Способы и устройства для изготовления и сборки приборов, отнесенных к данному подклассу: ..путем испарения – H01F 41/20

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью. Способ получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники включает магнетронное распыление составной мишени, состоящей из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, при этом магнетронное распыление проводят в среде аргона, давление в рабочей камере во время распыления составляет (6÷7)×10^-3 Па, давление аргона в магнетроне - (6÷7)×10^-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материал (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, скорости травления слоя (10÷12) нм/с, и термическую обработку в вакууме 0,5×10^-3 Па, температуре 300-400^оС, длительностью 10-15 мин. Повышение однородности распределения компонентов в мелкозернистом слое ноноструктурированной магнитной пленке является техническим результатом изобретения. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению спеченных магнитов системы РЗМ-Fe-B. Спеченный магнит семейства Fe-B-редкоземельные элементы, размещенного в рабочей камере, нагревают до заданной температуры. Металлический материал, содержащий по меньшей мере один из Dy и Тb, размещенный в упомянутой рабочей камере или испарительной камере, сообщающейся с упомянутой рабочей камерой через соединительный канал, испаряют и осаждают испаренные атомы металла на поверхность спеченного магнита при регулировании количества подаваемых атомов металла. Обеспечивают диффузию осажденных атомов металла в зернограничные фазы спеченного магнита таким образом, что на поверхности спеченного магнита не образуется тонкая пленка испаряющегося металлического материала. Полученный магнит обладает высокими магнитными свойствами и большую коррозионную стойкость. 2 н. и 15 з.п. ф-лы, 19 ил., 14 пр.

Изобретение относится к области получения тонких пленок материалов, которые могут быть использованы в устройствах систем полупроводниковой спиновой электроники. Способ получения тонкопленочного оксидного материала, легированного ионами ферромагнитного металла, включает распыление прекурсора на подложку в разряженной атмосфере при высоких температурах. Распыление осуществляют путем испарения исходного сыпучего порошка, легированного железом оксида европия (II) фракции 0,2-0,3 мм, в вакууме (1÷5)·10 ^-5 Торр при подаче его на раскаленный до 2500-3000°С испаритель со скоростью 1-10 мг/с, при этом подложку располагают над испарителем на расстоянии 8-12 см. Изобретение позволяет получить тонкие пленки полупроводникового спинтронного материала, обладающего высокой степенью намагниченности и способного являться спиновым инжектором в устройствах полупроводниковой спиновой электроники при комнатной и выше комнатной температурах. 4 ил., 1 табл.