Устройства для определения электрических свойств, устройства для определения местоположения электрических повреждений, устройства для электрических испытаний, характеризующихся объектом, подлежащим испытанию, не предусмотренным в других подклассах: ..бесконтактные испытания – G01R 31/265

Изобретение относится к измерительной технике, применяемой для измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов с использованием зондирующего электромагнитного излучения сверхвысокой частоты (СВЧ), и может быть применено для определения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых пластинах и слитках бесконтактным СВЧ методом. Повышение точности измерений времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках бесконтактным СВЧ методом является техническим результатом изобретения. Предложенное устройство с управляемыми СВЧ блоком, измерительным блоком, СВЧ резонатором, блоком автоматической калибровки и измерения с применением компьютера содержит СВЧ резонатор, который выполнен в виде диэлектрической подложки, с одной стороны которой, полностью металлизированной и являющейся экраном, закреплен лазерный диод, а на другой стороне расположен полосковый проводник, свернутый таким образом, что его противоположные концы сведены вместе через зазор, между концами полоскового проводника выполнено сквозное отверстие, через которое проходит излучение лазерного диода. 2 ил.

Изобретение относится к технике контроля полупроводников. Наиболее целесообразно использовать предлагаемое изобретение для бесконтактного, оперативного контроля параметров глубоких уровней (ГУ), поверхностных состояний (ПС), поверхностного потенциала (заряда), а также времени жизни неосновных носителей заряда. Сущность: возбуждают поверхностную фотоЭДС прямоугольными импульсами электромагнитного излучения, интенсивность которых изменяется от нуля до значений, обеспечивающих режим насыщения. Излучение попадает на поверхность полупроводника через прозрачный емкостной электрод. Амплитуда и форма импульса поверхностной фотоЭДС регистрируется с помощью этого электрода и измерительной цепи. Измерения проводят при нескольких различных интенсивностях импульсов электромагнитного излучения. По зарегистрированным характеристикам рассчитывают параметры релаксационных процессов, что позволяет определить электрофизические параметры полупроводника - концентрацию, энергию и сечение захвата ГУ и ПС, а также поверхностный заряд, поверхностный потенциал, время жизни неосновных носителей заряда. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил.