Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов: .электролизом – C30B 7/12

Изобретение относится к области гальванопластики и может быть применено для изготовления деталей устройств нанотехнологического оборудования, использующих метод сканирующего зонда, например, кантилеверов. Кристаллы выращивают на подложке осаждением из электролита. На подложке образуют дефект дисклинационного типа в виде ямки пятиугольного сечения или микротрещины, используют в качестве дефекта плоские пентагональные кристаллы, пленки или покрытия, либо стык кристаллов. Образуя несколько дефектов дисклинационного типа, выращивают одновременно несколько игольчатых кристаллов в форме усов. Выращенные игольчатые кристаллы подвергают электрополированию, формируя острие. В качестве подложки может быть использована деталь устройства, на которой должен быть закреплен игольчатый кристалл. Технический результат - снижение трудоемкости изготовления игольчатых кристаллов. Способ уменьшает количество операций и позволяет выращивать кристаллы в нужном месте и нужных размеров. Это также повышает надежность работы оборудования, в котором используется игольчатый кристалл. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к материаловедению, а именно к методам получения монокристаллов для кристаллографии, оптики и электроники. Сущность изобретения: способ заключается в создании пересыщения в растворе, которое создают в средней камере трехкамерного электролизера путем поступления в нее из одной из боковых камер через катионообменную мембрану катионов синтезируемой соли, и путем поступления анионов синтезируемой соли из другой боковой камеры через анионообменную мембрану, причем процесс ионного обмена интенсифицируют электролизом при помещении электродов в боковые камеры, переключая полярность электродов через каждые 5-60 с. Изобретение позволяет получать монокристаллы нерастворимых в воде солей больших размеров с высокой производительностью.

Изобретение относится к области гальваностегии и может быть применено для выращивания нитевидных кристаллов путем электроосаждения металлов из электролита. Нитевидные металлические кристаллы осаждают из электролита на электропроводную подложку, выполненную из материала с низкой теплопроводностью. Сначала на подложке электроосаждением выращивают кристаллы с пентагональной симметрией, после достижения выращенными кристаллами заданной длины подложку вынимают из электролита и выбирают из числа кристаллов, образовавшихся на подложке, пентагональный кристалл в форме трубки или стержня для использования его в качестве затравочного кристалла, к одному из его торцов приваривают металлическую проволоку, затем отрывают этот кристалл от подложки и, используя приваренную к нему проволоку в качестве держателя, опускают свободный торец кристалла в электролит, после чего ведут процесс выращивания нитевидного кристалла на этот торец, вынимая затравочный кристалл из электролита со скоростью роста нитевидного кристалла, при этом затравочный кристалл используют в качестве катода. Изобретение позволяет получать нитевидные пентагональные кристаллы высокой прочности и адсорбционной способности. 2 ил.