Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: ..состоящие из слоев, являющихся вводами, неразъемно соединенными с полупроводниковой подложкой – H01L 23/482

МПКРаздел HH01H01LH01L 23/00H01L 23/482
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01L Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
H01L 23/00 Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле
H01L 23/482 ..состоящие из слоев, являющихся вводами, неразъемно соединенными с полупроводниковой подложкой

Патенты в данной категории

ПРОВОДЯЩИЕ ПАСТЫ

Изобретение относится к проводящим пастам для формирования металлических контактов на поверхности субстратов для фотогальванических элементов. Проводящая паста по существу свободна от стеклянной фритты. По одному варианту выполнения изобретения проводящая паста содержит металлоорганические компоненты, которые образуют твердую металлоксидную фазу при обжиге, и проводящий материал. Металлоорганические компоненты выбраны из группы, включающей карбоксилаты металлов или алкоксиды металлов, где металлом является бор, алюминий, кремний, висмут, цинк или ванадий. По другому варианту проводящая паста включает несколько предшественников, которые образуют проводящие элементы при обжиге или нагревании. Паста адаптирована для сцепления с поверхностью субстрата и при обжиге формирует твердую оксидную фазу с образованием из проводящих материалов электрического проводника на субстрате. Использование указанной проводящей пасты в линии проводящей сетки фотогальванических элементов обеспечивает повышение эффективности и коэффициента заполнения гальванического элемента. 3 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 пр.

2509789
патент выдан:
опубликован: 20.03.2014
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА

Использование: в вычислительной и радиоэлектронной аппаратуре. Сущность изобретения: в конструкцию полупроводникового кристалла стандартной интегральной микросхемы введены коммутационные кольца, расположенные по периметру кристалла, количество которых равно числу выводов кристалла. Кроме имеющихся контактных площадок, называемых в данном случае внутренними, по краю полупроводникового кристалла расположены внешние контактные площадки. Все контактные площадки для обеспечения возможности соединения любого вывода корпуса ИМС с любой внутренней контактной площадкой кристалла выполняются удлиненными - указанная возможность реализуется при обеспечении электрического соединения необходимых внутренних контактных площадок с внешними при помощи коммутационных колец. Техническим результатом изобретения является повышение надежности и увеличение тенологичности печатной платы, содержащей интегральные микросхемы в качестве компонента. 3 ил.
2133067
патент выдан:
опубликован: 10.07.1999
Наверх