Фотоэлектрические разрядные приборы, в которых не происходит ионизация газа – H01J 40/00

Изобретение относится к способам измерения параметров инфракрасных фотоприемных устройств (ИК ФПУ), работающих в режиме накопления. Технический результат - повышение производительности измерения. Способ измерения квантовой эффективности и темнового тока фоточувствительного элемента (ФЧЭ) включает установку ФПУ на заданном расстоянии от излучающей поверхности протяженного абсолютно черного тела (АЧТ), выставляют заданную температуру излучения АЧТ и регистрируют величины сигналов всех ФЧЭ при нулевом времени накопления и заданном времени накопления, а перед третьей регистрацией сигналов ФЧЭ уменьшают коэффициент черноты АЧТ, оставляя его температуру неизменной, проводят третью регистрацию величины сигналов всех ФЧЭ при заданном времени накопления и заданной температуре АЧТ и рассчитывают величины квантовых эффективностей и темновых токов ФЧЭ по трем измеренным массивам сигналов. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ) до толщины 10÷15 мкм. Процесс утоньшения включает химико-механическую полировку до толщины базовой области фоточувствительного элемента 80÷100 мкм и химико-динамическую полировку до конечной толщины. Технический результат - повышение качества фотоприемника за счет исключения появления остатков нестравленной части диэлектрического покрытия со стороны нанесения просветляющего покрытия. Фоточувствительный элемент с толстой базовой областью изготавливают с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм. В результате утоньшения полностью отсутствует периферийная нестравленная часть диэлектрического покрытия на лицевой стороне МФЧЭ. 3 ил.

Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона. Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона заключается в нагреве поверхности подложки (основы) из легированного арсенида галлия с дырочной проводимостью (p-GaAs), снижении температуры до комнатной, напыления на поверхность подложки поочередно атомов цезия и кислорода, измерения тока фотоэмиссии с поверхности. При этом подложку нагревают до повышения концентрации мышьяка на поверхности более чем в 1.5 раза, затем фиксируют состав поверхности резким снижением температуры подложки до комнатной температуры, затем напыляют поочередно атомы цезия и кислорода дозами долей монослоя до образования цезиевой пленки моноатомной толщины, затем эмиттер помещают на несколько минут в атмосферу инертного газа. Изобретение обеспечивает увеличение фоточувствительности и повышение времени технологической жизни, интервала времени после формирования до запайки в прибор, уменьшение глубины анализируемого слоя, повышение достоверности результатов анализа и повышение совместимости аппаратуры для его реализации с другими методами анализа и технологическим оборудованием. 4 ил.

Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники. Фотокатод включает диэлектрическую или полупроводниковую подложку, на которую нанесен слой эмитирующего фотоэлектроны полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны Eg₁. На поверхности слоя полупроводника выращены квантовые точки из полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны подложки Eg₂, декорированные атомами электроположительного металла общей толщиной до 3,0 монослоев. Eg₂<Eg ₁. Технический результат - увеличение квантового выхода фотоэмиссии и возможность селективно анализировать и регистрировать падающее излучение в различных спектральных диапазонах. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к имитаторам солнечного излучения на основе импульсных газоразрядных ламп для измерения световых вольтамперных характеристик и других фотоэлектрических параметров солнечных фотоэлементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения. Устройство содержит: осветительное устройство, включающее оптическую систему и лампу-вспышку; контрольный фотоэлемент, электронное измерительное устройство, включающее блок измерителей тока и напряжения, генератор пилообразного напряжения и устройство сбора и обработки информации; устройство питания лампы-вспышки, включающее регулируемый источник постоянного напряжения, блок поджига лампы-вспышки и формирователь импульса напряжения. При этом генератор пилообразного напряжения содержит первый, второй, третий конденсаторы; первое, второе, третье и четвертое сопротивления. Емкость третьего конденсатора определена из соотношения C₃=(10-20)·I·N· /U, а емкости первого и второго конденсаторов в 5-10 раз больше емкости третьего конденсатора. Формирователь импульса напряжения содержит зарядное сопротивление, RC-цепочку и LC-цепочку. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления детекторов теплового электромагнитного излучения - болометров. Поглощающая мембрана (1) детектора закреплена в подвешенном состоянии с помощью по меньшей мере одной теплоизолирующей опорной детали (5ab) на лицевой стороне подложки (2), содержащей по меньшей мере два электрических вывода (3), электрически соединенных с мембраной (1), например, посредством проводящих слоев (9). Опорная деталь (5ab) имеет по меньшей мере один конец-основание (6) и возвышающуюся зону (7). Конец-основание (6) прикреплен к верхней части проводящего столбика (8), имеющего основание, неподвижно прикрепленное к одному из электрических выводов (3). По существу плоская зона нижней стороны мембраны (1) находится в непосредственном контакте с возвышающейся зоной (7) опорной детали (5ab). Опорная деталь (5ab) предпочтительно образована мостиком, имеющим второй конец-основание (6), прикрепленный к верхней части второго столбика (8), при этом возвышающаяся зона (7) образована плоской средней частью мостика. Технический результат - высокое отношение чувствительной к излучению поверхности болометра к его общей поверхности. 2 н. и 9 з.п. ф-лы, 11 ил.

Изобретение относится к области элементов конструкций фотоэлектронных приборов, а именно к фотокатодам на рельефных подложках, использующихся в качестве входных преобразователей электромагнитного излучения в электронный поток. Фотокатод состоит из прозрачной для света диэлектрической подложки и тонкого фотоэмиссионного слоя, разделенного в каждой ячейке на три части, выполняющие различные функции. Преобразование свет-электрон производится посредством частей фотоэмиссионного слоя, помещенных на дно ячеек, резистивно связанных с расположенной на поверхности подложки низкоомной частью фотоэмиссионного слоя, выполненного в виде сетки. Сопротивление резистивной связи выбирается таким, чтобы при превышении фотоэмиссионного тока из ячейки фотокатода заданной величины на дне ячейки возникал положительный объемный заряд, электрическое поле которого возвращает фотоэлектроны обратно на дно ячейки. Тем самым происходит ограничение величины фототока из ячейки при пересветке. Поскольку фотокатод составлен из изолированных ячеек, токоотбор из которых производится на общий низкоомный сетчатый электрод, пересветка одних ячеек не изменит состояние других, что обеспечит фотокатоду устойчивость к локальной пересветке. При низком уровне освещенности, при котором обычно работают фотоэлектронные приборы, объемный заряд не будет возникать, и фотокатод будет работать как обычный. Такие фотокатоды могут работать особенно успешно в фотоэлектронных приборах одновременного наблюдения объектов, отличающихся по яркости на несколько порядков. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к области оптико-электронной техники. Фотоприемное устройство содержит усилитель яркости в виде последовательно размещенных фотокатода, микроканальной пластины и экрана, снабженных выводами, объектив, установленный перед фотокатодом усилителя яркости, окуляр, размещенный соосно с экраном усилителя яркости, генератор синусоидальных напряжений, выходы которого через первый и второй высоковольтные умножители, соединенные последовательно, подключены соответственно к выводу экрана и входному и выходному выводам микроканальной пластины, два последовательно соединенных источника разнополярных напряжений, средняя точка которых подключена к входному выводу микроканальной пластины, переключатель, выходной контакт которого подсоединен к выводу фотокатода, потенциальные контакты - к вторым выходам последовательно соединенных источников разнополярных напряжений, а управляющий вход - к выходу блока циклического управления состоянием фотокатода, фотодатчик с дополнительным объективом на входе, выход которого подсоединен к входу блока циклического управления состоянием фотокатода, который содержит последовательно соединенные генератор циклов управления, преобразователь код-длительность и схему запрета состояния «включено», а также аналого-цифровой преобразователь и компаратор, выходы которых подключены к вторым входам преобразователя код-длительность и схеме запрета состояния «включено», а их входы объединены и являются входом блока циклического управления состоянием фотокатода, выходом которого является выход схемы запрета состояния «включено». Технический результат - обеспечение получения качественного видеоизображения наблюдаемых объектов с визуально воспринимаемой постоянной яркостью, независимо от уровней освещенности наблюдаемого объекта. 1 ил.

Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники, а именно к фотоэмиссионным полупроводниковым устройствам, работающим в видимой и ближней ультрафиолетовой области. Такие устройства могут быть использованы для создании нового класса эффективных фотоэлектронных приборов на базе широкозонных полупроводников. Техническим результатом является расширение спектрального диапазона и повышение воспроизводимости спектральных характеристик. Устройство для получения фотоэлектронной эмиссии в вакуум включает слой из полупроводникового материала на основе нитридов элементов третьей группы n-типа проводимости с концентрацией не менее 5·10 ¹⁶ см^-3, с шириной запрещенной зоны Eg, со сродством к электрону и работой выхода электрона на обращенной в вакуум рабочей поверхности упомянутого полупроводникового материала, активированной щелочным металлом или его окислом, удовлетворяющими соотношениям: Eg>, эВ; >, эВ. 18 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к технике изготовления фотополевых катодов из полупроводниковых материалов и может быть использовано в процессе изготовления приемников излучения для видимого и инфракрасного диапазона оптического излучения. Технический результат - увеличение чувствительности фотокатода. Для достижения данного результата изготовления фотополевого катода из полупроводникового материала типа А3В5 производят травление заготовки и очистку эмиссионной рабочей поверхности до степени атомно-чистой поверхности. После этого эмиссионную рабочую поверхность нагревают до температуры 400-450 К и наносят на нее в вакууме субмонослойное покрытие в виде пленки алюминия Al толщиной 0,4-0,8 монослоя. 2 ил.

Изобретение относится к технике изготовления фотополевых катодов из полупроводниковых материалов и может быть использовано в процессе изготовления приемников излучения. Технический результат - увеличение коррозионной стойкости фотокатода приемников излучения. Для достижения данного результата при изготовлении фотополевого катода вакуумируют и очищают фотоэмиссионную рабочую поверхность катода путем электрохимической десорбции в атмосфере водорода Н при давлении 5-10 Торр до получения атомно-чистой поверхности. После этого на нее наносят регенерируемое защитное покрытие в виде слоя золота Au толщиной 2-5 монослоев методом термического испарения материала покрытия в вакууме. Затем вакуум снимают и производят хранение фотополевого катода на воздухе. 2 ил.