Устройства для измерения или индикации электрических величин, не отнесенные к группам  ,19/00: .устройства для измерения количества электрического заряда – G01R 29/24

Способ основан на индуцировании и измерении переменного тока в цепи вибрационного конденсатора с заряженным образцом в его зазоре. Образец помещают в первое положение в зазор конденсатора параллельно его обкладкам. Перемещают образец в направлении нормали к его поверхности во второе положение. Измеряют токи конденсатора для обоих положений образца при нулевом напряжении на конденсаторе, а также измеряют ток конденсатора в одном из положений образца, например первом, при известном постоянном напряжении на конденсаторе и величину плотности заряда вычисляют по формуле. Способ позволяет упростить процесс измерения за счет исключения регулирования и систематического измерения напряжения на конденсаторе. 1 ил.

Изобретение относится к электротехническим измерениям и предназначено для экспрессного наблюдения изменений поверхностной плотности заряда и его среднего положения в плоских диэлектриках при различных воздействиях на его поверхность. Сущность: заряженный диэлектрик- образец размещают в зазоре измерительного вибрационного конденсатора. Держатель образца механически жестко соединяют с одним из электродов вспомогательного вибрационного конденсатора. При возбуждении механических колебаний образца частотой, значительно меньшей частоты вибрационного конденсатора, в цепи конденсатора возникает амплитудно-модулированный ток. Напряжение, пропорциональное этому току, подается на вход вертикального отклонения луча осциллографа. Перемещения образца преобразуются вспомогательным вибрационным конденсатором в электрическое напряжение, которое используется в качестве напряжения развертки луча осциллографа. По изменению наклона огибающих сигнала на экране осциллографа судят об изменении заряда. По перемещению точки пересечения огибающих судят об изменении его центра распределения. 3 ил.

Исследуемый образец помещают в зазор плоского статического конденсатора с неподвижными обкладками, возбуждают гармонические механические колебания образца в направлении нормали к обкладкам конденсатора и измеряют величину сигнала, пропорциональную току в цепи конденсатора при нулевом напряжении на конденсаторе. Далее на обкладки конденсатора подают переменное напряжение, синфазное с механическими колебаниями образца, и снова измеряют величину сигнала, пропорциональную току в цепи конденсатора. Величину поверхностной плотности заряда вычисляют по амплитуде переменного напряжения, амплитуде колебаний образца и измеренным значениям сигнала, пропорционального току в цепи конденсатора. Данный способ позволяет в сотни и тысячи раз уменьшить напряжение на измерительном конденсаторе по сравнению со способами, основанными на применении динамического измерительного конденсатора. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к средствам определения электрофизических параметров диэлектрических композиционных слоев на проводящей подложке, а также к способам измерения плотности электростатического заряда материалов. Технический результат - расширение функциональных возможностей. Для достижения данного результата осуществляют формирование на поверхности слоя электростатического заряда, измерение его плотности в разные моменты времени. При этом формирование заряда осуществляют в локальной области слоя известной толщины, измеряют величину электростатического заряда q₁ и q₂ при двух известных расстояниях до поверхности слоя h₁ и h₂, причем на одном из этих расстояний измерения поводят в различные моменты времени, а относительную диэлектрическую проницаемость слоя и его проводимость определяют расчетным путем.