Способы и устройства для изготовления и сборки приборов, отнесенных к данному подклассу: ..для нанесения наноструктур, например посредством молекулярно-пучковой эпитаксии (MBE) – H01F 41/30
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КОБАЛЬТА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к методам создания ультратонких магнитных эпитаксиальных пленок на полупроводниковых подложках, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек включает нанесение буферного подслоя меди на атомарно чистой поверхности Si(111)7×7 в условиях сверхвысокого вакуума при комнатной температуре, последующее формирование в режиме послойного роста при тех же условиях ультратонких эпитаксиальных пленок Со(111)/Cu(111)/Si(111)7×7 толщиной от 1 до 6 монослоев (МС) в том случае, когда толщина буферного подслоя меди составляет 3,5 МС. При толщине медного буферного слоя от 4,5 и до 11,5 МС формируют массивы эпитаксиальных наноостровков кобальта моноатомной и биатомной высоты до величины покрытия кобальта 3 монослоя. Изобретение обеспечивает возможность контролируемого формирования на поверхности полупроводниковой подложки кремния эпитаксиальных наноструктур кобальта с заданными магнитными свойствами, что является техническим результатом изобретения. 4 ил., 1 табл., 3 пр. |
2465670 патент выдан: опубликован: 27.10.2012 |
|
| СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ФОРМОЙ СИНТЕЗИРУЕМЫХ ЧАСТИЦ И ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВ, СОДЕРЖАЩИХ ОРИЕНТИРОВАННЫЕ АНИЗОТРОПНЫЕ ЧАСТИЦЫ И НАНОСТРУКТУРЫ (ВАРИАНТЫ) Изобретение относится к нанотехнологии и к высокодисперсным материалам, в частности к металлсодержащим материалам, и может быть использовано для разработки функциональных элементов в электронике, электротехнике, в оптических и нелинейно-оптических системах и устройствах, магнито-оптических системах, а также для создания новых элементов магнитной памяти и магнитных носителей информации, получения коллоидных частиц для магнито- и электрореологических жидкостей, а также для биомедицинских применений. Предложен способ управления формой синтезируемых частиц и изготовления материалов и устройств, содержащих ориентированные анизотропные частицы и наноструктуры, заключающийся в проведении процессов синтеза частиц и формирования наноструктур, отличающийся тем, что процессы синтеза частиц и формирования наноструктур проводятся под действием внешнего электрического поля или внешних электрических и магнитных полей. Действие внешних постоянного и/или переменного электрических полей распространяют на дополнительные стадии, выбранные из группы, включающей в себя: формирование системы исходных реагентов и соединений, регулирующих процессы синтеза и стабилизации частиц, стадию стабилизации частиц, стадию изменения концентрации частиц, стадию экстрагирования частиц, стадию включения частиц в полимеризуемую композицию, стадию ориентации частиц, стадию формирования ориентированных упорядоченных ансамблей частиц и/или протяженных наноструктур, стадию полимеризации и отверждения материала, при этом область, в которой протекают процессы синтеза частиц и/или наноструктур, может включать жидкую, конденсированную и/или газовую фазы и границу их раздела, или твердотельную поверхность, или полости пористого материала. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности эффективного управления формой и ориентацией синтезируемых частиц а также получения протяженных линейных наноструктур. 2 с. и 50 з.п. ф-лы, 5 ил. | 2160697 патент выдан: опубликован: 20.12.2000 |
|