Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов: ..с использованием водных растворителей – C30B 7/04
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОАЛМАЗОВ
Изобретение относится к технологии получения наноалмазов, имеющих большое промышленное значение в электронике в качестве высокотемпературных полупроводников, высокочувствительных счетчиков в сложных дозиметрических установках с мощным твердотельным лазером и т.д. Наноалмазы получают путем кристаллизации из водного раствора спирта (этилового или метилового), при этом для стабилизации процесса формирования наноалмазов спирт смешивают с аминокислотами, в полученную смесь дополнительно вводят, по крайней мере, один щелочной металл (литий или калий) для связывания свободных атомов водорода, выделяющихся в процессе разложения спирта, и процесс кристаллизации осуществляют в закрытой камере при температуре 400-700°С в течение 4-120 часов. Технический результат изобретения заключается в упрощении способа получения наноалмазов в сочетании с низкой стоимостью их получения. 3 з.п. ф-лы. |
2396377 патент выдан: опубликован: 10.08.2010 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКОГО МАЛАХИТА
Изобретение относится к изготовлению искусственно выращенных камней и может быть использовано в ювелирной промышленности и ювелирно-прикладном искусстве. Способ получения синтетического малахита заключается в том, что готовят исходный рабочий раствор путем растворения основной углекислой меди в растворе карбоната аммония, содержащем избыточную мольную концентрацию аммиака по отношению к мольному содержанию углекислоты. Объем исходного рабочего раствора разделяют на две части перегородкой, проницаемой для жидкой и газовой фазы, причем в верхней части находится зона растворения, куда помещают твердую основную углекислую медь, а в нижней части находится зона кристаллизации, куда предварительно устанавливают металлические или полимерные элементы будущих изделий и где осуществляют последующее выпаривание раствора при температуре 40-95°С. После выпаривания конденсируют образующуюся парогазовую смесь, а полученный конденсат в виде водного раствора карбоната аммония возвращают в зону растворения для осаждения из упаренного раствора кристаллов синтетического малахита на поверхности металлических или полимерных элементов, установленных в зоне кристаллизации. В зоне растворения поддерживают температуру на 20-30°С ниже, чем в зоне кристаллизации. Концентрацию меди (II) в исходном рабочем растворе устанавливают равной 45-60 г/л. Техническим результатом изобретения является улучшение художественно-декоративных характеристик синтетического малахита, заключающихся в получении малахита с любыми разновидностями текстуры, прежде всего, почковидной и плисовой текстуры с разнообразной цветовой гаммой материала и узором, заранее задаваемыми художниками-дизайнерами для изготовления будущих изделий. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл. |
2308554 патент выдан: опубликован: 20.10.2007 |
|
| СПОСОБ СИНТЕЗА АЛМАЗА Применение: электроника, получение искусственных монокристаллов алмаза с заранее заданными физическими свойствами. Сущность изобретения: способ синтеза алмаза основан на разложении карбида кремния в водной среде, в которую вводят, по крайней мере, один, растворимый хлорид магния, кальция, хрома или железа. Процесс разложения карбида кремния ведут в интервале температур 200 - 350oС. В водную среду могут быть дополнительно введены растворимые химические вещества, в состав которых входят легирующие алмаз примеси. Технический результат заключается в создании простого и дешевого способа синтеза монокристаллов алмаза с малым количеством дефектов в кристаллической решетке, а также возможность легирования таких алмазов примесями с целью получения необходимых физических свойств. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл. | 2181795 патент выдан: опубликован: 27.04.2002 |
|
| СПОСОБ СИНТЕЗА АЛМАЗА Изобретение может быть использовано в электронике для получения искусственных монокристаллов алмаза с заранее заданными физическими свойствами. Сущность изобретения: способ синтеза алмаза основан на разложении водорастворимых соединений углерода в водном растворе, по крайней мере, одной кислоты или одного основания в интервале рН среды от 0 до 13 и интервале температур от 20oС до температуры кипения раствора. Для ускорения разложения соединений углерода и, следовательно, увеличения скорости роста алмазов, в водный раствор вводят катализаторы процесса разложения. В водный раствор также могут быть дополнительно введены растворимые химические вещества, в состав которых входят легирующие алмаз примеси. Технический результат: создание простого и дешевого способа синтеза монокристаллов алмаза с малым количеством дефектов в кристаллической решетке, а также возможность легирования таких алмазов примесями с целью получения необходимых физических свойств. 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл. | 2181794 патент выдан: опубликован: 27.04.2002 |
|
| СПОСОБ СИНТЕЗА АЛМАЗА Изобретение может быть использовано в электронике, для получения искусственных монокристаллов алмаза с заранее заданными физическими свойствами. Способ синтеза алмаза основан на введении мелкодисперсного углерода в водную среду, в которую вводят до рН в интервале от 0 до 13, по крайней мере, либо одну кислоту, либо одно растворимое в воде химическое вещество из ряда окислов, оснований, сульфатов, хлоридов, карбонатов и нитратов металлов, присутствующих в кимберлитовых трубах, и процесс ведут в интервале температур от 20 до 200oС. В водную среду также могут быть дополнительно введены растворимые химические вещества, в состав которых входят легирующие алмаз примеси. Технический результат: создание простого и дешевого способа синтеза монокристаллов алмаза с малым количеством дефектов в кристаллической решетке, а также возможность легирования таких алмазов примесями с целью получения необходимых физических свойств. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл. | 2181793 патент выдан: опубликован: 27.04.2002 |
|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ Используется для синтеза широкого класса высокочастотных материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике. Способ включает растворение исходного вещества в растворителе, создание пересыщения раствора и кристаллизацию. Растворимость исходных веществ составляет 1,5 - 3,0 г/дм3 при температурах 80 - 100oC, степень пересыщения 0,5 - 2,0 г/дм3 и переохлаждения 10 - 30oC. Отношение констант скоростей кристаллизации компонентов, входящих в состав кристаллизуемых соединений, не выше 15, а периоды индукции не более 1 мин. Разработан базовый экологически чистый, замкнутый, высокоэкономичный и практически безотходный способ, в котором процессы синтеза многокомпонентных соединений и их очистка совмещены. За один цикл термозонной кристаллизацией - синтезом (ТЗКС) очистка от примесей достигается до трех порядков и более. | 2160795 патент выдан: опубликован: 20.12.2000 |
|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: при высоких избыточных давлениях порошок SiC или другой исходный материал растворяют в растворителе и наращивают на затравочном кристалле. Способ позволяет изготавливать объемные монокристаллы карбида кремния. 12 з.п.ф-лы. | 2157864 патент выдан: опубликован: 20.10.2000 |
|
КРИСТАЛЛОГИДРАТЫ ПОЛИСИЛИКАТА НАТРИЯ И СПОСОБ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ
Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции. Задачей изобретения является получение водорастворимых кристаллогидратов с широким температурным диапазонам использования в качестве гелеобразующего компонента. Техническая задача решается новым химическим соединением, представляющим собой кристаллогидраты полисиликата натрия формулы Na2O (4-6)SiO2(8-10)H2O в качестве гелеобразующего компонента, а также способом его получения. Кристаллогидраты полисиликата натрия указанной формулы получают путем введения при перемешивании в 20-30 мас.% водный раствор силиката натрия 10-16 мас.% гидрозоля диоксида кремния при 70 - 100oC, который берут в соотношении 1: (1: 1,5) соответственно, выдерживают при данной температуре не более 0,5 ч, а затем удаляют влагу до содержания 25,4-35,9 мас.%. Изобретение позволяет получить водорастворимые кристаллогидраты с широким диапазонам использования в качестве гелеобразующего компонента и материалы с высокими физико-механическими свойствами. 2 с.п.ф-лы, 5 табл.
|
2118642 патент выдан: опубликован: 10.09.1998 |
|