Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления резисторов: ..с использованием тонкопленочной технологии – H01C 17/075

МПКРаздел HH01H01CH01C 17/00H01C 17/075
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01C Резисторы
H01C 17/00 Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления резисторов
H01C 17/075 ..с использованием тонкопленочной технологии

Патенты в данной категории

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к области электротехники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных резисторов, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике. Техническим результатом является повышение надежности резисторов путем уменьшения контактного сопротивления k в месте нанесения проводникового слоя на резистивный и снижения трудоемкости изготовления резисторов. Способ изготовления тонкопленочных резисторов включает в себя нанесение на подложку резистивного слоя, очистку поверхности резистивного слоя, по меньшей мере, на площади адгезионного контакта с проводниковым слоем двухслойной структуры, раствором, содержащим 80,0 г двухромовокислого калия (K2Cr 2O7) на 1,0 л и серной кислоты (H 2SO4) в пределах 3÷40 с при температуре раствора в пределах 20÷22°С, исключающих остатки органических соединений, с одной стороны, и, с другой, адсорбцию хрома на поверхности резистивного слоя, с последующей промывкой, например, в деионизированной воде, и нанесение на очищенную поверхность проводникового слоя в виде двухслойной структуры, в которой в качестве материала для адгезивного подслоя берут ванадий. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

2332741
патент выдан:
опубликован: 27.08.2008
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ РЕЗИСТОР

Настоящее изобретение относится к области микроэлектроники и измерительной техники и может быть использовано в электронной промышленности и измерительной электронике. Тонкопленочный измерительный резистор содержит резистивный слой на диэлектрической подложке в форме меандра из нихрома или другого резистивного материала, на края которого нанесены алюминиевые слои, являющиеся контактами для подключения тока, проходящего через резистор. В него дополнительно введены резистивные слои для приема и усреднения потенциала вдоль линии тока граничной области токового контакта, которые выполнены из того же резистивного материала в форме полос - продолжений резистора, перпендикулярных направлению тока, втекающего и вытекающего из резистора, причем на их края нанесены алюминиевые слои, являющиеся потенциальными контактами. Техническим результатом является повышение точности воспроизведения требуемого сопротивления и упрощение конструкции тонкопленочного резистора. 3 ил.

2306624
патент выдан:
опубликован: 20.09.2007
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА

Изобретение относится к технологическим процессам изготовления тонкопленочных резисторов. На керамическую подложку методом ионно-плазменного распыления наносят токопроводящий слой и проводят температурную обработку в атмосфере воздуха. Далее, не позднее чем через 12 часов после напыления полученные заготовки подвергают термообработке в воздушной среде при температуре от 630 до 720°C в течение времени от 30 до 60 минут, замеряют ТКС, которое должно принять только положительное значение. Описанный способ улучшает эксплуатационные характеристики получаемых резистивных элементов за счет повышения их температурной и электрической нагрузочной способности.

2297682
патент выдан:
опубликован: 20.04.2007
Наверх