Тонкие магнитные пленки, например с однодоменной структурой – H01F 10/00

Изобретение относится к способу получения магнитотвердого покрытия из сплава самария с кобальтом и может использоваться при изготовлении постоянных магнитов, используемых в конструкциях малогабаритных двигателей постоянного тока, бортовой измерительной аппаратуре, а также различных устройствах, предназначенных для исследования космического пространства. Осуществляют послойное напыление с помощью плазмотрона на охлаждаемую подложку расплавленного в высокотемпературной зоне плазменной струи порошка сплава самария с кобальтом при следующем соотношении компонентов: самарий - 40 вес.%, кобальт - остальное. Напыление проводят в камере в среде отработанных инертных газов плазмотрона при температуре в пятне напыления 800-900°С. Получается покрытие из магнитотвердого сплава самария с кобальтом, имеющего высокую коэрцитивную силу и низкое значение температурного коэффициента намагниченности. 4 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью. Способ получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники включает магнетронное распыление составной мишени, состоящей из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, при этом магнетронное распыление проводят в среде аргона, давление в рабочей камере во время распыления составляет (6÷7)×10^-3 Па, давление аргона в магнетроне - (6÷7)×10^-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материал (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, скорости травления слоя (10÷12) нм/с, и термическую обработку в вакууме 0,5×10^-3 Па, температуре 300-400^оС, длительностью 10-15 мин. Повышение однородности распределения компонентов в мелкозернистом слое ноноструктурированной магнитной пленке является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники, в частности к прикладной магнитооптике, и может быть использовано для записи информации как в цифровом, так и в аналоговом режимах. Магнитооптический материал представляет собой эпитаксиальную монокристаллическую пленку феррита-граната состава (YBi) ₃(FeGa)₅O₁₂, нарощенную на подложке немагнитного граната с высоким значением параметра решетки , при этом эпитаксиальная пленка содержит 0,1-0,4 формульных единиц ионов Mg²⁺. Подложка немагнитного граната может быть выполнена из (GdCa)₃(GaMgZr)₅O ₁₂, или Ca₃(NbLi)₂Ga₃O ₁₂, или Ca₃(NbMg)₂Ga₃O ₁₂, или Ca₃(NbZr)₂Ga₃O ₁₂. Предложенный материал имеет магнитооптическую добротность 56-60 град/дБ при =0,8 мкм, 350-380 град/дБ при =1,3 мкм, коэрцитивную силу порядка 2,5-15,3 Э и позволяет получать методом термомагнитной записи высококонтрастные изображения. 1 з.п. ф-лы, 2 табл., 3 ил., 4 пр.

Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (NH ₄OH) или гидразин-гидрата (N₂H₄·H ₂O) в течение 5,0-15,0 часов. Технический результат - уменьшение разброса наночастиц магнетита и маггемита по размерам, получение нанокомпозиции равномерной структуры. Полученная структура может использоваться в качестве запоминающей среды для сверхплотной магнитной записи информации. 2 ил. 1 пр.

Изобретение относится к магнитным полимерным композициям, а именно к кобальтсодержащим нанокомпозитам, и может быть использовано в качестве магнитных материалов с необычными физико-химическими свойствами. Предложенный магнитный материал выполнен на основе акриловой кислоты (АК) с этилметакрилатом (ЭМА), взятых в соотношении из диапазона от 1:5 до 1:100 соответственно, и наночастиц кобальта размером 5-15 нм, при следующем соотношении компонентов, мас.%: сополимер - 49,3-79,55, наночастицы кобальта - 20,45-50,7. Материал прост в изготовлении и применении, позволяет получать тонкие пленки различной толщины на поверхностях любых сложных форм, которые обладают повышенной эффективностью намагничивания и стабильными ферромагнитными свойствами. 4 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к методам создания ультратонких магнитных эпитаксиальных пленок на полупроводниковых подложках, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек включает нанесение буферного подслоя меди на атомарно чистой поверхности Si(111)7×7 в условиях сверхвысокого вакуума при комнатной температуре, последующее формирование в режиме послойного роста при тех же условиях ультратонких эпитаксиальных пленок Со(111)/Cu(111)/Si(111)7×7 толщиной от 1 до 6 монослоев (МС) в том случае, когда толщина буферного подслоя меди составляет 3,5 МС. При толщине медного буферного слоя от 4,5 и до 11,5 МС формируют массивы эпитаксиальных наноостровков кобальта моноатомной и биатомной высоты до величины покрытия кобальта 3 монослоя. Изобретение обеспечивает возможность контролируемого формирования на поверхности полупроводниковой подложки кремния эпитаксиальных наноструктур кобальта с заданными магнитными свойствами, что является техническим результатом изобретения. 4 ил., 1 табл., 3 пр.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к аустенитному железо-никелево-хромово-медному сплаву, а также его применению в электромагнитных устройствах. Заявлены аустенитный железо-никелево-хромово-медный сплав, а также электромагнитный привод, статор для двигателя настенных или наручных часов, индуктор, трансформатор, биметаллическая полоса для температурных датчиков, сердечник для соленоидов настенных или наручных часов, устройство для бесконтактного измерения температуры и сверхтекстурированная подложка для эпитакции, содержащие элементы из указанного аустенитного сплава. Сплав характеризуется высокой коррозионной стойкостью, низким коэффициентом термического расширения, высокими магнитными характеристиками, малым гистерезисом, что обуславливает низкие магнитные потери. 9 н. и 13 з.п. ф-лы, 24 табл., 12 пр.

Изобретение может быть использовано в производстве магниторезисторов, материалов для создания головок магнитной записи, катализаторов. Приготавливают водный раствор соли марганца и соли редкоземельного металла. Из полученного раствора экстрагируют соединения марганца бензольным раствором, содержащим триоктиламин, а соединения редкоземельного металла - бензольным раствором, содержащим дипиридил и ацетилацетон. Отделенные от водных фаз органические фазы смешивают. Органический растворитель отгоняют при повышенной температуре, после чего целевой продукт подвергают пиролизу при температуре 600-700°С. Изобретение позволяет сократить время синтеза и получать нанодисперсные манганиты редкоземельных металлов размером 20-100 нм с выходом не менее 93%. 8 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в качестве материала для термомагнитной записи в приборостроении при создании магнитооптических запоминающих устройств. Получены пленки сплава Fe₅₀Pd _50-xPt_x (где х=3-10 ат.%) для термомагнитной записи информации. Сплав после термообработки обладает упорядоченной по типу L1₀ структурой и образует текстуру с легкой осью, совпадающей с нормалью к плоскости основы, и сплав после намагничивания способен сохранять однодоменное состояние в отсутствие внешнего поля. Пленки из предлагаемого сплава обладают повышенной плотностью записи и энергетической чувствительностью по сравнению с аналогичными на основе железа и палладия. 1 табл.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу получения магнитной полимерной композиции на наноразмерных ферритовых частицах, предназначенной для применения в высокочастотных радиоустройствах в электрическом оборудовании автотранспорта. Способ включает получение полимерной композиции, состоящей из термопластичной полимерной матрицы, в которую методом высокоскоростного термического разложения вводят наноразмерные ферритовые частицы, при этом в процессе разложения металлосодержащих соединений в расплаве полимера на расплав дополнительно воздействуют высоковольтным короткоимпульсным электрическим разрядом напряжением 15-20 кВ, длительностью 1-10 мс, с количеством импульсов 80-100. Техническим результатом изобретения является стабилизация гранулометрического состава композиции и равномерность распределения ферритов в матрице. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электротехнике, в частности к магнитной полимерной композиции, предназначенной для применения в высокочастотных и сверхвысокочастотных радиотехнических устройствах. Материал представляет собой матрицу из термопластического полимера, содержащую в себе равномерно распределенные магнитоупорядоченные однодоменные частицы нанометрового размера от 1 до 30 нм с концентрацией до 50 вес.%, химически связанные с материалом матрицы. Частицы формируются в матрице в процессе получения материала в результате термического разложения металлосодержащих соединений. Магнитные свойства материала могут регулироваться путем выбора матрицы, состава частиц и технологических режимов получения материала. Изделия из материала могут изготавливаться с помощью технологии пластмасс. Техническим результатом изобретения является упрощение технологии изготовления магнитного материала и обеспечение низких потерь на перемагничивание в материале в области высоких и сверхвысоких частот. 3 з.п.ф-лы.