Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки: ..для очистки поверхностей в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство, например путем испарения – H01J 37/36

МПКРаздел HH01H01JH01J 37/00H01J 37/36
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01J Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы
H01J 37/00 Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки
H01J 37/36 ..для очистки поверхностей в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство, например путем испарения

Патенты в данной категории

СПОСОБ НЕРПРЕРЫВАЕМОГО ПРОИЗВОДСТВА ПУЧКА ИОНОВ КАРБОРАНА С ПОСТОЯННОЙ САМООЧИСТКОЙ ИОННОГО ИСТОЧНИКА И КОМПОНЕНТ СИСТЕМЫ ЭКСТРАКЦИИ ИОННОГО ИМПЛАНТАТОРА

Изобретение относится к области очистки поверхностей газонаполненных разрядных приборов в процессе покрытия материалов ионами, вводимыми в разрядное пространство. Технический результат - увеличение производительности установки. В ионизационную камеру подают рабочее вещество на основе карборана и сильные окислители, которые вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений. В качестве рабочего вещества используют карборандикарбоновую кислоту (C4H12B10O4 ), в которой атомы сильных окислителей включены в молекулу рабочего вещества. Сильные окислители, при электрическом разряде, высвобождаясь из молекулы рабочего вещества, вступают в химическую реакцию с продуктами, загрязняющими систему экстракции ионов и/или внутреннюю поверхность ионизационной камеры и/или ее компонент, с образованием летучих соединений, образующиеся летучие соединения удаляют вакуумной откачкой. 3 ил.

2522662
патент выдан:
опубликован: 20.07.2014
РАСПЫЛИТЕЛЬНЫЙ УЗЕЛ ПЛОСКОГО МАГНЕТРОНА

Изобретение относится к области магнетронного распыления материалов. Узел магнетронного распыления содержит распыляемую мишень и по меньшей мере одну плоскую магнитную систему. Плоская магнитная система установлена на водиле с приводом его вращения вокруг оси, перпендикулярной поверхности распыляемой мишени. По меньшей мере один носитель по меньшей мере одной плоской магнитной системы имеет привод его вращения вокруг дополнительной оси, параллельной оси вращения водила. По меньшей мере одна плоская магнитная система установлена на носителе магнитной системы со смещением относительно дополнительной оси. Скорости вращения магнитной системы вокруг первой и вокруг второй осей изменяют по заданной программе. В результате достигается равномерность распыления мишени, увеличение степени использования материала мишени и увеличение скорости распыления. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

2500834
патент выдан:
опубликован: 10.12.2013
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОЧИЩЕННЫХ ПОДЛОЖЕК ИЛИ ЧИСТЫХ ПОДЛОЖЕК, ПОДВЕРГАЮЩИХСЯ ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКЕ

Изобретение относится к изготовлению по меньшей мере одной очищенной подложки, особенно, очищенных таким образом режущих частей инструментов, очищенные подложки которых могут быть подвергнуты дополнительной технологической обработке до и/или после очистки, например, посредством нагрева и/или нанесением на них покрытия. Технический результат - обеспечение повышенной плотности плазменного травления непосредственно у очищаемой области поверхности подложки и достижение улучшенной равномерной очистки как внутри рельефов, так и выступающих частей на рассматриваемой области поверхности, особенно, например, на режущих кромках подложек инструментальных частей. Достигается тем, что очистка подложек плазменным травлением выполняется на установке плазменного разряда, содержащей катодный источник электронов (5) и анодную конструкцию (7). Анодная конструкция (7) содержит, с одной стороны, анодный электрод (9) и, с другой стороны, электрически изолированный от него ограничитель (11). Ограничитель (11) имеет отверстие (13), направленное к подвергаемой очистке области (S) подложки (21). Электропитание к катодному источнику электронов (5) и анодному электроду (9) подается по схеме питания от источника питания (19). Схема управляется в электрическом буферном режиме. 2 н. и 42 з.п. ф-лы, 10 ил.

2423754
патент выдан:
опубликован: 10.07.2011
УСТАНОВКА ДЛЯ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ БЕСКОНЕЧНОГО МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к плазменной обработке с применением "плазмы тлеющего разряда" и используется для поверхностной обработки на большой площади заготовок или бесконечных материалов. Установка для плазменной обработки бесконечного материала (1) содержит, по меньшей мере, одну вакуумируемую разрядную камеру (3а), через которую бесконечный материал может непрерывно транспортироваться. Снабжающее энергией устройство (30) подает электрическую разрядную энергию к разрядным промежуткам (G) между внешним электродом (5, 51-57) соответствующей разрядной камеры и бесконечным материалом в качестве внутреннего электрода. Снабжающее энергией устройство представляет собой выполненный с возможностью импульсной подачи разрядной энергии собственный источник тока, который имеет, по меньшей мере, один элемент (32) индуктивности в качестве аккумулятора энергии, совместно включающийся с согласованным с ним разрядным промежутком (G) или последовательно с несколькими согласованными с ним разрядными промежутками. Технический результат - повышение вводимой мощности и однородности обработки, возможность последовательного включения нескольких разрядных камер без промежуточного контактирования бесконечного материала. 23 з.п. ф-лы, 14 ил.

2402098
патент выдан:
опубликован: 20.10.2010
УСТАНОВКА ДЛЯ ОЧИСТКИ

Изобретение относится к устройствам для очистки наружных и внутренних поверхностей изделий в вакууме и может быть использовано в различных отраслях промышленности для очистки внутренних и внешних поверхностей изделий. Техническим результатом является очистка наружных и внутренних поверхностей тел вращения, как открытых, так и закрытых с одной стороны. Установка для очистки содержит вакуумную камеру с анодом, с размещенным в нем обрабатываемым изделием, являющимся катодом, экран и систему управления установкой. Установка снабжена магнитной системой управления перемещением катодных пятен, состоящей из внутренней и внешней цилиндрических многосекционных катушек, установленным внутри катода дополнительным анодом в виде цилиндра. Анод выполнен в виде цилиндрической обечайки, система управления установкой содержит источник постоянного тока, программируемое устройство, блок обратной связи, коммутатор и многоканальный регулируемый источник тока. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

2298855
патент выдан:
опубликован: 10.05.2007
КАМЕРА ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ И СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ В ТАКОЙ КАМЕРЕ

Изобретение относится к области электротехники, в частности к травильным камерам с плазмой высокой плотности. Камера содержит электростатический держатель, предназначенный для удержания пластины, и расходуемые части, которые являются в высокой степени устойчивыми к травлению и в меньшей степени восприимчивы к образованию загрязнений и температуру которых можно регулировать, что является техническим результатом изобретения. Расходуемые части содержат вкладыш камеры, имеющий нижнюю секцию крепления, и стенку, которая сконфигурирована таким образом, что она окружает электростатический держатель. Расходуемые части также включают держатель вкладыша, имеющий нижний выступ, гибкую стенку и верхний выступ. Гибкая стенка сконфигурирована таким образом, что она окружает внешнюю поверхность стенки вкладыша камеры, при этом гибкая стенка держателя вкладыша расположена на некотором расстоянии от стенки вкладыша камеры. Нижний выступ держателя вкладыша сконфигурирован так, что он находится в прямом тепловом контакте с нижней секцией держателя вкладыша камеры. Кроме того, отражательное кольцо представляет собой расходуемую часть и может устанавливаться с обеспечением теплового контакта со вкладышем камеры и держателем вкладыша. 2 с. и 22 з.п.ф-лы, 8 ил.

2237314
патент выдан:
опубликован: 27.09.2004
ПОЛУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОДУГОВОЙ ПЛАЗМЫ В КРИВОЛИНЕЙНОМ ПЛАЗМОВОДЕ И НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЯ НА ПОДЛОЖКУ

Изобретение относится к способу и устройству для получения плазмы электрического дугового разряда и для ее использования при нанесении покрытий на подложку. Техническим результатом является повышение эффективности очистки и активации поверхности подложки и повышение качества покрытия. Разделенная плазма электрического дугового разряда получается с использованием электрического дугового разряда на холодном катоде путем пропускания его через криволинейный плазмовод. Указанная плазма создается внутри криволинейного плазмовода и электрический ток пропускается через нее в продольном направлении, создавая однородное по длине магнитное поле, тем самым позволяя наносить на подложку высококачественное покрытие с использованием распыления. 3 с. и 9 з.п.ф-лы, 2 ил., 2 табл.
2173911
патент выдан:
опубликован: 20.09.2001
СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Сущность изобретения: способ плазменной обработки поверхности заключается в том, что используют по крайней мере два рабочих газа, вступающих в химическое взаимодействие при комнатной температуре, которые подают к обрабатываемой поверхности автономными потоками. Устройство для плазменной обработки поверхности содержит узел ввода рабочих газов, выполненный в виде корпуса, полость которого разделена на секции, число которых равно числу используемых газов. Каждая секция имеет входное отверстие и снабжена множеством каналов с выходными отверстиями, ориентированными к обрабатываемой поверхности и распределенными по заданному закону. 2 с. и 8 з.п. ф-лы, 1 ил.
2094960
патент выдан:
опубликован: 27.10.1997
ГЕНЕРАТОР АТОМАРНОГО ВОДОРОДА

Использование: в технологии микроэлектроники для генерации атомарного водорода на основе газового разряда постоянного тока. Сущность изобретения: увеличение эффективности получения атомарного водорода достигается путем объединения в одном устройстве различных механизмов диссоциации молекулярного водорода, а также увеличения концентрации электронов в плазме газового разряда. Ток разряда составляет 1 - 2 А, напряжение горения -50 - 100 В, давление водорода в разряде -больше 410-2 Торр. Генератор содержит устройство, создающее магнитное поле для горения пеннинговского газового разряда в разрядной камере. Для увеличения объема области генерации с плотной плазмой полый катод проникает в полость цилиндрического анода. В результате между внешней поверхностью полого катода и внутренней поверхностью анода дополнительно инициируется магнетронный разряд. 3 ил.
2088056
патент выдан:
опубликован: 20.08.1997
Наверх