Конструктивные элементы – H01C 1/00

Использование: в области электротехники. Технический результат - повышение эффективности и экономичности. Электрическое защитное устройство содержит два дискообразных РТС термистора (1), которые размещаются в общем корпусе (2). Корпус (2) содержит отверстие (3) на каждой из двух противоположных сторон, причем упомянутое отверстие (3) соответствует размерам РТС термисторов (2), так что РТС термисторы (1) можно вставлять в корпус через отверстия (3). Два РТС термистора (1) электрически изолированы друг от друга внутри корпуса (2). РТС термисторы (1) каждый содержит, по меньшей мере, два соединительных провода (4), посредством которых РТС термисторы (1) прикреплены к корпусу (2). 15 з.п. ф-лы, 4 ил.

Устройство (18) сопротивления включению для силового высоковольтного выключателя имеет большое количество элементов (70) сопротивления и большое количество охлаждающих элементов (60), причем охлаждающие элементы (60) расположены последовательно друг с другом и последовательно электрически соединены друг с другом. Соответственно, между двумя последовательно расположенными охлаждающими элементами (60) расположены элементы (70) сопротивления, которые электрически последовательно соединяют друг с другом электрические охлаждающие элементы (60). Технический результат - обеспечение многократного включения силового высоковольтного выключателя с таким устройством сопротивления включения. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к способу наложения электроизоляционной оболочки на варисторный блок для разрядника защиты от перенапряжений. Варисторный блок (1) образован из множества варисторных элементов (2а, 2b, 2c, 2d). Вокруг варисторных элементов (2а, 2b, 2c, 2d) расположена электроизоляционная оболочка (5а). Электроизоляционная оболочка (5а) непосредственно лежит на поверхности варисторного блока (1). Перед или во время наложения электроизоляционной оболочки (5а) на варисторный блок (1) удаляют нежелательные газовые молекулы из области соединения между поверхностью варисторного блока (1) и оболочкой (5а). Нанесение оболочки производят в эвакуированном пространстве. Оболочку формируют под действием тепловой энергии. Оболочка по крайней мере частично образована шлангом из усаживаемого материала. Техническим результатом является повышение механической стабильности и защищенности от действующих снаружи механических сил. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструкции высокоомных поликремниевых резисторов, и может быть использовано как в качестве дискретных приборов, так и в качестве элемента при создании больших и сверхбольших интегральных схем различного назначения. Поликремниевый резистор содержит область поликремния на изолирующем ее от подложки и элементов интегральной схемы диэлектрике, высоколегированные области контактов резистора, легированный слой в теле резистора, полученный после формирования металлизации, отожженный при сравнительно низкой температуре (250°С÷850°С) и поэтому имеющий ограниченную глубину, меньшую, чем толщина поликремниевого слоя. Заявляемая конструкция позволяет получать большие поверхностные сопротивления поликремниевых резисторов с высокой точностью за счет того, что легирование тела резистора и отжиг его при сравнительно невысокой температуре проводятся после формирования металлизации, то есть легированный слой тела резистора имеет глубину, меньшую, чем толщина поликремниевого слоя. 6 ил.

Изобретение относится к электротехнике, к резисторам и может быть использовано для регулирования частоты вращения электродвигателя вентилятора в кондиционерах воздуха. Технический результат состоит в повышении надежности за счет повышения надежности путем повышения устойчивости к воздействию внешнего удара. Резистор содержит корпус основания, радиатор, присоединенный к верхней части корпуса основания. Печатная плата схемы резистора покрыта изоляционными слоями и установлена в радиаторе. Арматурная пластина размещена на передней поверхности радиатора для изоляции печатной платы схемы резистора от внешнего мира. Термоплавкий предохранитель приварен точечной сваркой к верхним соединительным контактным концам печатной платы схемы резистора в верхней части радиатора. Крепежная часть дугообразной формы образована на верхней части арматурной пластины для обертывания вокруг термоплавкого предохранителя и его прочного поддерживания. Это уменьшает затраты на производство резистора, увеличивая в то же самое время его технологичность и надежность. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к области электротехники, в частности к полосковой техники СВЧ и технологии ее изготовления, которые могут быть использованы в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике. Резистор с повышенной мощностью рассеяния содержит диэлектрическую подложку, на которой размещены пленочный резистивный слой, соединенные с ним контактными кромками токонесущая и заземляющая контактные площадки и диэлектрический теплопроводный слой, контактирующий с резистивным слоем, который нанесен на пленочный резистивный слой со стороны, противоположной диэлектрической подложке, с обкладкой боковых сторон резистивной пленки. Контактные кромки токонесущей и заземляющей контактных площадок выполнены Z-образной формы с обкладкой верхними полками кромок диэлектрического токопроводящего слоя, а нижними полками установлены на контактных кромках резистивной пленки и на возможном адгезивном диэлектрическом подслое, например, из нитрида кремния, Si₃ N₄, толщиной 1,0÷1,5 мкм, между пленочным резистивным слоем с контактными площадками и диэлектрической подложкой. Способ изготовления резистора с повышенной мощностью рассеяния включает нанесение на диэлектрическую подложку с возможным адгезивным диэлектрическим теплопроводящим подслоем резистивного слоя и токонесущих контактных площадок методами фотолитографии и электрохимического осаждения металлов. После формирования резистивного слоя на последний наносят металлическую контактную маску, а в образовавшиеся окна напыляют диэлектрический теплопроводный материал заданной толщины с обкладкой боковых сторон резистивной пленки. «Взрывным» травлением контактной маски на резистивной пленке получают рисунок диэлектрического теплопроводного слоя. На кромки диэлектрического теплопроводного слоя и резистивной пленки и на поверхность адгезивного подслоя диэлектрической подложки наносят токонесущие контактные площадки методами фотолитографии и электрохимического осаждения металлов с образованием обкладок на кромках диэлектрического теплопроводного слоя. Техническим результатом является повышение импульсной мощности рассеяния в 5÷10 раз и надежности работы резистора. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 1 ил.