Исследование поверхностных или граничных свойств, например смачивающей способности, исследование диффузионных эффектов, анализ материалов путем определения их поверхностных, граничных и диффузионных эффектов, исследование или анализ поверхностных структур в атомном диапазоне: ..с использованием сканирующей туннельной микроскопии (STM) – G01N 13/12

МПКРаздел GG01G01NG01N 13/00G01N 13/12
Раздел G ФИЗИКА
G01 Измерение
G01N Исследование или анализ материалов путем определения их химических или физических свойств
G01N 13/00 Исследование поверхностных или граничных свойств, например смачивающей способности; исследование диффузионных эффектов; анализ материалов путем определения их поверхностных, граничных и диффузионных эффектов; исследование или анализ поверхностных структур в атомном диапазоне
G01N 13/12 ..с использованием сканирующей туннельной микроскопии (STM)

Патенты в данной категории

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАНОРЕЛЬЕФА ПОДЛОЖКИ

Использование для определения нанорельефа подложки, выполненной из диэлектрического или полупроводникового материала. Сущность: основной зонд устанавливают под углом 55°-65° к подложке, вводят дополнительный зонд, который также устанавливают под углом 55°-65° к подложке и под углом 60°-70° к основному зонду. Основной и дополнительный зонды закрепляют на независимых дополнительных пьезоприводах, связанных с основным. Регулируют расстояние между остриями основного и дополнительного зонда до получения туннельного зазора, а измерение тока осуществляют в зондовой цепи между основным и дополнительными зондами. 1 ил.

2280853
патент выдан:
опубликован: 27.07.2006
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОБЛАСТЕЙ С НАРУШЕННОЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРОЙ В МАТЕРИАЛАХ С МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к способам определения областей с нарушенной кристаллической структурой в материалах с металлической проводимостью. Сущность изобретения заключается в том, что для определения областей с нарушенной кристаллической структурой в материалах с металлическим типом проводимости используют метод туннельной спектроскопии. Снимают вольтамперные характеристики (ВАХ) на отсканированной области поверхности исследуемого образца и по ВАХ, обладающим характерными максимумами, судят о наличии нарушения кристаллической структуры в материале. В результате исключается разрушение структуры поверхности образца или микроскопические изменения границ между доменами напряжений. 2 з.п. ф-лы, 1 табл., 6 ил.

2239814
патент выдан:
опубликован: 10.11.2004
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ РЕЛЬЕФА ПОВЕРХНОСТИ СКАНИРУЮЩИМ ЗОНДОВЫМ МИКРОСКОПОМ

Изобретение относится к электронно-измерительной технике и предназначено для использования в зондовом сканирующем устройстве. Сущность: способ заключается в использовании особенностей поверхности в качестве опорных точек при выполнении перемещений. Перемещения осуществляются от одной особенности к другой, расположенной по соседству. В результате образуется связанная цепочка, в которой особенности размещены относительно друг друга. Поиск, обнаружение и вычисление координат положения особенности выполняет программа распознавания. Сканируя небольшую область вокруг каждой особенности, а затем раскладывая полученные фрагменты поверхности по соответствующим позициям, определенным при распознавании, можно реконструировать реальный рельеф поверхности. Наличие информации о координатах положения особенностей вместе с механизмом привязки позволяет осуществлять прецизионное позиционирование зонда. Технический результат: повышение точности и линейности измерения рельефа поверхности, улучшение разрешающей способности прибора, а также осуществление прецизионного позиционирования зонда. 2 з.п.ф-лы, 8 ил.
2175761
патент выдан:
опубликован: 10.11.2001
Наверх