Устройства для измерения переменных магнитных величин: ...приборов с магнитным сопротивлением – G01R 33/09

Изобретение относится к средствам контроля медицинской техники и может быть использовано в устройствах обнаружения магнитных микрогранул, прикрепившихся к биоматериалам в результате процессов биотинилирования и гибридизации. Сущность изобретения заключается в том, что профилированный магниторезистивный микрочип биосенсорного устройства представляет собой массив магниточувствительных ячеек размерностью N на М, при этом он выполнен в виде кристалла кремния и содержит тонкопленочные магниторезисторы со строго фиксированной ориентацией относительно поверхности и границ кристалла и объединенные металлической разводкой на кристалле так, что с него выходит не более чем N+M+3 вывода для регистрации наличия магнитных меток в пробах биоматериала. Технический результат - повышение количества и увеличение объема проб анализируемых биоматериалов, снижение габаритных размеров микрочипов, повышение уровня выходного сигнала ячейки. 3 ил.

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом и может быть использовано для преобразования высокочастотного магнитного поля в электрический сигнал. Технический результат: плавное изменение амплитудно-частотной характеристики. Сущность: наноэлемент содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположен тонкопленочный магниторезистивный элемент. Магниторезистивный элемент содержит верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка с осью легкого намагничивания, направленной под углом к параллельным сторонам тонкопленочного магниторезистивного элемента. Над тонкопленочным магниторезистивным элементом сформирован изолирующий слой с расположенным на нем планарным проводником, поверх которого расположен поверхностный защитный слой. Тонкопленочный магниторезистивный элемент выполнен в форме тонкопленочной магниторезистивной призмы, наклонные стороны которой расположены вдоль оси проводника, при этом между планарным проводником и поверхностным защитным слоем расположены дополнительные изолирующий слой и планарный проводник. Наноэлемент может содержать несколько последовательно изготовленных тонкопленочных магниторезистивных призм различной длины и размеров параллельных сторон. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к магнитному датчику, использующему магниторезистивный элемент. Магнитный датчик 10 включает в себя СМР-элементы 11-18 и нагревательные катушки 21-24, служащие в качестве тепловыделяющих элементов. Элементы 11-14 и 15-18 соединяются между собой в виде моста, составляя датчики оси Х и оси Y соответственно. Нагревательные катушки 21, 22, 23 и 24 располагаются рядом с элементами 11 и 12, элементами 13 и 14, элементами 15 и 16 и элементами 17 и 18 соответственно. Нагревательные катушки 21-24 при электрическом возбуждении нагревают, главным образом, соседние элементы. Поэтому элементы могут нагреваться и охлаждаться в течение короткого периода времени, во время которого может обеспечиваться постоянный геомагнетизм. Данные для компенсации зависящей от температуры характеристики (отношение изменения выходного значения датчика к изменению температуры элемента) получают на основе температур элементов до и после нагревания и выходных значений магнитного датчика до и после нагревания. Затем компенсируются температурные характеристики элементов на основе этих данных. 2 н.п. ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к магнитному датчику, использующему магниторезистивный элемент. Магнитный датчик 10 включает в себя СМР-элементы 11-18 и нагревательные катушки 21-24, служащие в качестве тепловыделяющих элементов. Элементы 11-14 и 15-18 соединяются между собой в виде моста, составляя датчики оси Х и оси Y соответственно. Нагревательные катушки 21, 22, 23 и 24 располагаются рядом с элементами 11 и 12, элементами 13 и 14, элементами 15 и 16 и элементами 17 и 18 соответственно. Нагревательные катушки 21-24 при электрическом возбуждении нагревают главным образом соседние элементы. Поэтому элементы могут нагреваться и охлаждаться в течение короткого периода времени, во время которого может обеспечиваться постоянный геомагнетизм. Данные для компенсации зависящей от температуры характеристики (отношение изменения выходного значения датчика к изменению температуры элемента) получают на основе температур элементов до и после нагревания и выходных значений магнитного датчика до и после нагревания. Затем компенсируются температурные характеристики элементов на основе этих данных. 2 н.п. ф-лы, 18 ил.

Изобретение относится к области приборостроения и может найти применение в датчиках измерения углового положения распределительного вала в двигателе автомобиля. Технический результат - расширение нефункциональных возможностей. Для достижения данного результата чувствительный элемент с гигантской магниторезистивностью (ГМР) выполнен в виде восьми резистивных элементов с ГМР с вращательно-симметричным расположением. При этом резистивные элементы соединены между собой по схеме, образующей два полных моста Уитстона. Чувствительный элемент с ГМР наиболее пригоден для применения в составе датчика угла поворота, для определения абсолютного углового положения распределительного вала или коленчатого вала в двигателе автомобиля. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к области магнитных измерений. Сущность: магниторезистивная слоистая система содержит магниторезистивную многослойную структуру, работа которой основана на гигантском магниторезистивном (ГМР) эффекте или на анизотропном магниторезистивном (АМР) эффекте. Рядом с магниторезистивной многослойной структурой предусмотрена слоистая структура, которая создает магнитное поле, действующее на магниторезистивную многослойную структуру. Слоистая структура имеет по меньшей мере один слой из магнитотвердого материала и один слой из магнитомягкого материала. Магниторезистивная слоистая система используется в слоистом чувствительном элементе, прежде всего для определения напряженности и/или направления магнитных полей. Технический результат: повышение напряженности магнитного поля рассеяния с одновременным увеличением коэрцитивной силы, возможность простого и экономичного получения, малая толщина, усиление ГМР- или АМР-эффекта, повышение чувствительности. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 2 ил.

Предложенное изобретение относится к магнитному датчику, использующему магниторезистивный элемент. Целью изобретения является создание магнитного датчика, который выполнен с возможностью измерения недорогим и точным образом зависящей от температуры характеристики в течение короткого периода времени, и создание способа точной компенсации зависящей от температуры характеристики магнитного датчика. Предложенный магнитный датчик содержит множество магниторезистивных элементов, сформированных на верхней поверхности слоя, наложенного на подложку, и множество тепловыделяющих элементов, предназначенных для выделения тепла при электрическом возбуждении. При этом упомянутое множество тепловыделяющих элементов располагается и конфигурируется так, что, когда каждый из упомянутого множества тепловыделяющих элементов выделяет количество тепла, примерно равное количеству тепла, выделяемому любым одним из оставшихся тепловыделяющих элементов для получения данных, касающихся температурной характеристики магнитного датчика, температуры упомянутого множества магниторезистивных элементов становятся примерно равными друг другу, и становится неравномерной температура верхней поверхности упомянутого слоя, на которой формируется упомянутое множество магниторезистивных элементов, и конфигурируется так, что каждый из упомянутого множества тепловыделяющих элементов не выделяет никакого тепла, когда магнитный датчик используется для измерения внешнего магнитного поля в режиме обычной работы, температуры упомянутого множества магниторезистивных элементов становятся равными температуре магнитного датчика. Описанное устройство реализует соответствующий способ компенсации зависящей от температуры характеристики магнитного датчика. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 18 ил.