Схемы для генерирования электрических импульсов, моностабильные, бистабильные или мультистабильные схемы: ..с использованием в качестве активных элементов полупроводниковых приборов, обладающих эффектом запасания дырок и усилением – H03K 3/33

Изобретение относится к импульсной технике, а именно к устройствам генерирования субнаносекундных импульсов. Техническим результатом настоящего изобретения является увеличение предельной частоты повторения импульсов, генерируемых устройством, вследствие уменьшения длительности переходных процессов в формирующей цепи генератора. В генератор субнаносекундных импульсов, содержащий источник отрицательного напряжения питания, ключ, формирующую цепь, состоящую из двух накопительных индуктивностей, диод с резким восстановлением обратного сопротивления, нагрузку, и цепь связи, введен дополнительный источник положительного напряжения питания, который соединен со вторым выводом первой накопительной индуктивности вновь введенной цепью, состоящей из параллельно соединенных диода Шоттки и резистора, причем катод указанного диода с резким восстановлением высокого обратного сопротивления соединен с первым выводом указанной первой накопительной индуктивности, а под ключом подразумевается биполярный или полевой транзистор с индуктивной емкостью, представленной в виде конденсатора. 8 ил.

Изобретение относится к средствам автоматики, связи электроники и энергетики. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей генератора разрывов, за счет преобразования неэлектрических величин в ток, напряжение, частоту без преобразований, и передачи информации через сплошные среды. Генератор разрывов электрической цепи на транзисторе, отличающийся тем, что при допороговом и надпороговом напряжении источника питания в коллекторной ветви создаются условия для экстракции электронов в сторону положительного полюса источника питания, при этом заполнение объема кристалла транзистора дырками формирует кратковременный разрыв цепи в конце периода, за время которого восстанавливается исходная концентрация электронов, а в течение всего межимпульсного периода формируется напряжение на базовом электроде, из-за этого между наружными электродами внутри транзистора создается перепад напряжений, инверсный источнику питания коллекторной ветви, выравнивающийся по амплитуде вдоль всего кристалла при повышении концентрации дырок. 4 табл.