Конструктивные элементы запоминающих устройств, отнесенных к группе ,11/00: .устройства для электропитания – G11C 5/14
Патенты в данной категории
| УСТРОЙСТВО ПЕРЕЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ И НОСИТЕЛЬ ЗАПИСИ
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении перезаписи информации, хранимой в батарее и в зарядном устройстве для батареи. Устройство перезаписи информации содержит первый модуль хранения, предусмотренный в батарее, хранящий с возможностью перезаписи первую информацию; второй модуль хранения, предусмотренный в зарядном устройстве батареи, которое заряжает батарею в результате электрического соединения с батареей с возможностью отсоединения от нее, причем второй модуль хранения, хранящий с возможностью перезаписи вторую информацию; по меньшей мере, один модуль перезаписи, предусмотренный, по меньшей мере, в одной из батареи и зарядного устройства для батареи, причем, по меньшей мере, один модуль перезаписи перезаписывает одну информацию из первой информации, хранимой в первом модуле хранения, и второй информации, хранимой во втором модуле хранения, на основе другой информации из первой информации и второй информации, когда батарея и зарядное устройство для батареи электрически соединены; и модуль смены протокола, который меняет протокол передачи данных между батареей и зарядным устройством для батареи с первого протокола на второй протокол, когда, по меньшей мере, один модуль перезаписи перезаписывает одну информацию. 12 з.п. ф-лы, 8 ил. |
2522315 патент выдан: опубликован: 10.07.2014 |
|
| СХЕМА ДВОЙНОГО ПИТАНИЯ В СХЕМЕ ПАМЯТИ
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении потребляемой мощности. Полупроводниковое устройство памяти с двойным напряжением, содержащее множество формирователей записи, принимающих входные сигналы данных низкого напряжения; множество разрядных шин, соединенных с множеством формирователей записи, причем множество формирователей записи сконфигурировано с возможностью записи входных сигналов данных низкого напряжения во множество разрядных шин в ответ на прием входных сигналов данных низкого напряжения; схему отслеживания синхронизации, сконфигурированную с возможностью обеспечения задержки сигнала числовой шины высокого напряжения в соответствии со временем, связанным с множеством формирователей записи, записывающих входные сигналы данных низкого напряжения; и множество ячеек памяти, реагирующих на сигнал числовой шины высокого напряжения и на множество формирователей записи, записывающих входные сигналы данных низкого напряжения. 8 н. и 22 з.п. ф-лы, 6 ил. |
2480850 патент выдан: опубликован: 27.04.2013 |
|
| СХЕМА ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ Схема для генерации отрицательных напряжений с первым транзистором (Тх2), первый вывод которого соединен с входным выводом (Е), а второй вывод которого соединен с выходным выводом (А) схемы и вывод затвора которого через первый конденсатор (Сb2) соединен с первым выводом тактового сигнала, со вторым транзистором (Ту2), первый вывод которого соединен с выводом затвора Тх2, второй вывод которого соединен со вторым выводом Тх2 и вывод затвора которого соединен с первым выводом Тх2 и со вторым конденсатором Ср2, первый вывод которого соединен со вторым выводом Тх2 и второй вывод которого соединен со вторым выводом тактового сигнала, и причем Тх2, Ту2 являются МОП-транзисторами, выполненными в технике тройного кармана. Первый вывод третьего транзистора (Tz2) соединен со вторым выводом Тх2, второй вывод Tz2 соединен с карманом/карманами (Kw), содержащими транзисторы Тх2, Ту2, Tz2, и вывод затвора Tz2 соединен с первым выводом Тх2. Технический результат: повышение эффективности за счет уменьшения токов утечки. 3 с. и 3 з.п. ф-лы, 6 ил. | 2189686 патент выдан: опубликован: 20.09.2002 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ УМНОЖЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ Изобретение относится к устройству для создания отрицательного высокого напряжения, которое требуется, например, для программирования электрически стираемой программируемой постоянной флэш-памяти. Технический результат изобретения заключается в том, что уменьшается эффект управления через подложку. Образующие канал ванны соответствующих транзисторов выполнены с возможностью соединения с вводом соответствующего транзистора. При этом отрицательное высокое напряжение не поляризует диод подложка-ванна в прямом направлении и таким образом не возникает короткого замыкания по отношению к подложке. Устройство выполнено четырехступенчатым. Каждая ступень содержит по два МОП-транзистора с n-канальной структурой. На выходе четвертой ступени предусмотрен МОП-транзистор Z с n-канальной структурой. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. | 2159472 патент выдан: опубликован: 20.11.2000 |
|