Тонкие магнитные пленки, например с однодоменной структурой: ....содержащие кобальт – H01F 10/16

Изобретение относится к способу получения магнитотвердого покрытия из сплава самария с кобальтом и может использоваться при изготовлении постоянных магнитов, используемых в конструкциях малогабаритных двигателей постоянного тока, бортовой измерительной аппаратуре, а также различных устройствах, предназначенных для исследования космического пространства. Осуществляют послойное напыление с помощью плазмотрона на охлаждаемую подложку расплавленного в высокотемпературной зоне плазменной струи порошка сплава самария с кобальтом при следующем соотношении компонентов: самарий - 40 вес.%, кобальт - остальное. Напыление проводят в камере в среде отработанных инертных газов плазмотрона при температуре в пятне напыления 800-900°С. Получается покрытие из магнитотвердого сплава самария с кобальтом, имеющего высокую коэрцитивную силу и низкое значение температурного коэффициента намагниченности. 4 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к методам создания ультратонких магнитных эпитаксиальных пленок на полупроводниковых подложках, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов. Сущность изобретения: способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек включает нанесение буферного подслоя меди на атомарно чистой поверхности Si(111)7×7 в условиях сверхвысокого вакуума при комнатной температуре, последующее формирование в режиме послойного роста при тех же условиях ультратонких эпитаксиальных пленок Со(111)/Cu(111)/Si(111)7×7 толщиной от 1 до 6 монослоев (МС) в том случае, когда толщина буферного подслоя меди составляет 3,5 МС. При толщине медного буферного слоя от 4,5 и до 11,5 МС формируют массивы эпитаксиальных наноостровков кобальта моноатомной и биатомной высоты до величины покрытия кобальта 3 монослоя. Изобретение обеспечивает возможность контролируемого формирования на поверхности полупроводниковой подложки кремния эпитаксиальных наноструктур кобальта с заданными магнитными свойствами, что является техническим результатом изобретения. 4 ил., 1 табл., 3 пр.