Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти, элементы памяти для них: .с использованием магнитных элементов – G11C 11/02

Группа изобретений относится к области магнитных микро- и наноэлементов, представляет собой магнитный элемент для контроля параметров магнитной структуры типа «вихрь», который может быть использован как основа для создания магниторезистивной памяти с произвольной выборкой, а также способ такого контроля, применимый для диагностики наноматериалов. Сущность изобретения: на подложке из кремния формируют магнитный элемент из двух ферромагнитных дисков разного диаметра, асимметрично размещенных друг на друге и разделенных прослойкой из немагнитного материала, имеющей форму диска. Размеры магнитного элемента таковы, что в большом диске в отсутствие индуцированного магнитного поля формируется вихревое состояние, а в малом диске - однодоменное. Такое исполнение магнитного элемента позволяет создать асимметричную конфигурацию магнитной структуры, что является необходимым условием для контроля параметров вихря при его формировании в большом диске, и дает возможность контролировать хиральность вихря, образованного в большом диске, и направление намагниченности в малом диске. Это достигается при приложении магнитного поля под углами 0, 90, 180 или 270 градусов относительно оси, соединяющей центры дисков. В зависимости от угла приложения магнитного поля в большом диске формируется вихревое состояние с определенной хиральностью, а в малом - однодоменное состояние с контролируемым направлением намагниченности. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 пр.

Изобретение относится к проектированию ячеек энергозависимой магнитной памяти. Способ определения значений тока и спинового вращательного момента в магнитных многослойных структурах, состоящих из чередующихся ферромагнитных и немагнитных слоев, при различных прикладываемых напряжениях и при изменении взаимной ориентации намагниченности слоев, причем заявляемый способ предусматривает выполнение следующих этапов: определяют параметры многослойной системы, которую предполагается использовать в качестве ячейки магнитной памяти, в частности подсчитывают число имеющихся в многослойной системе слоев, определяют характеристики слоев, параметры решетки, число содержащихся в слоях монослоев, углы намагниченности по оси ОХ и OY; для каждого слоя вычисляют граничные s-s и d-d интегралы переноса; на основе полученных значений вычисляют граничные интегралы переноса и положение центров s- и d-электронов различных спинов проводящих зон всех слоев; производят вычисление тока как функции прикладываемого напряжения; производят вычисление вращательного момента как функции прикладываемого напряжения. Технический результат заключается в том, что способ позволяет конструировать ячейки энергонезависимой магнитной памяти с заранее заданными параметрами. 1 з.п. ф-лы, 3 ил., 3 табл.

Изобретение к устройствам энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, реализуемы с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом является снижение энергозатрат на считывание хранящейся информации и ее перезапись. Устройство содержит немагнитную матрицу и размещенные в ней разбитые на столбцы и строки дискретные анизотропные однодоменные магнитные элементы для записи и хранения информации, средства для их перемагничивания, средства их нагрева для снижения коэрцитивной силы при перемагничивании и средства для считывания хранимой магнитными элементами информации в момент изменения их намагниченности при нагреве. 2 ил.