ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой: .соединение кристаллов – C30B 33/06

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 33/00 Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой
C30B 33/06 .соединение кристаллов

Патенты в данной категории

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛАСТИНЫ КОМБИНИРОВАННОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО И МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛМАЗА

Изобретение относится к технологии химического осаждения из газовой фазы алмазных пленок и может быть использовано, например, для получения алмазных подложек, в которых монокристаллический и поликристаллический алмаз образует единую пластину, используемую в технологии создания электронных приборов на алмазе или применяемую в рентгеновских монохроматорах, где необходимо осуществить теплоотвод от монокристаллического алмаза. Получение пластин монокристаллического и поликристаллического алмаза большой площади включает в себя расположение, не соприкасаясь друг с другом, монокристаллов-затравок с ориентацией поверхности (100) на подложкодержателе, создание центров нуклеации на поверхности подложкодержателя, свободной от монокристаллов-затравок, одновременное осаждение CVD методом эпитаксиального слоя на поверхности монокристаллов-затравок и поликристаллической алмазной пленки на остальной поверхности подложкодержателя. В результате химического осаждения из газовой фазы алмаза происходит сращивание монокристаллического и поликристаллического алмаза по боковой поверхности монокристаллов-затравок с образованием алмазной пластины большой площади, содержащей срощенные вместе монокристаллический и поликристаллический алмаз. Для получения плоскопараллельной пластины CVD алмаза выращенную комбинированную алмазную подложку шлифуют с обеих сторон. Изобретение обеспечивает получение пластин монокристаллического и поликристаллического CVD алмаза большой площади (диаметром более 75 мм и толщиной 200-300 мкм), имеющих общую гладкую внешнюю поверхность. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

2489532
патент выдан:
опубликован: 10.08.2013
СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ

Изобретение относится к области изготовления деталей для оптических, акустоэлектронных и лазерных устройств, где в качестве активных и пассивных материалов используются тугоплавкие оксиды, преимущественно, двух-, трех- и четырехвалентных металлов, как в форме простых оксидов, так и сложных соединений. Способ соединения деталей из тугоплавких оксидов включает полировку соединяемых поверхностей, их совмещение и нагрев. По крайней мере, на одну из полированных соединяемых поверхностей наносят слой материала, образующего твердый раствор, по крайней мере, с одним из материалов соединяемых деталей. Температура плавления твердого раствора ниже температуры плавления каждого из материалов соединяемых деталей. После этого совмещенные детали отжигают при температуре выше температуры образования твердого раствора. Изобретение позволяет соединить детали из тугоплавких оксидов, снизить потери на рассеивание оптического излучения, тепла, и звука за счет размытия оптической границы. 9 з.п. ф-лы.

2477342
патент выдан:
опубликован: 10.03.2013
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения монокристаллического SiC, который может быть использован в качестве пластины-подложки для светодиода, рентгеновского оптического прибора высокотемпературного электронного элемента, силового прибора и т.д. Два комплекса М, а каждом из которых поликристаллическая пленка 2-SiC (или - SiC) выращивается на поверхности монокристаллической -SiC подложки 1 термохимическим осаждением, и поверхность 2а поликристаллической пленки 2 полируют так, чтобы гладкость имела шероховатость поверхности со среднеквадратическим отклонением 200 или менее, предпочтительно со среднеквадратическим отклонением от 100 до 50 , подвергают термообработке в состоянии, при котором комплексы плотно скреплены друг с другом отшлифованными поверхностями 2 а" при высокой температуре 2000oC или выше и в атмосфере давления насыщенных паров SiC, посредством чего поликристаллические пленки 2 комплексов М перекристаллизовываются с ростом монокристалла, который интегрируется с монокристаллическими -SiC подложками 1. Монокристалл SiC большего размера, в котором отсутствуют примеси, микротрубочные дефекты и т.п. и который имеет высокое качество, может быть получен с высокой продуктивностью. 2 с. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил.
2154698
патент выдан:
опубликован: 20.08.2000
СПОСОБ ИОННО, ИОНИЗАЦИОННО, ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОГО ТВЕРДОФАЗНОГО ОБЪЕМНОГО СРАЩИВАНИЯ И ОБЛАГОРАЖИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ДИФФУЗИОННОЙ СВАРКОЙ

Изобретение относится к диффузионной сварке кристаллов и может быть применено при сращивании и облагораживании различных кристаллов для радиоэлектронной промышленности, в ювелирном деле, в оптике и других отраслях. Кристаллы помещают в вакуумную камеру. Создают разряжение. Осуществляют ионное внедрение в контактные поверхности и на заданную глубину. Прилагают давление путем трехосного регулируемого нагружения и нагревают с одновременным воздействием электронными пучками. При ионном внедрении разных элементов получают в теле кристалла на разных уровнях и с разными возможностями после облучения электронными пучками новые центры окраски. В процессе сварки осуществляют воздействие электронными пучками до получения заданной окраски кристалла. Технический результат заключается в получении кристаллов, сваренных из по крайней мере двух частей без границы их разделения, т.е. оптической чистоты, различных цветовых оттенков. 3 з.п.ф-лы.
2145366
патент выдан:
опубликован: 10.02.2000
СПОСОБ СРАЩИВАНИЯ И ПОЛИРОВКИ ОПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение может быть использовано в области оптического приборостроения в технологических лазерных установках, детекторах ядерных ионизирующих излучений. Сущность изобретения состоит в том, что способ сращивания и полировки кристаллов включает шлифовку и химическую обработку сопрягаемых поверхностей, их совмещение, нагрев до температуры 0,2-0,90 температуры плавления, сжатие при всестороннем давлении 0,2-2,0 предела текучести до локального пластического деформирования в приповерхностных слоях в местах сопряжения. Сжатие осуществляют в пресс-форме, внутренние стенки которой обработаны до 14 класса чистоты. После чего производят изотермическую выдержку и охлаждение. Сопрягаемые поверхности могут выполняться выпуклыми. Изобретение способствует удешевлению технологии и сокращению времени процесса при сохранении высокооптической прозрачности и механической прочности границ сращивания. 1 з.п.ф-лы, 1 табл.
2135649
патент выдан:
опубликован: 27.08.1999
Наверх