Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: ...имеющие вид слоистых структур, содержащих электропроводные и изоляционные слои, например плоскостные контакты – H01L 23/485

Изобретение относится к области приведения в контакт ОСИД с проводником. В способе для приведения в контакт ОСИД с проводником, ОСИД содержит подложку, по меньшей мере, с одной ячейкой, область контакта и инкапсулирующую оболочку, содержащую тонкую пленку, которая содержит нитрид кремния, карбид кремния или оксид алюминия, причем инкапсулирующая оболочка инкапсулирует, по меньшей мере, область контакта, а способ содержит этапы компоновки проводника на инкапсулирующей оболочке и взаимного соединения проводника с областью контакта, без предварительного удаления инкапсулирующей оболочки между проводником и областью контакта. Это изобретение обладает преимуществом в том, что инкапсулирующую оболочку между проводником и областью контакта не надо предварительно удалять. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к способу и устройству межсоединения, использующему метод перевернутого кристалла на основе сформированных электрических соединений. Сущность изобретения: электрическое соединение по методу перевернутого кристалла между акустическим элементом (250) и ASIC (260) - специализированной интегральной схемой включает в себя: выступ (210), имеющий первую и вторую электрически соединяющиеся поверхности (214, 215), первая соединяющаяся поверхность больше, чем вторая соединяющаяся поверхность, где первая соединяющаяся поверхность (214) выступа (210) электрически соединена с акустическим элементом (250); и площадку (220), имеющую первую и вторую электрически соединяющиеся поверхности (224, 228), где первая соединяющаяся поверхность (224) площадки (220) электрически соединена с ASIC (260), а вторая электрически соединяющаяся поверхность (228) площадки (220) электрически соединена и по размерам меньше, чем вторая электрически соединяющаяся поверхность (215) выступа (210), при этом ASIC сконфигурирована имеющей электронные схемы, размещенные под упомянутой площадкой. Изобретение обеспечивает уменьшение шага при использовании обычных технологий изготовления ASIC. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 ил.