Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой: ..в газовой среде или плазме – C30B 33/12

Изобретение может быть использовано для высококачественной очистки природных алмазов от поверхностных загрязнений и удаления инородных примесей. Способ включает постадийную обработку алмазов в автоклаве при повышенной температуре и давлении, в том числе стадию очистки смесью азотной кислоты и перекиси водорода и стадию очистки смесью концентрированных азотной, соляной и фтористоводородной кислот под воздействием микроволнового излучения. После стадии очистки смесью азотной кислоты и перекиси водорода проводят обработку под воздействием микроволнового излучения соляной кислотой в газовой фазе при температуре 215-280°С в течение 15-300 мин. По окончании очистки алмазы обрабатывают дистиллированной водой при температуре 160-280°С в течение 5-30 мин в автоклаве в жидкой фазе. На стадии очистки смесью азотной кислоты и перекиси водорода обработку ведут при объемном соотношении компонентов: азотной кислоты и перекиси водорода 4-10:1-3, соответственно, при температуре 215-280°С в течение 15-540 мин в жидкой фазе в системе с внешним нагревом или в газовой фазе под воздействием микроволнового излучения. На стадии очистки смесью концентрированных азотной, соляной и фтористоводородной кислот обработку под воздействием микроволнового излучения ведут при объемном соотношении компонентов: азотной, соляной и фтористоводородной кислот 1-6:1-6:1-3, соответственно, в газовой фазе при температуре 215-280°С в течение 15-300 мин. Изобретение позволяет повысить эффективность процесса очистки алмазов крупнее 4,0 мм при повышении производительности используемого оборудования. 2 з.п. ф-лы, 3 ил., 2 табл., 1 пр.

Изобретение может быть использовано для высококачественной очистки природных алмазов от поверхностных загрязнений и удаления инородных примесей. Способ включает постадийную обработку алмазов в автоклаве при повышенной температуре и давлении под воздействием микроволнового излучения: на первой стадии - смесью азотной кислоты и перекиси водорода, на второй - смесью концентрированных азотной, соляной и фтористоводородной кислот. Обработку на первой и второй стадиях ведут в газовой фазе кислот при заполнении автоклава 45-55%, азотную кислоту и перекись водорода для первой стадии берут в объемном соотношении 4:1 соответственно и проводят обработку при температуре 215-250°С в течение 15-60 мин. Азотную, соляную и фтористоводородную кислоты для второй стадии берут в объемном соотношении 5:4:1 соответственно и обработку проводят при той же температуре в течение 15-150 мин, после чего на третьей стадии ведут обработку 5%-ным раствором соляной кислоты в течение 5-15 мин при температуре не более 160°С. Изобретение позволяет повысить эффективность процесса очистки алмазов при повышении производительности используемого оборудования и снижении расхода реагентов.

Изобретение относится к технологии получения алмаза для использования в электронике. Сущность изобретения: монокристаллический алмаз получают путем химического осаждения из газовой фазы на алмазную подложку с поверхностью, практически не имеющей дефектов кристаллической решетки, в потоке газа-носителя в атмосфере, содержащей азот в концентрации менее 300 част. на млрд. Полученный алмаз является химически высокочистым, практически не содержит дефектов кристаллической решетки и обладает величинами электронных характеристик, существенно большими, чем у самых высококачественных природных алмазов. 5 н. и 27 з.п. ф-лы, 1 табл., 8 ил.

Изобретение относится к технологии получения алмазных слоев. Сущность изобретения: химическим осаждением из газовой фазы получен слой монокристаллического алмаза (ХОГ-алмаз), имеющий толщину более 2 мм. Способ включает гомоэпитаксиальный рост слоя алмаза на поверхности подложки с низким уровнем дефектов в атмосфере, содержащей азот в концентрации менее 300 млрд ч. азота. Полученные слои алмаза большой толщины имеют высокое качество и из них могут быть изготовлены драгоценные камни. 4 н. и 32 з.п. ф-лы, 10 ил., 1 табл.