Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов: ....для переменного напряжения или тока – H03K 17/725

МПКРаздел HH03H03KH03K 17/00H03K 17/725
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H03 Электронные схемы общего назначения
H03K Импульсная техника
H03K 17/00 Электронная коммутация или стробирование, т.е. без размыкания или замыкания контактов
H03K 17/725 ....для переменного напряжения или тока

Патенты в данной категории

УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ТИРИСТОРНЫМ КЛЮЧОМ

Устройство управления тиристорным ключом предназначено для использования в абонентских телефонных станциях в качестве телефонного коммутатора либо других радиотехнических устройствах аналогичного назначения. Цель изобретения - повышение надежности работы устройства управления тиристорным ключом. Поставленная цель достигается тем, что в устройство управления тиристорным ключом дополнительно введены третий выход тиристорного ключа, блок контроля и элемент 2 И - НЕ. Устройство содержит: устройство управления 1, состоящее из двух транзисторов 2 и 3, четырех резисторов (4,5,6 и 7), тиристорный ключ 8 на транзисторной основе, содержащий три транзистора 9, 12 и 13, два резистора 10 и 11, блок контроля 16 на двух транзисторах 17 и 19, трех диодах 20, 23 и 24 и трех резисторах 18, 21 и 22, а также элемент 2И - НЕ 25, состоящий из двухэмиттерного транзистора 27 и двух транзисторов 30 и 33, трех резисторов 26, 31 и 32. 1 ил.
2007859
патент выдан:
опубликован: 15.02.1994
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для коммутации высоких напряжений, например, во вторичных источниках электропитания. В высоковольтном транзисторном ключе, содержащем n - p - n-транзистор 1, база которого подключена к клемме напряжения смещения, МДП-транзистор с n-каналом 2, сток которого подключен к эмиттеру n - p - n-транзистора 1 и конденсатор 3, первая обкладка которого подключена к истоку МДП - транзистора и общей шине, достигается повышение надежности путем введения в него оптрона, состоящего из светодиода 4 и фотодиода 5, диода с барьером Шоттки 6 и резистора 7, первый вывод которого подключен к клемме управления и катоду светодиода, анод которого подключен ко второму выводу резистора и затвору МДП-транзистора, подложка которого подключена ко второй обкладке конденсатора и аноду диода с барьером Шоттки, катод которого подключен к катоду фотодиода, анод подключен к общей шине. 1 ил.
2006181
патент выдан:
опубликован: 15.01.1994
Наверх