Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов: .применением давления, например гидротермическими способами – C30B 7/10

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 7/00 Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов
C30B 7/10 .применением давления, например гидротермическими способами

Патенты в данной категории

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЖНОГО ОКСИДА СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА

Изобретение относится к области материаловедения, а именно к получению нового сложного оксида со структурой силленита, который является перспективным материалом для различных акусто- и оптоэлектронных устройств: пьезодатчиков, фильтров и линий задержки электромагнитных сигналов, электро- и магнитооптические измерителей напряженности полей, пространственно-временных и магнитооптических модуляторов. Сложный оксид со структурой силленита получают гидротермальным синтезом из щелочного раствора, при этом в исходную шихту, состоящую из NaBiO3 и V 2O5, добавляют редкоземельный элемент Sm в виде Sm2O3 с образованием сложного оксида состава

2463394
патент выдан:
опубликован: 10.10.2012
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, используемого в различных областях электронной техники, где использование кварца невозможно или ограничено и может применяться в функциональной пленочной электронике, пьезотехнике и акустоэлектронике. Согласно способу используют брикетированную шихту из химического реактива оксида цинка, отожженную при температуре 1100°С в течение 20 часов, которую подвергают гидротермальной перекристаллизации из раствора едкого калия с добавлением ионов лития в герметичных сосудах из коррозионно-стойкого материала на ориентированные параллельно моноэдрическим граням (0001) затравочные пластины, вырезанные из предварительно выращенных гидротермальных кристаллов оксида цинка. Изобретение обеспечивает получение высококачественных кристаллов оксида цинка в промышленных масштабах. 1 пр.

2460830
патент выдан:
опубликован: 10.09.2012
ДЕТАЛЬ ИЗ ИСКУССТВЕННОГО КВАРЦА, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ВКЛЮЧАЮЩИЙ ЕЕ ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к технологии изготовления детали из искусственного кварца для применения в качестве оптического элемента для ArF-литографии, подлежащего облучению лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче. Деталь из искусственного кварца выращена гидротермальным синтезом и содержит алюминий в количестве 200 частей на миллиард (ppb) или менее и натрий в количестве 100 ppb или менее. Технический результат изобретения заключается в создании детали из искусственного кварца с подавленной способностью претерпевать снижение пропускания в области длин волн лазерного света, которое вызывается длительным облучением лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче, таким как ArF-эксимерный лазерный свет. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

2441840
патент выдан:
опубликован: 10.02.2012
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к технологии выращивания оптических кристаллов, в частности монокристаллов кварца, используемого в радиоэлектронике, оптоэлектронике и оптике. Способ выращивания монокристаллов кварца в гидротермальных условиях в автоклаве путем перекристаллизации кварца из шихты на экранированные затравочные пластины, расположенные под углом к горизонтальной плоскости, при наличии температурного перепада между камерами роста и растворения, заключается в том, что перекристаллизацию ведут на затравочные пластины ZY ориентации, установленные радиально относительно вертикальной оси автоклава и под углом от 15 до менее 45° к горизонтальной плоскости, сторона затравочных пластин, направленная к камере роста, расположена выше, чем сторона пластин, направленная к оси автоклава, при этом экранируют верхние Z - поверхности и торцевые поверхности затравочных пластин. Изобретение позволяет выращивать монокристаллы высококачественного оптического кварца с повышенной скоростью. 3 ил.

2320788
патент выдан:
опубликован: 27.03.2008
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, которые могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники. Способ выращивания кристаллов оксида цинка в гидротермальных условиях заключается в перекристаллизации шихты из раствора едкого калия с добавлением ионов Li + в герметичных сосудах из коррозионно-стойкого материла на ориетированные параллельно моноэдрическим граням (0001) затравочные пластины, вырезанные из предварительно выращенных гидротермальных кристаллов оксида цинка, при этом в шихту дополнительно вводят нитрид галлия в количестве 0,01-0,5% от ее веса. Использование в шихте азотсодержащего вещества приводит к тому, что при захвате ионов азота решеткой в оксиде цинка возникает дырочная проводимость. Но этот захват осуществляется только при наличии ионов галлия, необходимых для попадания азота именно в решетку, а не в междоузлия, что обеспечивает кристаллам проводимость р-типа.

2320787
патент выдан:
опубликован: 27.03.2008
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ОБЪЕМНОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ГАЛЛИЙСОДЕРЖАЩЕГО НИТРИДА (ВАРИАНТЫ)

Данное изобретение относится к получению кристалла галлийсодержащего нитрида с помощью аммиачного метода. Одним из вариантов изобретения является способ получения кристалла галлийсодержащего нитрида, в котором галлийсодержащий исходный материал кристаллизуют, по меньшей мере, на одном зародыше кристаллизации в присутствии содержащего щелочной металл компонента в содержащем азот растворителе, находящемся в сверхкритическом состоянии. Другим вариантом является способ получения объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида в автоклаве, который содержит стадии (i) создания сверхкритического аммиачного раствора, содержащего ионы щелочного металла и галлий в растворенном виде, посредством введения галлийсодержащего исходного материала в сверхкритический аммиачный раствор, содержащий ионы щелочных металлов, в котором растворимость галлийсодержащего нитрида проявляет отрицательный температурный коэффициент в указанном сверхкритическом аммиачном растворе, и (ii) кристаллизации указанного галлийсодержащего нитрида избирательно на зародыше кристаллизации из указанного сверхкритического аммиачного раствора с помощью отрицательного температурного коэффициента растворимости. Предложено также устройство для получения монокристаллического галлийсодержащего нитрида, содержащее автоклав, имеющий внутреннее пространство и содержащий, по меньшей мере, одно средство для нагревания автоклава, по меньшей мере, в двух зонах, имеющих разные температуры, при этом автоклав содержит средство в виде горизонтальной перегородки или горизонтальных перегородок, которое разделяет внутреннее пространство на зону растворения и зону кристаллизации и в котором зона растворения расположена над горизонтальной перегородкой или горизонтальными перегородками, в то время как зона кристаллизации расположена под указанной горизонтальной перегородкой или горизонтальными перегородками. Расположение исходного материала в верхней зоне, а зародыша кристаллизации в нижней зоне автоклава при наличии отрицательного температурного коэффициента растворимости кристаллизуемого вещества является оптимальным для кристаллизации нитрида. Изобретение обеспечивает возможность получения кристаллов монокристаллического галлийсодержащего нитрида, имеющих очень высокое качество. 14 н. и 89 з.п. ф-лы, 16 ил.

2296189
патент выдан:
опубликован: 27.03.2007
ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к средствам для выращивания монокристаллов из раствора с использованием растворителя и применением давления, в частности монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку, и может быть использовано в химической промышленности. Сущность изобретения: Затравка для выращивания монокристалла кварца выполнена из пластины ZY-среза, ориентированной кристаллографической осью Х в горизонтальной плоскости, а одной из осей - в вертикальной плоскости и имеющей экран, который выполнен из материала, индифферентного к условиям гидротермального синтеза, при этом затравка выполнена в виде прямоугольной, незамкнутой с одной стороны рамки, при этом кристаллографическая ось Z рамки также расположена в горизонтальной плоскости, а кристаллографическая ось У - в вертикальной плоскости, причем ее сторона, противоположная незамкнутой части и параллельная оси У, с двух боковых сторон и с ее торца со стороны -X закрыта экраном (1 вариант). Затравка для выращивания монокристалла кварца представляет собой ориентированную кристаллографической осью Х в горизонтальной плоскости, а одной из осей - в вертикальной плоскости пластину ZY-среза, одна из сторон и торец которой со стороны +Х закрыты экраном, который выполнен из материала, индифферентного к условиям гидротермального синтеза. Кристаллографическая ось Z пластины также расположена в горизонтальной плоскости, а кристаллографическая ось У пластины - в вертикальной плоскости, вторая сторона пластины, расположенная вдоль кристаллографической оси Х, также закрыта экраном из индифферентного материала, причем экраны с обеих сторон пластины, ориентированных вдоль кристаллографической оси У, не доходят на одинаковое расстояние до краев пластины (2 вариант). Технический результат изобретения заключается в повышении однородности получаемого монокристалла и сокращении срока его роста по оси Z. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.

2261294
патент выдан:
опубликован: 27.09.2005
ДИАФРАГМА АВТОКЛАВА ДЛЯ ГИДРОТЕРМАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к средствам для выращивания кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада, в частности к конструкции диафрагм (перегородок) между зонами растворения шихты и роста кристаллов в автоклавах. Сущность изобретения: диафрагма состоит из двух расположенных один над другим и связанных между собой по вертикали металлических дисков, нижний из которых расположен на верхней границе зоны растворения шихты и имеет в центре отверстие, а верхний расположен на нижней границе зоны роста кристаллов и имеет отверстия, распределенные по всей поверхности, при этом диаметр отверстия в нижнем диске составляет 1-75% диаметра самого диска. Конструкция диафрагмы обеспечивает выход раствора из зоны шихты через центральное отверстие нижнего диска и достаточно длительное и интенсивное перемешивание его в зоне между дисками, образующими в совокупности разделяющую между зоной роста и зоной растворения шихты зону смешения потоков для циркуляции рабочего раствора между камерой растворения шихты и камерой роста, где оседают твердые макрочастицы, присутствующие в растворе и загрязняющие растущие монокристаллы, позволяет осуществлять хороший массообмен при небольшом перепаде температур, получить чистый раствор в зоне роста и выращивать кристаллы более высокого качества при более простой конструкции диафрагм. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

2248417
патент выдан:
опубликован: 20.03.2005
СПОСОБ СИНТЕЗА АЛМАЗА

Изобретение предназначено для электроники и может быть использовано при получении полупроводниковых и люминесцентных элементов с высокой оптической прозрачностью. В камеру помещают затравку алмаза и катализатор в виде, по крайней мере, одной водорастворимой соли, придающей среде щелочной характер. В качестве соли можно использовать NaCl, KCl, MgCl2, CaCl2, MnCl 2, FeCl3, CrCl3, TiCl3 , NH4Cl или К2СО3. Затем камеру частично заполняют водой, герметизируют, напускают окись углерода до давления 1-150 атм и нагревают до 180-450°С. Синтез проводят до полного растворения окиси углерода. В область камеры с более высокой температурой можно дополнительно поместить мелкодисперсный углерод и напустить двуокись углерода. В этом случае затравку алмаза помещают в область камеры с меньшей температурой. В водную среду можно дополнительно ввести химические вещества, в состав которых входят легирующие алмаз примеси. Изобретение позволяет получить алмаз, кристаллическая решетка которого не содержит примесей графита и водорода, простым способом, уменьшить энергетические затраты. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

2243153
патент выдан:
опубликован: 27.12.2004
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИСКУССТВЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к производству искусственных кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада. Сущность изобретения заключается в способе получения искусственных кристаллов кварца, включающем предварительную гидротермальную обработку автоклава и выращивание кристаллов в гидротермальных условиях методом температурного перепада перекристаллизацией кварцевой шихты на вертикально ориентированную затравку ZY-среза из водно-щелочного раствора с добавлением нитрата лития LiNO3 концентрацией 0,01-0,02 моль/л. При этом в качестве водно-щелочного раствора используют раствор Na2CO3 и/или NaOH. Технический результат, который достигается при реализации изобретения, заключается в улучшении качества полученных искусственных кристаллов за счет уменьшения концентрации твердых включений. 1 з.п.ф-лы, 1 ил., 3 табл.

2236489
патент выдан:
опубликован: 20.09.2004
ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА

Изобретение относится к средствам выращивания кристаллов из растворов, в частности кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада, и может использоваться для выращивания крупных кристаллов. Сущность изобретения: затравка для выращивания монокристалла кварца содержит размещенные встык в одной плоскости так, что направления их кристаллографических осей совпадают, базовые затравки и наложенные на места стыка с двух сторон базовых затравок кварцевые держатели, выполненные в виде прямоугольной скобы, охватывающей базовые затравки по их толщине. При этом базовые затравки имеют одинаковые срезы - ZY или ZХ либо XY, а плоскости контакта их в местах стыка параллельны оси Х или Y или Z. Выполнение кварцевых держателей в виде прямоугольной скобы, охватывающей базовые затравки по их толщине, обеспечивает надежную фиксацию базовых затравок в заданной ориентации их друг относительно друга и позволяет повысить качество выращиваемого монокристалла за счет уменьшения числа дислокаций на стыках базовых затравок. 6 з.п.ф-лы, 1 ил.
2215069
патент выдан:
опубликован: 27.10.2003
ГИДРОТЕРМАЛЬНЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из водных растворов и промышленно применимо при синтезе оптических и пьезоэлектрических монокристаллов кварца для радиоэлектронной, оптоэлектронной и оптической техники. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из водного раствора фтористого натрия, который берут в количестве от 0,001 до 0,08 г/л при 320-380oС, давлении 200-3000 кг/см2 и температурном перепаде в растворе 1,5-30oС, вследствие чего образование коллоидно-дисперсных макрокомплексов становится невыгодным из-за высоких антикоагуляционных свойств фтористого натрия в гидротермальных условиях. В изобретении решена техническая задача повышения оптических и пьезоэлектрических свойств кристаллов кварца за счет снижения содержания твердых включений. 10 з.п.ф-лы, 2 ил.
2213168
патент выдан:
опубликован: 27.09.2003
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЦВЕТНЫХ РАЗНОВИДНОСТЕЙ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к области выращивания в гидротермальных условиях методом температурного перепада кварца и его разновидностей, использующихся в ювелирной промышленности в качестве полудрагоценных камней. Сущность изобретения: в способе выращивания цветных разновидностей кристаллов кварца гидротермальным методом, включающем ввод автоклава в ростовой режим, осуществляя его нагрев при условии гидротермального травления затравочных пластин и рост кристаллов на эти затравочные пластины при температуре кристаллизации 300-315oС в автоклаве с температурным перепадом между зонами роста и растворения, на этапе ввода автоклава в ростовой режим нагрев и гидротермальное травление затравочных пластин проводят до температуры на 10-20oС выше температуры кристаллизации, после чего осуществляют снижение температуры от установившейся в автоклаве до ростовой со скоростью 1,5-2,0oС/сут с одновременным увеличением температурного перепада от нулевого значения до ростового со скоростью 3-5oС/сут при соблюдении в этом случае постоянными средней температуры и давления. Изобретение позволяет повысить качество получаемых цветных разновидностей кристаллов кварца. 1 табл.
2209859
патент выдан:
опубликован: 10.08.2003
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3). Сущность изобретения: рассматриваются способ и устройство для гидротермального выращивания кристаллов в сосуде под давлением, содержащем питание кристаллов, погруженное в минерализующий раствор. Устройство размещается в сосуде под давлением выше минерализующего раствора. Устройство включает ограничительный кожух, имеющий противоположные главные стенки с проходящими через них каналами. Ограничительный кожух полностью окружает затравочную пластину, имеющую противоположные главные поверхности. Удерживающее устройство удерживает затравочную пластину в ограничительном кожухе так, что главные поверхности затравочной пластины отстоят с интервалом внутрь от главных стенок. Изобретение позволяет получить кристаллы, имеющие форму и размер, ведущие к эффективному промышленному использованию. 5 с. и 33 з.п. ф-лы, 8 ил.
2198968
патент выдан:
опубликован: 20.02.2003
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ЦИНКИТА

Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов цинкита, которые являются хорошими пьезоэлектриками, обладающими высоким коэффициентом электромеханической связи, и могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники. Сущность изобретения: в способе, включающем выращивание кристаллов цинкита в гидротермальных условиях из раствора КОН с добавлением ионов Li+ на ориентированные параллельно моноэдрическим граням (0001) затравочные пластины, вырезанные из предварительно выращенных гидротермальных кристаллов цинкита в герметичных сосудах из коррозионно-стойкого материала, затравочные пластины вырезаются из кристаллов цинкита, выращенных предварительно на затравках, поверхность которых ориентирована параллельно граням гексагональной призмы а процесс осуществляют в футеровках из титанового сплава или никеля с толщиной стенки 10-20 мм или в автоклавах из того же материала. Получают высококачественные кристаллы цинкита для технического использования при упрощении и удешевлении процесса их выращивания.
2198250
патент выдан:
опубликован: 10.02.2003
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности, гидротермальным методом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин с малым число дислокаций и за более короткое время. Сущность изобретения: затравку, выполненную в виде трехсторонней незамкнутой в направлениях области +Х рамки из базовой затравки ZY или ХY среза и перпендикулярных к ее краям дополнительных элементов помещают в автоклав, где гидротермальным способом при повышенных температуре и давлении наращивают монокристалл по меньшей мере до толщины 5-15 мм в направлении области +Х. Затем затравку извлекают из автоклава, вырезают из нее исходную часть базовой затравки со стороны области -Х таким образом, что при этом образуется двунаправленная трехсторонняя незамкнутая в направлениях областей +Х и -Х рамка при следующем соотношении высот оставшихся после удаления исходной базовой затравки дополнительных элементов: h= (1/4-1/2)h, где h - высота дополнительных элементов в направлениях областей соответственно +Х и -Х. Далее оставшуюся затравку снова помещают в автоклав и в тех же условиях выращивают монокристалл кварца до необходимых размеров. Изобретение позволяет получать малодислокационные кристаллы за более короткое время. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
2197570
патент выдан:
опубликован: 27.01.2003
ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, например, гидротермальным способом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов с малым числом дислокаций. Затравка для выращивания монокристалла кварца содержит во всех вариантах выполнения базовую затравку и дополнительные элементы, механически соединенные с ней под углом =90o, или 90o<<180 (I и II варианты), или под углом =180o (III вариант). При этом базовая затравка может иметь ZY или XY срез, а дополнительные элементы срез ZY или ZX либо YX для I варианта выполнения, YX или YZ либо ZX срез для II варианта, ZY или XY срез для III варианта или иметь двойниковые зоны для всех вариантов. Дополнительные элементы могут быть механически соединены с базовой затравкой встык или внахлест либо прикреплены к ней по два с боковых ее сторон по краям. Выполнение затравки составной в виде базовой затравки ZY или XY среза и дополнительных элементов с указанными выше срезами для трех вариантов и углами крепления позволяет независимо от размеров базовой затравки выращивать кристалл вдоль оси Х без ограничения по размерам (ограничение - только размерами автоклава), достаточным для промышленного применения, а также увеличивать по оси Y полезную бездислокационную зону в затравке. 3 с. и 35 з.п.ф-лы, 3 ил.
2195519
патент выдан:
опубликован: 27.12.2002
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОПТИЧЕСКОГО КАЛЬЦИТА

Использование: указанные кристаллы благодаря высокому двулучепреломлению широко применяются в качестве материала для поляризаторов света, лучеразводящих элементов, быстродействующих лазерных затворов и в других оптических устройствах. Сущность изобретения: монокристаллы оптического кальцита получают гидротермальным методом, включающим нагрев и перекристаллизацию карбоната кальция на затравки из смешанного раствора галогенида лития и галогенида аммония при наличии температурного перепада, в качестве затравок используют пластины кальцита, ориентированные параллельно грани пинакоида (0001), а соотношение концентраций галогенида лития и галогенида аммония в растворе соответственно (25): 1. Получают высококачественное оптическое, наиболее выгодное для изготовления оптических деталей кристаллосырье. 1 табл.
2194806
патент выдан:
опубликован: 20.12.2002
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к области выращивания кристаллов точечной группы 32. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из раствора с использованием затравочных кристаллов. Предлагается использовать затравочный кристалл, который имеет по меньшей мере два расположенных под углом друг к другу стержневидных или пластинчатых участка, которые охватывают основную область роста кристалла и в выращенном монокристалле расположены эксцентрически. Сходящиеся грани двух участков затравочного кристалла, выбранные для выращивания кристалла, образуют между собой угол, меньший 180o. Получают высокосортные с точки зрения качества структуры кристаллы больших размеров из ортофосфата металла, в частности GaPO4 или AlPO4. 10 з.п.ф-лы, 9 ил., 2 табл.
2194100
патент выдан:
опубликован: 10.12.2002
ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности гидротермальным способом, и может использоваться при изготовлении затравочных пластин большого размера. Сущность изобретения: затравка в первом варианте выполнения содержит базовую затравку-основание ZY или XY среза, механически прикрепленные перпендикулярно к ее краям дополнительные элементы - боковые стороны, длина которых L связана с длиной l базовой затравки-основания соотношением L=ltg60o-h, где h - размер базовой затравки-основания по оси X. Затравка во втором варианте выполнения содержит базовую затравку-основание ZY или XY среза и механически прикрепленные к ее краям под прямым углом дополнительные элементы - боковые стороны, направленные в область +Х, и дополнительные элементы - боковые стороны, направленные в область -X. Соотношение размеров следующее: длина дополнительных элементов - боковых сторон в направлении области +Х составляет от 1/4 до 1/2 L, в направлении области -X - от 1/2 до 3/4 L, а длина l базовой затравки-основания связана с суммарной длиной L дополнительных элементов - боковых сторон в направлении +Х и -X соотношением L=ltg60o-h, где h - размер базовой затравки по оси X. В третьем варианте затравка выполнена монолитной из базовой затравки, дополнительных элементов в области +Х и дополнительного элемента, являющегося продолжением одного из дополнительных элементов в область -X. Изобретение позволяет увеличить размеры затравки по оси Y. 3 с. и 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
2193078
патент выдан:
опубликован: 20.11.2002
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО КВАРЦА

Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике. Сущность изобретения: в способе выращивания кристаллов синтетического кварца гидротермальным методом, включающем перекристаллизацию кварцевой шихты на стержневые затравки при наличии температурного перепада между камерой роста и растворения, используют стержневые затравки, ориентированные своей длиной вдоль кристаллографического направления причем боковые стороны стержневых затравок оконтурены либо четырьмя гранями основного отрицательного ромбоэдра либо двумя гранями положительной и отрицательной тригональной призмы и двумя гранями второго ромбоэдра или имеют цилиндрическую форму, а также стержневые затравки изготовлены из малодислокационных или бездислокационных областей предварительно выращенных r/r-кристаллов. Изобретение позволяет снизить плотность ростовых дислокаций или получить полностью бездислокациионные кристаллы синтетического кварца. 1 з. п. ф-лы, 8 ил.
2186885
патент выдан:
опубликован: 10.08.2002
ГИДРОТЕРМАЛЬНЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРУПНОРАЗМЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ ОРТОФОСФАТОВ АЛЮМИНИЯ ИЛИ ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к технологии выращивания металлортофосфатов, в частности AlPO4 и GaPO4, которые могут быть использованы в пьезотехнике, а именно в резонаторах и фильтрах различного назначения. Изобретение позволяет получать крупноразмерные кристаллы ортофосфатов металлов, свободные от дефектов. Сущность изобретения: способ включает эпитаксию на кварцевую затравку базисной ориентации из насыщенного ионами соответствующих металлов фосфорнокислого раствора в присутствии добавки Li+ в количестве 0,05-10,0 вес. %, при повышении температуры и постоянном температурном перепаде, изготовление из полученного слоя затравочной пластины и перекристаллизацию на нее соответствующей получаемому кристаллу шихты из сернокислых, фосфорнокислых или их смеси растворов при постоянном температурном перепаде. 1 табл.
2186884
патент выдан:
опубликован: 10.08.2002
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КВАРЦА

Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков. Сущность изобретения: выращивание кристаллического кварца осуществляют в гидротермальных условиях из натрийсодержащих растворов на затравки, параллельные плоскости основного отрицательного ромбоэдра r, где размеры проекций затравки по оси Y на r-плоскость Y превышают размеры затравки по оси Х, а наращивание кристалла происходит на обе стороны от ребер затравки вдоль положительного и отрицательного направлений оси Х гранями острейших ромбоэдров и отрицательных тригональных трапецоэдров, причем проводят предварительное последовательное разращивание затравок rY"-ориентации. Изобретение позволяет получить заготовки АТ-среза диаметром от трех до пяти дюймов без фрагментов затравки. 1 з.п.ф-лы, 5 ил.
2181796
патент выдан:
опубликован: 27.04.2002
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности. Сущность изобретения: монокристаллы кварца выращивают гидротермальным методом из щелочных растворов перекристаллизацией кварцевой шихты из шихтового контейнера на горизонтально расположенные экранированные затравочные пластины при наличии температурного перепада между камерой роста и растворения, при этом используют многосекционный шихтовой контейнер с перфорированными перегородками по высоте, каждая из которых является дном следующей секции, а рост осуществляют при экранировании верхней и торцевых поверхностей затравочной пластины с прокладкой из стальной фольги между экраном и затравочной пластиной, где в начале ростового цикла проводят стравливание раствора на 25-40 МПа при неизменной температуре синтеза, а после завершения процесса выращивания проводят охлаждение автоклава с темпом 8-10oС/ч до температуры 270oС и давления 10 МПа, после чего производят окончательное стравливание раствора при том же темпе охлаждения до температуры 120oС, по достижению которой отключают электропитание нагревателей автоклава. Техническим результатом изобретения является получение высококачественного оптического кварца. 1 табл.
2180368
патент выдан:
опубликован: 10.03.2002
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКРАШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к технологии получения окрашенных кристаллов кварца и может быть использовано в ювелирной промышленности. Сущность изобретения: способ осуществляется в гидротермальных условиях, методом температурного перепада, перекристаллизацией кварцевой шихты на затравку из водного раствора карбоната натрия в присутствии в растворе кобальтсодержащего соединения и алюминия при следующем содержании элементов: Со (0,1-0,2)10-3 г/л, Аl (3,0-6,0)10-3 г/л с последующим ионизирующим облучением. Изобретение позволяет выращивать окрашенные кристаллы кварца по цвету, близкому к "сапфиру". 1 табл.
2178019
патент выдан:
опубликован: 10.01.2002
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: при высоких избыточных давлениях порошок SiC или другой исходный материал растворяют в растворителе и наращивают на затравочном кристалле. Способ позволяет изготавливать объемные монокристаллы карбида кремния. 12 з.п.ф-лы.
2157864
патент выдан:
опубликован: 20.10.2000
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МЕЛКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО НЕЛЕГИРОВАННОГО И ЛЕГИРОВАННОГО ИТТРИЙ-АЛЮМИНИЕВОГО ГРАНАТА

Изобретение относится к синтезу неорганических металлов и используется для получения шихты для выращивания монокристаллов ИАГ, применяемых в качестве активных сред в твердотельных лазерах, а такие при изготовлении высокотемпературной керамики. Сущность изобретения: гидротермальную обработку стенеометрической смеси оксидов иттрия и алюминия проводят в 1 - 3%-ных водных растворах активаторов, в качестве которых используют соли щелочных металлов и аммония предельных органических кислот (C1-C3), при 270 - 360oC и РН2О = 56 - 190 атм. Легированный ИАГ получают путем введения в исходную смесь оксидов добавок неодим- или хромсодержащих компонентов. Изобретение позволяет повысить выход данного продукта. Экологичность способа синтеза и чистота получаемых кристаллов обусловлены одностадийностью процесса и герметичностью автоклава. 2 з.п.ф-лы, 1 табл.
2137867
патент выдан:
опубликован: 20.09.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЦИТРИНА

Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов цитрина с различными оттенками, используемых в качестве полудрагоценных камней в ювелирной промышленности. Сущность изобретения: цитрин получают в гидротермальных условиях из водного раствора карбоната калия в присутствии ионов железа и азотнокислого лития с добавкой оксида кобальта, содержащего трехвалентный кобальт, при температуре 300-350oС и давлении 400-1500 атм, на ориентированные затравки, при этом в раствор вводят дополнительно азотнокислый марганец (Мn(NО3)2-6Н2O) в количестве 0,7-1,2 г/л. Получают высококачественное кварцевое ограночное сырье с оптической плотностью окраски более 1,0 см-1, с красноватым оттенком сорта (Мадера), аналогично природному цитрину. 1 табл.
2136790
патент выдан:
опубликован: 10.09.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКОГО ОПАЛА

Может быть использовано в производстве искусственных ювелирно-ограночных материалов. Сущность изобретения: синтетический опал получают путем выращивания в гидротермальных условиях при температуре 280-300oC и давлении 20-39 МПа с последующей резкой кристаллов на заготовки, их механической обработкой и полировкой и термообработкой заготовок в засыпке из песка при 500-590oC. 1 табл.
2132414
патент выдан:
опубликован: 27.06.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЦИНТИЛЛЯЦИОННОГО МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров. Предложен способ получения сцинтилляторов, эффективно работающих в потоках активированной жидкости, на основе гидротермального синтеза кристаллов. Технический результат - получение кристаллов с эффективной люминесценцией, хорошо обтекаемой формой и стойкими химическими свойствами. Синтез ведут из раствора КОН концентрацией 3-40 мас.% с использованием смесей оксидов иттрия, кремния и тербия в соотношениях 1 : 1,2 : 0,4 моль. 2 ил.
2126062
патент выдан:
опубликован: 10.02.1999
Наверх