Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки: ..работающие с катодным распылением – H01J 37/34

Изобретение относится к способу и устройству ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий. Система для создания магнитного поля магнетронного устройства включает два установленных напротив друг друга несбалансированных магнетрона, на внутренней поверхности которых закреплены выполненные из гомогенного материала мишени и каждый из которых имеет ориентированные в противоположных направлениях внутренний и внешний кольцевые магнитные полюса. Внешний полюс одного магнетрона и внешний полюс другого магнетрона имеют противоположную полярность. Система имеет также два установленных напротив друг друга высокоскоростных, охлаждаемых, сбалансированных магнетрона, на внутренней поверхности которых закреплены мозаичные мишени и каждый из которых имеет ориентированные в противоположных направлениях внутренний и внешний кольцевые магнитные полюса. В промежутках между двумя парами несбалансированных и сбалансированных магнетронов, которые находятся между их внешними кольцевыми магнитными полюсами одной полярности, размещены установленные напротив друг друга два ионных источника с холодным катодом, выполненные в виде ориентированных в противоположных направлениях внутреннего и внешнего кольцевых магнитных полюсов. Внешний полюс каждого ионного источника имеет полярность, противоположную полярности внешних полюсов ближайших к нему несбалансированного и сбалансированного магнетронов. В двух других промежутках между двумя парами несбалансированных и сбалансированных магнетронов, которые находятся между их внешними кольцевыми магнитными полюсами разных полярностей, размещены установленные напротив друг друга два дуговых источника металлических ионов со стабилизирующими катушками. Способ включает следующие операции: установку изделий в планетарном карусельном механизме, ионное травление и активацию изделий с помощью несбалансированных магнетронов, дополнительную активацию изделий с помощью ионного источника, генерирующего ионы газов, нагрев изделий, нанесение первичного покрытия с помощью несбалансированных магнетронов, нанесение вторичных слоев покрытия до толщины 10 мкм с помощью одновременного использования несбалансированных магнетронов и сбалансированных магнетронов, нанесение основного слоя покрытия с помощью одновременного использования несбалансированных и сбалансированных магнетронов, нанесение основного слоя с многослойной нанокристаллической структурой с помощью одновременного использования несбалансированных магнетронов и сбалансированных магнетронов и дуговых источников. В результате достигается повышение производительности и универсальности процесса. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к травлению в вакууме при помощи магнетронного распыления. Способ заключается в распылении металлической полосы (2), движущейся над, по меньшей мере, одним противоэлектродом (3,3 ,7) из проводящего материала в вакуумной камере (1), в которой создают плазму в газе вблизи металлической полосы (2) таким образом, чтобы образовывались радикалы и/или ионы, действующие на эту металлическую полосу (2), при этом над металлической полосой (2) размещают удерживающую магнитную цепь (4). Противоэлектрод (3,3 ,7) содержит подвижную поверхность, перемещающуюся путем вращения и/или при поступательном движении относительно металлической полосы (2), при этом указанная поверхность приводится в движение во время травления и непрерывно очищается при помощи устройства (5,5 , 10) очистки, установленного за пределами действия плазмы, перед тем, как снова подвергнуться воздействию плазмы. Технический результат - повышение качества и эффективности травления при непрерывном процессе. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к способу травления магнетронным распылением в вакуумной камере (2) металлической полосы (4), движущейся на опорном валке (3) напротив противоэлектрода (5). В газе вблизи металлической полосы (4) создают плазму, с тем чтобы образовывались радикалы и/или ионы, действующие на эту полосу (4), и выбирают, по меньшей мере, одну замкнутую магнитную цепь (7), ширина которой, по существу, равна ширине металлической полосы (4), из группы, по меньшей мере, из двух замкнутых магнитных цепей (7) разной и фиксированной ширины, затем выбранную магнитную цепь (7) перемещают для ее позиционирования напротив металлической полосы (4) и производят травление движущейся металлической полосы (4). Технический результат - равномерная обработка всей поверхности без повреждения опорного валка. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к источнику фильтрованной плазмы вакуумной дуги (варианты) и способу создания фильтрованной плазмы. Фильтрование плазмы осуществляется в фильтре с изогнутым под прямым углом плазмоводом, снабженным, по крайней мере, тремя дополнительными магнитными катушками, размещенными в области изгиба плазмовода. Эти магнитные катушки и другие элементы фильтра, включая систему поперечных ребер и магнитную ловушку остроугольной геометрии в плазмоведущем канале, обеспечивают необходимую эффективность прохождения плазмы через фильтр, снижение потерь плазмы и пониженный выход нежелательных частиц из плазменного фильтра. Согласно другим вариантам источник имеет несколько катодов, несколько выходных отверстий. 4 н. и 27 з.п. ф-лы, 24 ил.

Изобретение относится к области металлургии, в частности к распылительному катоду для процессов нанесения покрытий в вакуумной камере, и может найти применение в машиностроении при изготовлении изделий с нанесенным покрытием. Катод содержит, по меньшей мере, одну цельную мишень (2), смонтированную на металлической мембране (3). На обращенной от мишени (2) стороне мембраны (3) находятся охлаждающий канал с приточной (9) и сливной (10) линиями для охлаждающей жидкости и полость (7), по меньшей мере, для одной магнитной системы (5). Магнитная система (5) расположена в герметизированной относительно мембраны (3) несущей ванне (6) и не подвержена воздействию охлаждающей жидкости. Катод расположен на несущей конструкции (12), которая содержит полое тело (13), герметично закрытое относительно внутреннего пространства вакуумной камеры (18), и связывает окружающую магнитную систему (5) и полость (7) с атмосферой вне вакуумной камеры (18). Охлаждающий канал выполнен в виде закрытой по периметру сечения водопроводной трубы (4), по меньшей мере, с одной плоской стороной (4а), находящейся в теплопроводящей связи с мембраной (3). Мембрана (3) и обращенные от мембраны (3) поверхности водопроводной трубы (4) через указанную несущую конструкцию (12) подвержены атмосферному давлению вне вакуумной камеры (18). Такое выполнение катода позволяет улучшить теплопередачу от мишени к охлаждающей жидкости простым, эффективным и экономичным образом и предотвратить опасности проникновения охлаждающей жидкости в вакуумную камеру. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к плазменной технике и предназначено для вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок металлов и их соединений на поверхность твердых тел. Предложенная магнетронная система содержит камеру, анод, катод-мишень и магнитный блок, содержащий магнитопровод и постоянные магниты. Катод-мишень и магнитный блок выполнены протяженными, внутри катода-мишени расположен магнитный блок, содержащий магнитопровод, на котором расположены три параллельных ряда постоянных магнитов с различной остаточной индукцией магнитного поля, боковые ряды магнитов замкнуты на концах концевыми магнитами и имеют полярность, обратную полярности центрального ряда магнитов, при этом величина остаточной индукции магнитного поля постоянных магнитов вблизи концов магнитного блока на 5-15% выше, чем в центральной части. В частных воплощениях изобретения стенки камеры являются анодом; катод-мишень выполнен в виде вращающегося цилиндра, а магнитный блок неподвижно расположен внутри него. Техническим результатом изобретения является увеличение зоны однородного нанесения покрытия без увеличения габаритных размеров магнетронной распылительной системы. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.