Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов: .с кристаллизующимся материалом, образуемым химическими реакциями в растворе – C30B 7/14

МПКРаздел CC30C30BC30B 7/00C30B 7/14
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 7/00 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов
C30B 7/14 .с кристаллизующимся материалом, образуемым химическими реакциями в растворе

Патенты в данной категории

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЛАТЕРАЛЬНО РАСПОЛОЖЕННЫХ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно - к получению латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка. Способ включает формирование на рабочей стороне подложки затравочного слоя оксида цинка, осаждаемого на горизонтальную поверхность рабочей стороны подложки сплошной пленкой. После осаждения затравочного слоя оксида цинка на него наносят слой защитного материала, литографически формируют локальные области затравочного слоя и слоя защитного материала с совпадающими торцевыми участками. Подложку погружают и выдерживают в химическом травителе оксида цинка для подтравливания торцевых участков затравочного слоя оксида цинка на величину, не меньшую 5 нм, а выращивание на затравочном слое латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка проводят погружением и выдержкой подложки в химическом растворе для выращивания нитевидных нанокристаллов оксида цинка рабочей стороной подложки вниз. Технический результат, заключающийся в повышении воспроизводимости процесса, достигается за счет использования нависающего края защитного слоя, который не позволяет расти нанокристаллам оксида цинка в вертикальном направлении. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

2418110
патент выдан:
опубликован: 10.05.2011
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НА ЛИСТОВОМ МАТЕРИАЛЕ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЕТКИ ИЗ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТАЛЛОВ, ИХ СПЛАВОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Изобретение относится к средствам для специальных видов печати, позволяющим получать на листовом материале защитные изображения. Способ получения на листовом материале дифракционной решетки из монокристаллов металлов, их сплавов, полупроводников заключается в том, что на листовой материал наносят раствор соли кристаллизуемых материалов, пропитывают листовой материал этим раствором и воздействуют на этот материал импульсами лазерного излучения, в течение которых на листовом материале создается интерференционная картина из линий. При этом монокристаллы выращивают вдоль этих линий и из их совокупности образуют дифракционную решетку. Кроме того, в устройстве, осуществляющем данный способ, обеспечивается создание на находящемся в естественной среде листовом материале дифракционной решетки из монокристаллов металлов, их сплавов, полупроводников. Заявленное техническое решение направлено на создание на листовом материале (банкноте) надежной защиты от подделки, идентифицируемой в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасных частях спектра. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

2389048
патент выдан:
опубликован: 10.05.2010
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ БЛАГОРОДНОГО МЕТАЛЛА ИЛИ ЕГО СОЛИ НАНО- И/ИЛИ МИКРОРАЗМЕРОВ

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов благородного металла или его соли нано- и/или микроразмеров (например, золота, двухлористой платины и др.) и может быть использовано при создании новых наноматериалов для микро- и оптоэлектроники, медицины. Способ осуществляют химическим восстановлением ионов благородного металла из водного раствора его соединения, при этом в качестве восстановителя используют анионный полиэлектролит и процесс ведут при концентрации ионов металла 0,1-5 мг-ион/дм 3 и концентрации полиэлектролита 5-350 мг/дм3 . Процесс может быть интенсифицирован при повышении температуры в диапазоне 20-60°С и/или освещенности 500-3000 люкс. Изобретение позволяет получать нано- и микромонокристаллы в свободном объеме жидкости без примеси частиц золя при обеспечении их размеров в заданном диапазоне. 8 з.п. ф-лы, 1 табл., 5 ил.

2358042
патент выдан:
опубликован: 10.06.2009
УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ДЛЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ БЕЛКА

Изобретение относится к устройству и способу, предназначенным для кристаллизации белка. Устройство состоит из секции держателя сосуда и блока вращения. Сосуд закреплен с возможностью отсоединения в секции держателя сосуда. Блок вращения вращает секцию держателя сосуда вокруг первой и второй осей вращения. Сосуд состоит из корпуса сосуда, имеющего отверстие, закупоривающей крышки, которая герметично закрывает указанное отверстие корпуса сосуда, впитывающий элемент, который установлен в секции сосуда и пропитан раствором осаждающего реактива, и заглушку, установленную на некотором расстоянии от впитывающего элемента, предназначенную для содержания раствора белка. Осаждающий реактив испаряется и диффундирует внутрь секции сосуда при вращении секции держателя сосуда. Осаждающий реактив впитывается раствором белка, и происходит осаждение кристалла белка. Изобретение позволяет обеспечить более изотропный рост кристалла белка и ускорить рост кристалла белка, а также создать устройство для осуществления такого способа. 2 с. и 9 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.

2238658
патент выдан:
опубликован: 27.10.2004
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ГИДРОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ

Изобретение относится к способу получения слоев гидроксидов металлов. Обработку подложки ведут раствором соли металла и щелочью, раздельно, последовательно и многократно с удалением после каждой из обработок избытка реагента промывкой, причем соль металла выбирают из числа солей этого металла с низшей степенью его окисления, а в раствор щелочи вводят окислитель металла с концентрацией 0,1 0,0001 М.
2051207
патент выдан:
опубликован: 27.12.1995
Наверх