004
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ВОЗДУШНЫХ ЗАЗОРОВ ВНУТРИ СТРУКТУРЫ (ВАРИАНТЫ)

Использование: в технологии полупроводниковых приборов. Способ формирования воздушных зазоров в полупроводниковых структурах предусматривает заполнение замкнутого внутреннего объема структуры удаляемым материалом, разложение удаляемого материала на газообразные продукты распада и удаление их путем диффузии через твердый слой, прилегающий к внутреннему объему. Техническим результатом изобретения является снижение емкостной связи в полупроводниковых структурах между электрическими элементами. 4 с. и 36 з.п.ф-лы, 34 ил.
2204181
патент выдан:
опубликован: 10.05.2003
Наверх