Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле: ..отличающиеся материалом, его физическими или химическими свойствами, или расположением внутри собранного прибора – H01L 23/18

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных полупроводниковых микросхем, соединенных между собой множеством контактов для улучшения качества гибридизации полупроводниковых микросхем и повышения их долговечности в процессе многократного использования при различных температурах. Сущность изобретения: укрепляющий элемент для гибридной микросхемы состоит из двух и более площадок, расположенных на периферийной области массива индиевых микроконтактов, выполненных на поверхности полупроводниковой подложки. Площадки выполнены из индия заданного размера, прямоугольными и имеют площадь, как минимум в четыре раза большую, чем площадь индиевых микроконтактов. Индиевые прямоугольные площадки расположены на определенном расстоянии друг от друга. Техническим результатом изобретения является повышение более чем в два раза количества термоциклов охлаждений микросхемы от комнатной температуры до температуры жидкого азота, не приводящих к разрушению индиевых микроконтактов, а также упрощение и удешевление технологического процесса. 3 ил.