Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления резисторов: ..удалением или добавлением резистивного материала – H01C 17/24
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ
Изобретение относится к области электричества, в частности к радиоэлектронике, и может быть использовано при изготовлении многослойных гибридных интегральных микросхем. Способ изготовления пленочных резисторов включает доводку сопротивления до номинального значения путем прорезки лазерным лучом щели в пленочном резисторе, предварительно покрытом слоем негативного фоторезиста, по которому выполняют лазерную резку пленочного резистора. Затем боковые стороны щели и слой фоторезиста с нанесенными на него продуктами испарения от лазерной резки покрывают изолирующим слоем из позитивного фоторезиста. Техническим результатом является повышение качества и снижение трудоемкости. 2 ил., 1 табл. |
2339104 патент выдан: опубликован: 20.11.2008 |
|
| СПОСОБ ЛАЗЕРНОЙ ПОДГОНКИ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Настоящее изобретение относится к области электронной техники и может использоваться в технологии производства тонкопленочных микросхем. Способ лазерной подгонки пленочных элементов интегральных схем, включающий непрерывное удаление материала пленочного элемента в виде непрерывного реза изменяющейся ширины лазерным лучом, сфокусированное пятно которого перемещается по поверхности пленочного элемента, испаряя его материал, до достижения заданного значения номинала подгоняемого параметра, лучу придают колебательное движение, амплитуду которого при приближении подгоняемого параметра к номинальному значению плавно уменьшают, а частоту модуляции лазерного луча выбирают из условия: f |
2276419 патент выдан: опубликован: 10.05.2006 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОКОМПЕНСИРОВАННОГО ТЕНЗОРЕЗИСТОРА
Устройство относится к электронной технике, в частности к тонкопленочной микроэлектронике. В способе изготовления термокомпенсированного тензорезистора, включающем напыление на гибкую диэлектрическую подложку резистивных слоев, формирование методом фотолитографии чувствительных элементов тензорезистора, измерение сопротивлений которых в процессе подгонки ТКС тензорезистора осуществляют омметром, подключенным к соответствующим контактным площадкам. Тензорезистор изготавливают из двух резистивных материалов с различными величинами и знаками ТКС, формируют на подложке два соединенных последовательно тензочувствительных элемента, объединенные выводы которых соединяют с контактной площадкой, расположенной с одной стороны подложки, а два оставшихся вывода подключают к контактным площадкам, находящимся в непосредственной близости с другой стороны подложки, осуществляют термокомпенсацию лазерной подгонкой соотношения сопротивлений чувствительных элементов, предварительно определив способ электрического соединения тензочувствительных разнородных элементов. После чего для параллельного способа их соединения расположенные в непосредственной близости контактные площадки соединяют методом контактной сварки или пайки, а в случае последовательного соединения в качестве выводов тензорезистора используют два подсоединенных к близко расположенным с одной стороны подложки контактным площадкам. Техническим результатом является повышение точности термокомпенсации с одновременным снижением трудоемкости изготовления термокомпенсированного пленочного тензорезистора. 1 ил.
|
2244970 патент выдан: опубликован: 20.01.2005 |
|
| СПОСОБ ЛАЗЕРНОЙ ПОДГОНКИ ПЛЁНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству тонкопленочных микросхем. Способ лазерной подгонки интегральных схем включает непрерывное удаление материала пленочного элемента в виде непрерывного реза изменяющейся ширины лазерным лучом, сфокусированное пятно которого перемещается по поверхности пленочного элемента, испаряя его материал до достижения заданного значения номинала. Луч диафрагмируют и придают ему колебательное движение, амплитуду которого при приближении подгоняемого параметра к номинальному значению плавно уменьшают, причем частоту модуляции лазерного луча, скорость перемещения вдоль линии реза, амплитуду и размеры пятна выбирают таким образом, чтобы рез был непрерывным, а удаляемое количество материала соответствовало требуемой точности. При этом для обеспечения сплошного реза в продольном направлении вдоль линии тока через резистор время прохождения лазерного луча по обрабатываемой поверхности больше или равно периоду модуляции лазерного луча, а амплитуда модулируемых колебаний регулируется. Техническим результатом изобретения является повышение точности подгонки сопротивления тонкопленочного резистора при сохранении временных и температурных параметров резистивного пленочного элемента. 2 ил., 1 табл. | 2232441 патент выдан: опубликован: 10.07.2004 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТНОЙ ПЛОЩАДКИ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МИКРОСХЕМЫ
Изобретение относится к электротехнической промышленности в частности к тонкопленочной микроэлектронике. Техническим результатом изобретения является снижение трудоемкости изготовления микросхемы при сохранении механической и электрической надежности контактирования резистивного элемента с выводом микросхемы. Контактную площадку создают из алюминия с подслоем металла и защитным слоем. В качестве защитного слоя используют окисел тантала, который получают нанесением на всю поверхность диэлектрической подложки, т.е. одновременно на сформированные на ней резистивный слой и контактную площадку слоя тантала с удельным сопротивлением 150-300 Ом/ , который затем полностью окисляют в течение не менее 6 часов при температуре не ниже 350 С и не выше температуры отжига резистивного слоя. Выводы микросхемы приваривают к контактной площадке после формирования защитного слоя непосредственно через его поверхность способом ультразвуковой сварки.
|
2231237 патент выдан: опубликован: 20.06.2004 |
|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРА
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры. В способе изготовления тонкопленочного терморезистора, включающем напыление на диэлектрическую подложку резистивного слоя, формирование примыкающих к одной из сторон диэлектрической подложки контактных площадок, формирование методом фотолитографии из резистивного слоя регулярной структуры зигзагообразной формы - меандр с подгоночными перемычками, определение величины сопротивления резистивного слоя и подгонку до требуемой величины сопротивления выполнением заданного количества резов с последующим нанесением на тонкопленочную структуру защитного покрытия, резистивную тонкопленочную структуру выполняют из двух материалов с различными значениями удельного сопротивления и ТКС, а в месте соединения материалов и по краям формируют три контактные площадки, расположенные по одной стороне диэлектрической подложки, причем крайние контактные площадки располагают в непосредственной близости, к каждой контактной площадке формируют электрический вывод, измеряют значение сопротивления и ТКС между контактной площадкой, расположенной в месте соединения тонкопленочных материалов и двумя остальными контактными площадками, а требуемые значения ТКС и полного сопротивления терморезистора находят из соотношений где R1 - сопротивление тонкопленочной структуры из первого материала, R2 - сопротивление тонкопленочной структуры из второго материала, R0 - требуемое полное сопротивление терморезистора,  1-ТКС тонкопленочной структуры из первого материала, 2-ТКС тонкопленочной структуры из второго материала, o- требуемое значение ТКС терморезистора, производят подгонку сопротивлений R1 и R2 согласно расчетным соотношениям, соединяют контактные площадки, а один из электрически соединенных выводов удаляют. Способ обеспечивает возможность подгонки изделия в одном технологическом процессе по двум параметрам, полного сопротивления и требуемого значения ТКС. 1 ил.
|
2133514 патент выдан: опубликован: 20.07.1999 |
|
Vпр/2D, где Vпр - скорость перемещения пятна лазерного луча вдоль линии тока, D - диаметр пятна луча, причем амплитуду и размеры пятна выбирают таким образом, чтобы рез был непрерывным, а удаляемое количество материала покрытия соответствовало требуемой точности. Скорость уменьшения амплитуды при вхождении подгоняемого параметра в зону своего номинального значения изменяют согласно математическому выражению. 1 табл., 2 ил.