Устройства для определения электрических свойств, устройства для определения местоположения электрических повреждений, устройства для электрических испытаний, характеризующихся объектом, подлежащим испытанию, не предусмотренным в других подклассах: .испытание отдельных полупроводниковых приборов – G01R 31/26

Изобретение относится к контролю качества и надежности интегральных схем (ИС), как логических, так и аналоговых, и может быть использовано как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: на представительной выборке ИС проводят измерения электрического информативного параметра при трех напряжениях питания: критическом, номинальном и максимально допустимом по ТУ. Находят коэффициент, характеризующий надежность ИС:

,

где , , - значения электрических информативных параметров соответственно при допустимом, номинальном и критическом напряжениях питания. Технический результат: расширение функциональных возможностей. 1 табл.

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: способ измерения шума узлов фотоприемного устройства (ФПУ) включает измерение напряжения шума U_ш1 с выключенным напряжением питания ФПУ, измерение напряжения шума U _ш2 с включенным напряжением питания ФПУ и заданным временем накопления ФПУ, расчет напряжения шума ФПУ U_ш по формуле: . Дополнительно измеряют напряжение шума U_ш3 с включенным напряжением питания и нулевым временем накопления ФПУ и рассчитывают уровень шума матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) U_шМФЧЭ и большой интегральной схемы (БИС) U_шБИС по формулам: , . Технический результат - раздельное измерение шума МФЧЭ и БИС. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к измерению тепловых параметров компонентов силовой электроники. Сущность: прибор нагревают путем пропускания через него тока произвольной формы в открытом состоянии. В процессе нагрева в моменты времени прерывают протекание греющего тока и, пропуская через прибор измерительный ток, измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра и температуры корпуса. Периодически измеряют и запоминают значения греющего тока и вызываемого им падения напряжения на приборе. Вычисляют среднюю мощность, выделяемую прибором в интервале времени. С момента времени до момента времени сравнивают вычисленную среднюю мощность потерь на n-м интервале измерения с предварительно установленной максимально допустимой для прибора рассеиваемой мощностью. Когда значение меньше, равно или больше P_MAX , соответственно, увеличивают, оставляют неизменным или уменьшают среднее значение греющего тока. По достижении температурой корпуса прибора заданного максимума в момент полностью прерывают протекание греющего тока. Через прибор пропускают измерительный ток и измеряют и запоминают значение термочувствительного параметра. В режиме естественного охлаждения по достижении термодинамического равновесия в момент времени измеряют и запоминают значения термочувствительного параметра и температуры корпуса прибора. Рассчитывают тепловое и переходное тепловое сопротивления переход-корпус. Технический результат: повышение точности, снижение временных затрат. 1 ил.

Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности заключается в том, что на партии полупроводниковых изделий измеряют интенсивность шума на двух частотах 200 Гц и 1000 Гц. Вычисляют показатель формы спектра шума по формуле: , где и - квадрат эффективного значения шума соответственно на частотах f₁ и f₂, проводят воздействие рентгеновским облучением дозой, допустимой по техническим условиям, вновь измеряют интенсивность шума и вычисляют показатель формы спектра ₂. По величине коэффициента M, равного M= ₂/ _1, партию изделий разделяют на надежные и потенциально ненадежные изделия. Технический результат - повышение достоверности способа. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что проводят измерения информативного электрического параметра или параметров при нормальной температуре, после 100 ч электротермотренировки в режиме проведения испытаний на безотказность по техническим условиям, после проведения воздействия электростатическим разрядом допустимым напряжением, указанным в технических условиях, по пяти разрядам в обоих направлениях и затем проведение температурного отжига при максимально допустимой температуре по ТУ в течение 2-4 ч. По результатам испытаний и измерений определяют для каждого изделия коэффициент К, по которому определяется изделие пониженной надежности. Технический результат: повышение достоверности и расширение функциональных возможностей способа отбраковки полупроводниковых изделий пониженного уровня надежности качества из партии изделий повышенной надежности.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ППИ (транзисторов, интегральных схем (ИС) и т.д.) и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ППИ как в процессе производства, так и при входном контроле на предприятии-изготовителе радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что на произвольных одинаковых выборках из партий полупроводниковых изделий (не менее 25 штук от каждой партии) проводят измерение электрического информативного параметра до и после воздействия пятью импульсами ЭСР обеих полярностей, потенциалом, допустимым по техническим условиям, затем для последнего измерения вычисляют коэффициент конструктивно-технологического запаса для верхней и нижней норм параметра, далее находят среднее значение изменения величины информативного параметра. По значениям коэффициентов запаса и средних значений величин изменения информативного параметра оценивают сравнительную надежность двух партий. Технический результат: повышение функциональных возможностей способа.

Изобретение относится к измерительной технике на СВЧ. Устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на СВЧ, содержащее измеритель частотных характеристик и интегральную схему в составе центральной линии передачи, отрезка линии передачи, соединенного с центральной линией передачи, электрических ключей - полупроводниковых приборов, управляемых постоянными напряжениями, измеритель частотных характеристик соединен с одним концом центральной линии передачи, другой ее конец - с измеряемым двухполюсником. В котором в качестве измерителя частотных характеристик используют измеритель спектральной плотности мощности шума, интегральная схема выполнена в виде монолитной интегральной схемы на полупроводниковой подложке, при этом отрезок линии передачи выполнен равным одной восьмой длины волны в линии передачи, в качестве электрических ключей используют полевые транзисторы с барьером Шотки и, по меньшей мере, в виде одной пары, при этом в каждой упомянутой паре исток одного полевого транзистора с барьером Шотки соединен с центральной линией передачи на расстоянии одной восьмой длины волны в линии передачи от места соединения измеряемого двухполюсника и между парами, его сток с одним концом отрезка линии передачи, другой конец которого соединен со стоком другого полевого транзистора с барьером Шотки, его исток заземлен, постоянные управляющие напряжения подают на затворы каждого полевого транзистора с барьером Шотки от соответствующего источника постоянного управляющего напряжения. Технический результат заключается в расширении рабочей полосы частот, в повышении точности измерения путем снижения погрешности измерения и в упрощении устройства при сохранении возможности автоматизации. 4 ил.

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров полупроводниковых диодов. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, заключающийся в том, что через полупроводниковый диод пропускают последовательность импульсов греющего тока, период следования которых постоянный, в паузах между ними измеряют температурочувствительный параметр - прямое падение напряжения на полупроводниковом диоде при малом измерительном токе - и определяют изменение температуры р-n-перехода. При этом модуляцию длительности импульсов греющего тока осуществляют по полигармоническому закону с заданным набором частот модуляции, вычисляют с помощью Фурье-преобразования мнимые и вещественные трансформанты температуры, по ним вычисляют значения амплитуд и фаз всех гармоник температуры, после чего определяют модули и фазы теплового импеданса на всех заданных частотах модуляции. Технический результат заключается в сокращении времени процесса измерения зависимости теплового импеданса от частоты модуляции греющей мощности и повышении оперативности контроля теплофизических параметров полупроводниковых диодов. 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности полупроводниковых изделий (ПЛИ), в частности транзисторов, и может быть использовано как на этапе производства, так и на этапе применения. Способ разделения транзисторов по надежности включает измерение низкочастотного шума, при этом измерение напряжения низкочастотного шума перехода эмиттер-база проводят до и после воздействия рентгеновским излучением дважды: после облучения половины дозы и полной дозы допустимой по техническим условиям, и по поведению параметра низкочастотного шума разделяют транзисторы на надежные и потенциально ненадежные. Технический результат - повышение достоверности способа без превышения допустимых воздействующих факторов. 1 ил.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам тестирования параметров планарных полупроводниковых светодиодных гетероструктур (ППСГ) на основе GaN. Способ включает облучение светоизлучающей полупроводниковой гетероструктуры пучком электронов и возбуждение катодолюминесценции, причем возбуждение катодолюминесценции осуществляют облучением в импульсном режиме с длительностью импульса от 10 нс до 400 нс. Энергию электронов обеспечивают преимущественно 18 кэВ и выше. Технический результат заключается в уменьшении влияния неоднородности ионизационных потерь и в устранении деградации активных слоев ППСГ при измерениях. 2 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума посредством центрального проводника в виде отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого четырехполюсника, измеритель коэффициента шума. Измерительная интегральная схема содержит второй центральный проводник в виде отрезка линии передачи, две емкости, резистор, индуктивность, элемент с перестраиваемыми параметрами в виде полевого транзистора с барьером Шотки и две контактные площадки для подачи питания к измеряемому четырехполюснику. Величина сопротивления резистора на порядок больше величины волнового сопротивления отрезка линии передачи на входе, величины индуктивности и емкости определяются из математических формул. Технический результат: расширение рабочей полосы частот, повышение точности измерений, упрощение устройства. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с элементами с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого четырехполюсника, измеритель коэффициента шума. Измерительная интегральная схема дополнительно содержит второй отрезок линии передачи на выходе, две емкости, резистор, индуктивность, две контактные площадки для подачи питания к измеряемому четырехполюснику. Элементы с перестраиваемыми параметрами выполнены в виде полевых транзисторов с барьером Шотки. На затвор полевого транзистора подают управляющее напряжение от соответствующего источника. Величина сопротивления резистора на порядок больше величины волнового сопротивления отрезка линии передачи на входе, величины индуктивности и емкости определяются из математических формул. Технический результат: расширение рабочей полосы частот, повышение точности измерений, упрощение устройства. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Предложен способ сравнительной оценки надежности партий интегральных схем, в соответствии с которым на одинаковых произвольных выборках схем из партий проводят измерения значений среднеквадратичного напряжения шума. При этом измерения низкочастотного шума проводят по выводам «вход - общая точка» на частоте до 200 Гц. Сравнение партий проводят по среднему значению низкочастотного шума в выборке. Технический результат - повышение функциональных возможностей способа. 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности транзисторов, и может быть использовано для разделения транзисторов по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: проводят измерения коэффициента усиления транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной температурах. Для каждого транзистора вычисляют значение абсолютной разности =h_21Э100°С-h_21Э20°C и значения относительного изменения коэффициента усиления K=h_21Э100°C /h_21Э100°C, где h_21Э100°С, h _21Э20°C - значения коэффициента усиления при повышенной и нормальной температуре соответственно. Отбраковывают транзисторы, если они удовлетворяют двум критериям одновременно: _средн; K K_средн, где _средн и K_средн - среднее значение абсолютных разностей и относительного изменения в выборке для данного типа транзисторов. Технический результат: упрощение и повышение функциональных возможностей. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (ПИИ), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий НИИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что на одинаковых выборках из сравниваемых партий НИИ одного типа проводят измерения значения квадрата напряжения шумов на частотах 160 и 1000 Гц до и после воздействия электростатическими разрядами напряжением, допустимым по техническим условиям на половине выборки, а на второй половине ЭСР, равным половине допустимого значения. Для каждого изделия определяется параметр до воздействия ЭСР и после воздействия по следующей формуле:

где и U² _ш1000 - значения низкочастотного шума на частотах 160 Гц и 1000 Гц соответственно, по значениям проводят сравнение партии изделий по надежности. Технический результат - повышение функциональных возможностей способа. 2 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности полупроводниковых изделий (ППИ) (транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для обеспечения повышенной надежности партий изделий как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Способ отбраковки полупроводниковых изделий предполагает измерение у каждого изделия информативного электрического параметра или параметров, при этом измерения параметров осуществляют после проведения пяти воздействий электростатическим разрядом различной полярности предельно допустимым напряжением и после 24-часовой термотренировки при максимально допустимой температуре кристалла. По результатам испытаний рассчитывают коэффициент К по формуле

,

где А_нач, А_ЭСР, A_TT - значения электрического параметра до испытаний, после воздействия ЭСР и после термотренировки соответственно, и в зависимости от критерия К, установленного для каждого типа полупроводникового изделия, определяют ненадежные изделия. Технический результат изобретения - повышение достоверности испытаний и расширение функциональных возможностей отбраковки полупроводниковых изделий.

Изобретение относится к контрольно-испытательному оборудованию изделий электронной техники. В устройстве для климатических испытаний полупроводниковых приборов накопитель с неподвижной винтовой направляющей, установленной внутри транспортирующего приводного ротора с продольными направляющими в виде лотков с поперечными пазами для загрузки и выгрузки приборов, дополнительно снабжен вертикальной направляющей приборов на выходе приемного канала в виде плоского кольца с поддерживающими сегментами, закрепленными на его внутренней образующей и размещенными между кромками приемных пазов соседних лотков с образованием кольцевой поверхности, и гибкой ленты, подпружиненной концами относительно приемного канала и охватывающей приемные пазы лотков и поддерживающие сегменты. Размещен накопитель на опорных стойках, установленных на плите, консольно закрепленной на корпусе камеры. Опорная стойка, установленная на свободном конце плиты, жестко связана с приемным каналом, который дополнительно жестко связан с направляющим лотком узла загрузки. Последний выполнен с возможностью продольного перемещения. Другая опорная стойка выполнена регулируемой по высоте и с возможностью поворота вокруг своей оси. Узел контактирования жестко соединен с корпусом камеры, а его приемный лоток жестко соединен с плитой накопителя со стороны закрепленного конца. Изобретение обеспечивает универсальность работы устройства при переходах с низкотемпературных рабочих режимов на высокотемпературные и наоборот, снижение механического повреждения приборов и не производительных затрат в процессе эксплуатации. 2 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и предназначено для использования в системах испытаний на радиационную стойкость радиоэлектронной аппаратуры. Устройство содержит лазерный излучатель (ЛИ), модулятор лазерного излучения (М), светофильтр (СФ), выравниватель амплитудного распределения лазерного излучения (АВИ), блок контроля интенсивности лазерного излучения (БКЛИ), плату подключения исследуемого объекта (ПИО), блок согласования и коммутации (БСК), управляющее вычислительное устройство (УВУ) с встроенным программным обеспечением, контроллер связи (КС) блоков установки с (УВУ), устройство запоминания параметров импульсов (УЗИ), электроизмерительный прибор (ИП), источник электропитания исследуемого объекта (ИЭ) и генератор импульсных сигналов (ГИС). Перед апертурой лазерного излучателя последовательно установлены (СФ), (АВИ) и либо (БКЛИ), либо (ПИО), на которой закреплен испытываемый объект, выводы которого соединены с контактами (ПИО). Технический результат заключается в возможности определения уровня стойкости испытываемого объекта к совместному воздействию радиации и одиночных импульсов напряжения, регулировке уровня излучения и амплитуды напряжения с одновременным контролем состояния испытываемого объекта. 1 ил.

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП мультиплексоров наносят слой защитного окисла и слой фоторезиста. Вскрывают контактные окна к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и контактное окно к подложке. Наносят слой или слои металла. Проводят фотолитографическую обработку по слою или слоям металла для создания металлической площадки. Проводят плазмохимическое снятие фоторезиста в плазме кислорода с верхней поверхности металлической площадки и ее периферии. Контролируют функционирование годных МОП мультиплексоров с выявлением скрытых дефектов - закороток исток-сток. Удаляют слой (слои) металла вне контактных окон в органических растворителях методом «взрыва» с оставлением адгезионных слоев в области контактных окон. Формируют индиевые микроконтакты. Режут пластины на кристаллы. Предложен простой и экономичный способ тестирования кремниевых МОП мультиплексоров в процессе их изготовления на предмет обнаружения электрических дефектов. 5 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность способа разбраковки полупроводниковых изделий заключается в измерении интенсивности шума до и после внешнего воздействия рентгеновским излучением дозой порядка 10 кР. Техническим результатом изобретения является повышение оперативности процесса разбраковки полупроводниковых изделий по потенциальной надежности. 1 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности интегральных схем (ИС), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ИС как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность способа заключатся в том, что на произвольных одинаковых выборках схем из партий проводят измерения электрических параметров, указанных в технических условиях, при следующих напряжениях питания: 1, 1.25, 1.5, 1.75 и 2В. Затем строят интегральные кривые распределения интегральных схем по значениям напряжения питания и делают выводы по сравниваемым партиям. Техническим результатом изобретения является уменьшение трудоемкости, а также повышение функциональных возможностей способа. 1 ил.

Изобретение относится к области измерительной техники. Сущность изобретения: в способе отбора стойких к воздействию полной поглощенной дозы ионизирующего излучения транзисторных структур технологии КМОП/КНД для каждого технологического решения формируют на чипе наряду с основной схемой БИС дополнительную пару n- и р-канальных транзисторных структур, изготовленных по той же технологии, для ограниченной выборки образцов БИС снимают дискретно с шагом ~100 крад(Si) в диапазоне TID от нуля до уровня требований по стойкости БИС к воздействию максимальной TID плюс 20% зависимости I_D=f(V_GS), получают по ним данные по изменению сдвига порогового напряжения V_TH от величины TID с мощностью дозы не менее ~1000 рад(Si)·c^-1 с учетом технологического разброса и возможных границ изменения зависимости V_TH(TID), производят аппроксимацию нижних и верхних допустимых границ зависимостей V_TH(TID) транзисторов обоего типа проводимости, определяют для каждого фиксированного значения TID разброс измеренных значений , определяют значения V_TH( ) в отсутствие облучения, для минимума на графике зависимости для n-канального транзистора и для практически достигнутого максимального уровня облучения, определяют для тех же условий V_TH( ) для всех возможных комбинаций различий «V_TH (TID)-Up» и «V_TH(TID)-Down» транзисторов n-МОП и р-МОП, V_TH( ) при трех фиксированных значениях величины TID БИС, ранжируют БИС на четыре градации наблюдаемых величин V_TH( ): «высшую» («1») - максимальное изменение; «значимую» («2») - сильное изменение; «среднюю» «3» - умеренные изменения; «малую» («4») - слабые изменения, которые по средней величине соотносятся как «1»%:«2»%:«3»%:«4»%, где за 100% принята «малая» градация, производят измерения V_TH( ) у необлученных промышленных образцов БИС и по результатам ранжирования облученных образцов судят о возможностях использования в условиях облучения таких, у которых градация изменения величины V_TH( ) соответствует категориям «4» и «3». Техническим результатом способа является возможность отбора стойких к эффектам TID промышленных БИС без проведения облучательного эксперимента по измерению радиационного дрейфа порогового напряжения V_TH(D). 5 табл., 7 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к обеспечению надежности транзисторов. Сущность способа заключается в том, что на одинаковых выборках из сравниваемых партий транзисторов проводят измерение интенсивности шума разных переходов после четырехкратного воздействия электростатическими разрядами потенциалом, начиная с допустимого, затем увеличивая его не более чем в два раза с числом воздействий соответственно 5, 4, 2, 1 различной полярности. По разности значений интенсивности шума на переходах судят о потенциальной надежности сравниваемых партий транзисторов.

Техническим результатом изобретения является неразрушающий контроль партий транзисторов по критерию надежности. 2 табл., 1 ил.

Настоящее изобретение относится к солнечному преобразователю, способному преобразовывать постоянный ток из солнечных панелей или других систем для преобразования солнечной энергии в электрическую энергию, и к электростанции для преобразования солнечной энергии в электрическую. Электростанция для преобразования солнечной энергии в электрическую энергию содержит фотоэлектрический генератор, включающий в себя, по меньшей мере, одну секцию фотоэлектрических модулей (М), генератор импульсов, способный посылать электрические импульсы на вход секции, содержащий генератор переменного сигнала и трансформатор, соединенный в конфигурации обратного хода, детектор (ОР) сигнала, расположенный на выходе секции и способный обнаруживать на выходе секции наличие сигнала, который является функцией электрических импульсов на входе, и средство тревожной сигнализации, соединенное с детектором сигнала и способное генерировать тревожную сигнализацию в случае, когда на выходе секции отсутствует сигнал. Техническим результатом является создание надежной, имеющей малое потребление энергии и способной работать в любое время системы защиты от воровства элементов в солнечной электростанции и преобразователе. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых приборов как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность способа заключается в том, что на одинаковых выборках из сравниваемых партий полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах проводится измерение электрических параметров, кипячение их в дистиллированной воде в течение 2-3-х часов и вновь проводят измерение электрических параметров после 2-х часов их выдержки в нормальных условиях. По результатам испытаний проводят сравнение партий. Техническим результатом изобретения является повышение оперативности проведения сравнительных испытаний по стойкости к влаге полупроводниковых изделий в пластмассовых корпусах. 1 табл.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта содержит рабочую поверхность, на которую поступает излучение, полупроводниковую базовую область с одним типом проводимости, металлические контакты, барьеры, разделяющие носители заряда и области с типом проводимости, противоположным типу проводимости базы, расположены в части рабочей поверхности, на которую поступает излучение, на указанных областях и барьерах расположены металлические контакты, барьеры и указанные области с контактами на них имеют форму гребенки из полосок с одинаковой шириной и эквидистантными расстояниями между ними, и структура характеризуется теоретической моделью расчета. Также предложен способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта. Изобретение обеспечивает упрощение процесса измерения, повышение точности и достоверности измерений, расширение спектрального диапазона и расширение функциональной значимости. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к исследованию оптических свойств и метрологии полупроводников и фотоэлектрических структур, а именно к измерению квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках включает подачу электромагнитного излучения с заданными параметрами на поверхность фотоприемника, измерение спектральной чувствительности, определение коэффициента отражения и вычисление квантового выхода, в качестве фотоприемника используются фотоэлектрические мезоструктуры, в которых коэффициент разделения носителей заряда является неизменным в широкой спектральной области длин волн, меньших характеристической длины волны структуры, и характеризующиеся теоретической моделью расчета, измеряется одна физическая величина, и квантовый выход излучения с длиной волны X определяется по предложенной формуле. Изобретение обеспечивает упрощение процесса измерения, повышение точности и достоверности измерений, расширение спектрального диапазона. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для контроля надежности металлизации, а именно металлической разводки, при производстве интегральных микросхем. Сущность изобретения: тестовая структура состоит из проводника металла с двумя выводами для подключения источника тока и двумя потенциальными выводами для измерения падений напряжения при протекании тока через проводник. К проводнику металла присоединен сбоку дополнительный проводник из металла, при этом у этого проводника есть токовый и потенциальный выводы на свободном конце и потенциальный вывод в области его подсоединения к проводнику. На данной тестовой структуре проводятся испытания металлических проводников на надежность. Изобретение обеспечивает повышение информативности о допустимой плотности тока металлизации при учете особенностей металлической разводки в интегральной микросхеме. 5 ил., 3 табл.

Изобретение может быть использовано как в технологии изготовления ППИ, так и для анализа изделий у потребителей. Устройство для контроля полупроводниковых изделий по вторым производным вольт-амперных и вольт-кулонных характеристик содержит аналого-цифровой преобразователь (АЦП), электронно-вычислительную машину (ЭВМ), монитор, цифроаналоговый преобразователь (ЦАП), схему управления, блок формирования бигармонического сигнала, выход которого подключен к входу ППИ, а вход подключен к первому выходу схемы управления, управляемый источник напряжения (УИН), выход которого также подключен к входу ППИ, а вход подключен ко второму выходу схемы управления, блок измерений информационного сигнала, вход которого подключен к выходу ППИ, а выход соединен с входом АЦП. Изобретение позволит повысить чувствительность к выявлению скрытых дефектов и увеличить функциональные возможности контроля ППИ с использованием дополнительной первичной диагностической информации в виде второй производной вольт-кулонной характеристики. 1 ил.

Изобретение относится к технике измерения электрических параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано для контроля их качества. Технический результат: расширение функциональных возможностей, упрощение процедуры испытания, повышение производительности, возможность автоматизированного определения вольт-фарадных характеристик силовых полупроводниковых приборов в состоянии низкой проводимости. Сущность: к контуру, задающему частоту колебаний генератора, подключают контрольный конденсатор с известным значением емкости C_m. Определяют значение периода T₁ генератора. Затем отключают контрольный конденсатор и определяют значение периода T₂ генератора. По значениям C_m, T₁ и T₂ определяют значение емкости контура C_с генератора. Далее к контуру подключают проверяемый прибор. К нему прикладывают нарастающее обратное смещающее напряжение. В процессе нарастания обратного смещающего напряжения в моменты времени измеряют и запоминают дискретные значения обратного смещающего напряжения и дискретные значения знакопеременного напряжения генератора. Определяют значение n-ого периода T_n генератора. Определяют и запоминают среднее значение обратного смещающего напряжения на n-ом интервале измерения. По значениям C_с , T₂ и T_n определяют и запоминают значение общей емкости проверяемого прибора на n-ом интервале измерения. По значениям и соответствующим средним значениям обратного смещающего напряжения определяют вольт-фарадную характеристику проверяемого прибора. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.