Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: ...охлаждение, обусловленное подбором материалов для прибора – H01L 23/373

Изобретение относится к области электроники и предназначено для отвода тепла от ИС, СБИС, силовых модулей, блоков радиоэлектронной аппаратуры и т.п. Технический результат - повышение теплоотвода от кристалла к корпусу; упрощение технологии сборки с использованием теплоотводов на основе эффекта Пельтье. Достигается тем, что в устройстве охлаждения ИС, основанном на использовании эффекта Пельтье, на ИС в керамическом корпусе наклеивается алюминиевый теплорассекатель, а на него охлаждающий полупроводниковый блок, использующий эффект Пельтье. При этом основание корпуса ИС является одновременно верхним теплопереходом охлаждающего полупроводникового блока, при этом пайка кристаллов к подложке, подложки с основанием корпуса (верхним теплопереходом ТЭМ), верхнего теплоперехода с одной поверхностью полупроводниковых ветвей p- и n-типа происходит при температуре на 20-25°C ниже температуры пайки другой поверхности полупроводниковых ветвей к нижнему теплопереходу, причем полупроводниковые ветви размещены между теплопереходами таким образом, что все горячие поверхности контактируют с одним теплопереходом, а все холодные - с противоположным и с помощью металлизации соединены в единую электрическую цепь, которая подключена к источнику питания, для контроля температуры корпуса ИС к нему крепится термопара, а для стабилизации температуры (нагрева или охлаждения) термопара соединена с блоком переключения полярности источника питания. 7 ил.

Изобретение относится к электрическим силовым инструментам, в которых выходная мощность регулируется переключающими устройствами. Инструмент содержит множество переключающих устройств, выполненных с возможностью регулировки выходной мощности двигателя, монтажную плату, несущую переключающие устройства, и металлический корпус, вмещающий монтажную плату. Каждое переключающее устройство включает в себя проводящую часть и изолированный участок, который покрыт изолирующим покрывающим материалом. Проводящая часть каждого переключающего устройства соприкасается с монтажной платой. Изолированный участок каждого переключающего устройства соприкасается с металлическим корпусом через изолирующий покрывающий материал. Металлический корпус заполнен изолирующим наполнителем в качестве изолирующего материала так, что монтажная плата вделана в него. В результате улучшается рассеивание тепла переключающих устройств. 4 н. и 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способам получения композиционных материалов для теплоотводящих оснований полупроводниковых приборов, в частности, композиционного материала Al-SiC, имеющего металлическое покрытие, и изделиям, полученным с использованием этих материалов. Способ включает пропитку порошка SiC расплавом алюминия или алюминиевого сплава и диффузионное соединение пропитанной заготовки с алюминиевой фольгой, размещенной, по крайней мере, с одной ее стороны, в котором порошок SiC используют в виде предварительно скомпактированной в форме теплоотводящего основания пористой заготовки, размещение алюминиевой фольги на пористой заготовке осуществляют перед пропиткой ее расплавом алюминия или алюминиевого сплава, а их диффузионное соединение совмещают с пропиткой пористой заготовки. Пористые заготовки с размещенной по крайней мере на одной стороне алюминиевой фольгой перед пропиткой алюминием или алюминиевым сплавом могут быть собраны в пакет, включающий две и более пористых заготовок. Пористые заготовки в пакете отделяют друг от друга металлическими пластинами, имеющими температуру плавления выше температуры плавления алюминия или алюминиевого сплава. Изобретение позволяет снизить время технологического цикла, повысить производительности процесса и, соответственно, понизить стоимость получаемых изделий для электронной промышленности. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 пр.

Изобретение относится к технологии химического осаждения из газовой фазы алмазных пленок и может быть использовано, например, для получения алмазных подложек, в которых монокристаллический и поликристаллический алмаз образует единую пластину, используемую в технологии создания электронных приборов на алмазе или применяемую в рентгеновских монохроматорах, где необходимо осуществить теплоотвод от монокристаллического алмаза. Получение пластин монокристаллического и поликристаллического алмаза большой площади включает в себя расположение, не соприкасаясь друг с другом, монокристаллов-затравок с ориентацией поверхности (100) на подложкодержателе, создание центров нуклеации на поверхности подложкодержателя, свободной от монокристаллов-затравок, одновременное осаждение CVD методом эпитаксиального слоя на поверхности монокристаллов-затравок и поликристаллической алмазной пленки на остальной поверхности подложкодержателя. В результате химического осаждения из газовой фазы алмаза происходит сращивание монокристаллического и поликристаллического алмаза по боковой поверхности монокристаллов-затравок с образованием алмазной пластины большой площади, содержащей срощенные вместе монокристаллический и поликристаллический алмаз. Для получения плоскопараллельной пластины CVD алмаза выращенную комбинированную алмазную подложку шлифуют с обеих сторон. Изобретение обеспечивает получение пластин монокристаллического и поликристаллического CVD алмаза большой площади (диаметром более 75 мм и толщиной 200-300 мкм), имеющих общую гладкую внешнюю поверхность. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к каркасам для электрических или электронных деталей или схем. Сущность изобретения: каркас (1, 2) для электрических или электронных деталей (6а, 6b, 6c, 6d) или схем, не обладающий или почти не обладающий электропроводностью, оснащен отводящими или подводящими тепло охлаждающими элементами (7), выполненными заодно с ним, при этом каркас (1, 2) представляет собой плату, каркас (1, 2) и охлаждающий элемент (7) состоят из керамики или композитного материала, а композитный материал содержит материалы матрикса, не обладающие или почти не обладающие теплопроводностью, с теплопроводящими добавками, а на поверхность каркаса (1, 2) путем спекания нанесены участки металлизации. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции с одновременным улучшением теплоотвода. 12 з.п. ф-лы, 20 ил.

Изобретение относится к области электроники и предназначено преимущественно для использования в качестве теплоотводящей электроизолирующей подложки при изготовлении полупроводниковых приборов и электронных систем. Техническим результатом изобретения является улучшение изолирующих свойств, повышение теплопроводности и механической прочности теплоотводящего элемента. Сущность изобретения: теплоотводящий элемент состоит из пластины, выполненной на основе карбида кремния, и пластины, выполненной на основе нитрид-алюминиевой керамики, соединенных между собой эвтектической пайкой металлами, обладающими высокой теплопроводностью. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к устройству для отвода тепла рассеянием, например в электронном оборудовании, и к способу изготовления такого устройства. Устройство отвода тепла, содержащее анизотропный углерод, заключают в герметизирующий материал, который увеличивает прочность устройства, содержащего анизотропный углерод. Герметизирующий материал может быть полиимидом или эпоксидной смолой, или полиакрилатом или полиуретаном, или сложным полиэфиром или другим подходящим полимером. Технический результат - создание системы отвода, которая имеет высокую теплопроводность, однако, низкую массу и объем. 8 н. и 59 з.п. ф-лы, 14 ил.