Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления резисторов: .предназначенные для наложения выводов – H01C 17/28

Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности при изготовлении прецизионных чип-резисторов. Целью изобретения является повышение эксплуатационной надежности прецизионных чип-резисторов. Способ содержит следующие технологические операции: 1) нанесение на шлифованную (тыльную) поверхность изоляционной подложки методом трафаретной печати слоя серебряной или серебряно-палладиевой пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на тыльной стороне подложки; 2) напыление на полированную (лицевую) сторону изоляционной подложки методом вакуумной (тонкопленочной) технологии резистивного слоя; 3) формирование методом фотолитографии и ионного травления топологии резистивного слоя на подложке; 4) нанесение методом трафаретной печати на лицевой стороне подложки поверх резистивного слоя низкотемпературной серебряной пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на лицевой стороне; 5) подгонку методом лазерной подгонки величины сопротивления резисторов в номинал; 6) нанесение методом трафаретной печати на резистивный слой с последующим вжиганием слоя низкотемпературной защитной пасты, образуя защитный слой; 7) скрайбирование и ломку пластины изоляционной подложки на полосы; 8) напыление методом вакуумной (тонкопленочной) технологии из сплава никеля с хромом на торцы, соединяя тем самым между собой электродные контакты лицевой и тыльной сторон подложки; 9) ломку рядов пластины на чипы; 10) нанесение гальваническим методом поверх электродных контактов - торцевого, на лицевой и на тыльной сторонах - слоя никеля; 11) нанесение поверх слоя никеля гальваническим методом слоя припоя в виде сплава олова со свинцом. 1 ил.

Изобретение относится к способам изготовления контактов чип-резисторов толстопленочной технологии и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности при производстве резисторов по толстопленочной технологии. Способ образования контактов чип-резисторов толстопленочной технологии включает образование контактных площадок путем нанесения на керамические подложки методом трафаретной печати с последующим вжиганием серебросодержащей пасты и окунанием торцов подложки в сплав, содержащий серебро, перед нанесением гальваническим путем слоя никеля с последующим нанесением слоя сплава припоя также гальваническим методом наносится слой меди. Техническим результатом является повышение надежности внутриконтактных соединений чип-резисторов толстопленочной технологии.