Способы и устройства для изготовления печатных схем: ..очистка и(или) полировка токопроводящей схемы – H05K 3/26
Патенты в данной категории
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК
Изобретение относится к области электротехники, в частности к изготовлению фотошаблонных заготовок, предназначенных для формирования интегральных схем. Техническим результатом изобретения является улучшение качества поверхности заготовок при интенсификацияи процесса очистки поверхности стеклянных и маскированных пластин. Способ получения фотошаблонных заготовок содержит операции предварительной и финишной обработки пластин, а также операцию обработки маскированных пластин в нейтральной водной среде, которые осуществляются при ламинарном потоке деионизированной воды с числом Рейнольдса 500-1100, при температуре 15-25°С, в течение 4-6 минут, при воздейстии ультразвука в частотном диапазоне 20-50 кГц. Расход потока воды при проведении очистки стеклянных и маскированных пластин сокращается в 2,5-3 раза. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. |
2308179 патент выдан: опубликован: 10.10.2007 |
|
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ НА ПОЛИИМИДНОМ ОСНОВАНИИ
Изобретение относится к электротехнике, в частности к способу производства полупроводниковых систем, изготавливаемых на основе полиимида, где требуется вскрытие контактных площадок для соединения проводящих слоев разных уровней печатных плат. Техническим результатом изобретения является разработка условий травления полностью полимеризованного полиимида, обеспечивающих точность формы и размеров вытравленных участков при более технологичных условиях. В изобретенном способе в качестве раствора травления используют раствор, содержащий в мас.%: моноэтаноламин - 20,4-71,26, щелочь - 30-50, тетраметиламмоний гидрат или тетрабутиламмоний гидрат - 10-14, воду - остальное, а травление незащищенных участков пленки осуществляют при температуре 100±5°С. 1 табл. |
2295846 патент выдан: опубликован: 20.03.2007 |
|
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ ФОЛЬГИРОВАННОГО ПОЛИИМИДА
Изобретение относится к способу производства полупроводниковых систем, в частности к вскрытию контактных площадок в печатных платах, шлейфах, микросхемах, изготовленных на основе полиимидной пленки, когда необходимо удаление с контактных площадок адгезива из эпоксидной смолы, которой склеивается медная фольга с полиимидной основой. В предложенном способе образец фольгированного полиимида с адгезивным слоем из эпоксидной смолы с нанесенной фоторезистивной маской обрабатывают в растворе моноэтаноламина при температуре около 100°С. для удаления полиимидного слоя, после чего осуществляют удаление адгезивного слоя из эпоксидной смолы в две стадии, при этом на первой стадии образец обрабатывают раствором диметилформамида со спиртом или диметилформамида с этиленгликолем для набухания, а на второй - раствором неорганической кислоты, при этом обе стадии осуществляют при температуре 20-50°С. Техническим результатом изобретения является возможность удаления адгезива при низких температурах, не изменяя размер и форму контактных площадок, вытравленных в слое полиимида, т.к. растворы, используемые для удаления эпоксидной смолы, не взаимодействуют с полиимидным слоем. |
2295845 патент выдан: опубликован: 20.03.2007 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК
Изобретения относится к микроэлектронике, в частности к способу получения фотошаблонных заготовок. Способ включает подготовку поверхности маскирующего слоя окиси железа в щелочном окислительном составе, содержащем гипохлориты, при поддержании их постоянной концентрации, что позволяет проводить процесс подготовки поверхности с подтравливанием приповерхностного слоя за счет образования атомарного кислорода в процессе разложения гипохлоритов к последующей операции нанесения резиста. Техническим результатом изобретения является повышение эффективности отмывки маскирующих слоев на основе окиси железа. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. |
2292679 патент выдан: опубликован: 27.01.2007 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК
Изобретение относится к электронной промышленности. Предлагается способ получения фотошаблонных заготовок, связанный со значительной экономией изопропилового спирта (ИПС), применяемого в качестве осушителя, путем введения в осушаемую смесь метилэтилкетона (МЭК). Технический результат - уменьшение расходов ИПС и трудоемкости процесса. Эффект достигается за счет образования тройной постояннокипящей (азеотропной) смеси ИПС-вода-МЭК, что позволяет удалять из рабочей зоны постоянно вносимые примеси воды, «отравляющие» осушитель. 1 табл. |
2269213 патент выдан: опубликован: 27.01.2006 |
|
СПОСОБ ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ ИЗ БЕРИЛЛИЕВОЙ КЕРАМИКИ ОТ ПРИМЕСИ УГЛЕРОДА
Изобретение относится к способам очистки керамических изделий от примесей, в частности к способу очистки поверхности и объема изделий из керамики ВеО от примеси углерода, в том числе подложек для микросхем и мощных резисторов, транзисторов, окон для СВЧ-радаров, каналов газоразрядных лазеров, поверхности и объема вакуумно-плотных изоляторов, применяемых в камерах с магнитным обжатием-МАГО, для получения высокотемпературной замагниченной водородной плазмы. Способ очистки изделий из керамики ВеО от примеси углерода заключается в бомбардировке поверхности положительно заряженными ионами инертного газа, отличающийся тем, что облучение ионами проводят при щадящих режимах: U=0,5÷2,0 кВ, I=5,0÷40,0 мкА, =10÷20 мин. После этой обработки изделие нагревают в вакууме 10 -7-10-9 Па до температуры 450÷500°С, выдерживают в течение 15÷20 мин и затем обрабатывают поверхность высокочастотной водородной плазмой при следующих режимах: давление плазмы не более 10-5 Па, ток разряда не более I=10,0 мкА, энергия атомов водорода 5,0÷10,0 эВ. Техническим результатом является создание надежной технологии очистки поверхности и объема изделий от углерода без значительного разрушения структуры их поверхности; сокращение времени очистки объема изделий от примеси углерода, а также уменьшение время облучения ионами, а следовательно, и загрязнение, разрушение и распыление материала керамики ВеО, сохранение механической прочности электросопротивления и вакуумной плотности керамических изделий. 1 ил. |
2258331 патент выдан: опубликован: 10.08.2005 |
|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК
Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к способам получения фотошаблонных заготовок (ФШЗ), одного из основных материалов микроэлектроники. Сущность способа заключается в использовании на стадии подготовки стеклянных пластин водных растворов органических кислот общей формулы где R1 - Н, ОН; R2 - Н, СН3, СН2СООН; R3 - Н, СН2СООН, в определенной последовательности, начиная с кислоты с рКа=3,12-3,13 с увеличением этого показателя с градиентом рКа=0,7-1,05 при температуре 50-60oС и применении ультразвука с рабочей частотой 20-25 кГц с увеличением последней величины до 40-45 кГц. Концентрации водных растворов органических кислот составляют 0,4-1,0 мас. %. При отмывке маскированных пластин хрома используют водный раствор молочной кислоты при концентрациях 0,4-1,0 мас.% и применении УЗ с рабочей частотой 40-45 кГц в течение 2-3 мин. При обработке стеклянных поверхностей исключены агрессивные химические компоненты. Техническим результатом изобретения является отсутствие агрессивных химических сред, травмирующих поверхность стеклянной пластины перед и после нанесения маскирующего слоя. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. |
2208920 патент выдан: опубликован: 20.07.2003 |
|
СПОСОБ ОЧИСТКИ ОТВЕРСТИЙ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности, а именно к очистке печатных плат. Сущность изобретения: гидрокавитационный генератор и печатную плату помещают в жидкую среду и формируют струю кавитирующей жидкости перпендикулярно поверхности платы вдоль оси отверстий в плате. За счет пропускания кавитирующего потока через отверстия происходит их очистка от микровключений. Воздействие струйного потока осуществляют при перепаде давления 0,6-10 МПа. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. | 2074537 патент выдан: опубликован: 27.02.1997 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЧИСТКИ ПЛОСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ОБРАБАТЫВАЮЩЕЙ ЖИДКОСТЬЮ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО СУСПЕНЗИЕЙ ПЕМЗОВОГО АБРАЗИВА Использование: в устройствах для зачистки плоских поверхностей обрабатывающей жидкостью, преимущественно суспензией пензового абразива, в технологии изготовления печатных плат. Сущность изобретения: устройство для зачистки плоских поверхностей пемзового абразива содержит узел струйной обработки с конвейером и коллекторами, блок охлаждения и рециркулятор. Узел струйной обработки снабжен опорными приводными валами, установленными в валковом конвейере против размещенных на коллекторах форсунок, причем струя суспензии образует плоские треугольные факелы, развернутые на угол 45° к направлению движения обрабатываемой поверхности и на угол 84° к поверхности обработки. Движение коллектора возвратно-поступательное. Коллектор снабжен колесами, имеющими эластичную подвеску. 1 з. п. ф-лы, 6 ил. | 2050710 патент выдан: опубликован: 20.12.1995 |
|
СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ Использование: изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к очистке радиоэлектронных изделий перед герметизацией. Сущность изобретения: способ включает обработку изделий растворителем в виде сжиженного газа из ряда метан, этан, пропан, бутан, двуокись углерода, аммиак или их смесь. Способ позволяет повысить надежность изделий, упростить технологию, улучшить условия труда и повысить адгезию к поверхности обработанных изделий за счет исключения набухания, улучшения смачиваемости и удаления всех видов загрязнений. | 2041576 патент выдан: опубликован: 09.08.1995 |
|
РАСТВОР ДЛЯ ОСВЕТЛЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ИЗ СПЛАВА ОЛОВО-СВИНЕЦ НА ПЕЧАТНЫХ ПЛАТАХ Использование: технология очистки поверхностей печатных плат с покрытием сплавом олово - свинец после травления перед оплавлением, лужением, пайкой. Сущность изобретения: раствор позволяет интенсифицировать процесс - сократить время очистки (осветления) в два раза, увеличить пропускную способностью раствора, исключить механическую очистку в процессе осветления, повысить производительность труда, улучшить условия труда за счет исключения аммиака и повысить надежность печатных плат за счет исключения ионов хлора. Соотношение компонентов в растворе, г/л: динатриевая соль этилендиамин-тетрауксусной кислоты 5 - 50, 2-окси-1,3-пропилендиамин-тетраметиленфосфоновой кислоты тетранатриевая соль 2 - 50; гидроокись натрия 5 - 20; моющее средство типа "Лотос" или "Прогресс" 0,5 - 5; пеногаситель типа уайтспирит 0,3 - 0,5 мл; вода - остальное до 1 л. 1 табл. | 2019926 патент выдан: опубликован: 15.09.1994 |
|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЧИСТКИ КОНТАКТНЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ Изобретение относится к технологии производства многослойных печатных плат, а именно к устройствам для зачистки контактных поверхностей. Целью изобретения является повышение производительности зачистки. Для этого устройство снабжено цанговым узлом крепления зачистного инструмента, выполненного в виде абразивосодержащего стержня диаметром, равным диаметру контактной площадки, причем между стержнем и цангой расположена разрезная металлическая втулка. 3 ил. | 2010465 патент выдан: опубликован: 30.03.1994 |
|