Способы и устройства для изготовления и сборки приборов, отнесенных к данному подклассу: ..термическая обработка, термическое разложение, химическое осаждение паров – H01F 41/22

МПКРаздел HH01H01FH01F 41/00H01F 41/22
Раздел H ЭЛЕКТРИЧЕСТВО
H01 Основные элементы электрического оборудования
H01F Магниты; индуктивности; трансформаторы; выбор материалов, обеспечивающих магнитные свойства
H01F 41/00 Способы и устройства для изготовления и сборки приборов, отнесенных к данному подклассу
H01F 41/22 ..термическая обработка; термическое разложение; химическое осаждение паров

Патенты в данной категории

СВЧ ПЛАЗМЕННЫЙ РЕАКТОР

Изобретение относится к металлообработке, в частности к СВЧ плазменному реактору, и может найти применение в машиностроении и металлургии при изготовлении изделий с покрытиями, полученными способом плазменного парофазного химического осаждения пленок. СВЧ плазменный реактор содержит осесимметричную герметичную рабочую камеру в виде цилиндра, соосно расположенную в центральной его части платформу, образующую с внутренней торцевой стороной рабочей камеры радиальный волновод, центральная часть которого является резонатором, источник СВЧ энергии, прямоугольный и цилиндрический коаксиальный волноводы, диэлектрическое окно, герметично отделяющее рабочую камеру, и конусообразный коаксиальный волновод. Основание внутреннего конуса конусообразного коаксиального волновода сопряжено с платформой, основание его внешнего конуса в общей плоскости с основанием его внутреннего конуса - с цилиндрической стенкой рабочей камеры. Диэлектрическое окно выполнено из прозрачного для СВЧ волны диэлектрика и установлено в коаксиальном конусообразном волноводе соосно с ним. В СВЧ реакторе максимально согласован волноводный тракт на пути к плазме СВЧ разряда, обеспечены минимальные потери энергии в тракте и обеспечено управление температурой подложки при использовании дополнительного источника энергии. 5 з.п. ф-лы, 3 ил.

2299929
патент выдан:
опубликован: 27.05.2007
Наверх