Элементы конструкций электронно-оптических и ионно-оптических устройств или ионных ловушек, общие для двух и более основных типов электронных и газоразрядных приборов: ..электростатические линзы – H01J 3/18
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РАВНОМЕРНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ЭЛЕКТРОПРОВОДНОЙ СРЕДЕ
Изобретение относится к электротехнике, к движению электрических зарядов в электропроводной среде. Технический результат состоит в обеспечении наибольшей равномерности распределения электрического поля во время прохождения одного из полупериодов переменного тока в электропроводной среде. Способ формирования равномерного электрического поля в электропроводной среде включает прохождение одного из полупериодов переменного электрического тока с электрода в электропроводную среду и предусматривает размещение цилиндрических фазных электродов равномерно на нескольких фазных кольцах, как минимум трех, расположенных соосно, например, в одной плоскости. Подача напряжения на все фазные кольца осуществляется с ограничением тока сопротивлениями на каждом фазном кольце. Подключение нулевой фазы осуществляется к нулевому электроду, выполненному в виде диска. Формирование конусных поверхностей из одноименных зарядов, растекающихся с кромок торцов цилиндрических фазных электродов, осуществляется через электропроводную среду в направление нулевого электрода, выполненного в виде диска. Формирование конусных поверхностей, заполненных одноименными электрическими зарядами, осуществляется для создания зон равномерно расположенных зарядов в заданном объеме электропроводной среды, расположенной между торцами цилиндрических фазных электродов и нулевым электродом, выполненным в виде диска. 1 ил. |
2332746 патент выдан: опубликован: 27.08.2008 |
|
| МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭКРАН Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкции экранов электронно-лучевых приборов (ЭЛП) высокого разрешения, и может быть использовано в ЭЛП, предназначенных для применения в системах обработки информации. Сущность изобретения: монокристаллический экран состоит из подложки 1, например сапфир или стекло, на которой последовательно расположены светоизлучающий слой 2 и светоотражающий слой 3, например алюминий или серебро. Светоизлучающий слой 2 представляет собой полупроводниковую гетероструктуру, например Al0,5Ga0,5As/GaAs/Al0,5Ga0,5As, которая состоит из широкозонных барьерных слоев 4 и 6 и узкозонного активного слоя 5. 1 ил., 2 табл. | 2072112 патент выдан: опубликован: 20.01.1997 |
|
| ЛАЗЕРНАЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА Использование: лазерная техника, в частности электронно-лучевые трубки (ЭЛТ). Сущность изобретения: ЭЛТ с двумерным сканированием электронного пучка содержит вакуумированный корпус, электронный прожектор с системой управления положением пучка и лазерную мишень (ЛМ), выполненную в виде плоскопараллельной полупроводниковой пластины (ПП) с нанесенными на ее противоположные поверхности зеркальными покрытиями, одно из которых "глухое", а другое полупрозрачное. ЛМ снабжена электропроводящей подложкой со стороны "глухого" зеркального покрытия и элементом, электрически связывающим обращенную к электронному прожектору поверхность ПП с подложкой, а электронный прожектор с системой управления расположен со стороны полупрозрачного зеркального покрытия под определенным углом к плоскости ПП. КПД и мощность излучения предлагаемых ЭЛТ превышают аналогичные параметры ЭЛТ-прототипа на 30% и 46% соответственно. Уровень рентгеновского излучения со стороны лазерной мишени снизился на 1,5 порядка. 3 з.п. ф-лы, 1 ил. | 2032247 патент выдан: опубликован: 27.03.1995 |
|
СПОСОБ ПРОСТРАНСТВЕННО-ВРЕМЕННОЙ МОДУЛЯЦИИ ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ
Использование: лазерные электронно-лучевые трубки (ЛЭЛТ). Сущность изобретения: лазерную мишень (ЛМ) ЛЭЛТ сканируют путем дискретного перемещения электронного пучка, шаг которого задают внешним управляющим сигналом. В промежутках времени между окончанием предыдущего и началом последующего шагов сканирования при неподвижном относительно ЛМ электронном пятне подают импульс тока электронного пучка. Предпочтительно длительность импульсов не должна превышать 80 10-9c. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
|
2032246 патент выдан: опубликован: 27.03.1995 |
|