Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: .электрические соединения внутри прибора, например между компонентами прибора в процессе его работы – H01L 23/52

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к печатным платам с высокой плотностью размещения компонентов, которые используются, например, в устройствах для определения местоположения и азимута. Технический результат - создание надежного электронного модуля с высокой плотностью монтажа за счет установки дополнительных подложек для электронных компонентов. Достигается тем, что в электронном модуле, содержащем подложку с печатной схемой проводников, расположенной на лицевой и оборотной сторонах подложки, контактными площадками и электронными компонентами, расположенными на лицевой поверхности подложки и электрически соединенными в соответствии со схемой, электронные компоненты расположены и на оборотной стороне подложки. Причем имеется, по меньшей мере, одна дополнительная подложка, установленная с любой из сторон подложки, а электрическое соединение между подложкой и дополнительной подложкой производится посредством, по меньшей мере, одного электронного компонента, выводы которого расположены как на подложке, так и на дополнительной подложке. При этом в качестве, по меньшей мере, одной дополнительной подложки используется гибкая печатная плата. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к соединению устройств ввода-вывода информации или других сигналов между этими устройствами. Микросхема с оптоволоконными многоконтактными соединениями (МКС) содержит матрицы оптических передатчиков и приемников сигнала, средства коммутации каналов связи и оптоволоконные разъемы. Микросхемы соединяются с другими микросхемами многоконтактными оптоволоконными шинами и имеют возможность осуществления внутрикристальных соединений в самой микросхеме с помощью внешних оптоволоконных шин. Технический результат - увеличение удельной скорости передачи информации между кристаллами в тысячи раз, упрощение технологии изготовления сверхбольших массивов микросхем. 3 з.п. ф-лы, 29 ил., 10 табл.