Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ..карбиды – C30B 29/36

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
C30B 29/36 ..карбиды

Патенты в данной категории

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности в качестве материала для радиопоглощающих покрытий, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей. Карбид кремния получают перемещением ленты углеродной фольги в горизонтальной плоскости с подачей к ее поверхности расплавленного кремния, при этом процесс проводят в динамическом вакууме, а скорость перемещения ленты задают в пределах 0,5-3,0 м/мин, в результате чего формируются микрокристаллы полупроводникового карбида кремния кубической структуры в форме самосвязанного слоя. Эти кристаллы связываются тонкими прослойками избыточного кремния, поступающего из питателя. После извлечения ленты с выращенным слоем ее нарезают на мерные полосы, размещают их в печи и нагревают на воздухе до температуры 1050°C в течение 8 часов. В результате этой операции удаляется подложка из углеродной фольги, а прослойки кремния, связывающие кристаллы SiC, превращаются в его двуокись, электрически взаимно изолирующие эти кристаллы, что позволяет использовать подобный материал при повышенных температурах. 2 ил., 7 пр.

2520480
патент выдан:
опубликован: 27.06.2014
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БОЛЬШИХ ОДНОРОДНЫХ КРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЦЕССОВ ВОЗГОНКИ И КОНДЕНСАЦИИ

Изобретение может быть использовано в изготовлении полупроводниковых материалов. Способ получения монолитных кристаллов карбида кремния включает i) помещение смеси, содержащей крошку поликристаллического кремния и порошок углерода, на дно цилиндрической реакционной камеры, имеющей крышку; ii) герметизацию цилиндрической реакционной камеры; iii) помещение цилиндрической реакционной камеры в вакуумную печь; iv) откачивание из печи воздуха; v) заполнение печи смесью газов, которые по существу являются инертными газами, до приблизительно атмосферного давления; vi) нагревание цилиндрической реакционной камеры в печи до температуры от 1975 до 2500°С; vii) снижение давления в цилиндрической реакционной камере до менее 50 Торр, но не менее 0,05 Торр; и viii) осуществление сублимации и конденсации паров на внутренней части крышки цилиндрической реакционной камеры. Изобретение позволяет получить большие кристаллы карбида кремния, создать воспроизводимый способ выращивания кристаллов с высокой степенью чистоты. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 2 пр., 2 табл.

2495163
патент выдан:
опубликован: 10.10.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC сублимацией источника SiC на затравочный монокристалл SiC предусматривает предварительное травление поверхности затравочного монокристалла SiC в процессе подъема температуры в ростовой ячейке. Травление поверхности затравочного кристалла SiC проводят сублимированным AlN, располагая между затравочным кристаллом и источником SiC источник AlN, например, в виде порошка AlN, размещенного в кювете, закрепленной в ростовой ячейке на держателе напротив затравочного кристалла или в виде пластины со слоем AlN, закрепленной на стенке ростовой ячейки напротив затравочного кристалла. Количество размещаемого в ростовой ячейке AlN определяют из расчета М=3 nR (H2+r2), где М - количество размещаемого в ростовой ячейке A1N, г, n=0,5 2,0 - параметр статистического разброса, R - глубина нарушенного слоя затравочного кристалла, см, р=3,2 - плотность монокристалла SiC, г/см3, Н - расстояние "затравочный кристалл - источник AlN", см, r - радиус затравочного кристалла, см. Способ позволяет упростить и удешевить технологию получения монокристаллического SiC, а также увеличить срок службы ростовой ячейки. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл., 1 пр.

2454491
патент выдан:
опубликован: 27.06.2012
СПОСОБ ОДНОВРЕМЕННОГО ПОЛУЧЕНИЯ НЕСКОЛЬКИХ ОГРАНЕННЫХ ДРАГОЦЕННЫХ КАМНЕЙ ИЗ СИНТЕТИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ - МУАССАНИТА

Изобретение относится к выращиванию и обработке монокристаллов синтетического карбида кремния - муассанита, который может быть использован для электронной промышленности, ювелирного производства, а также в качестве стекла или корпуса для часов. Способ включает одновременное выращивание множества заготовок кристаллов муассанита в сотовой форме формирующего графита, их разделение на отдельные кристаллы, огранку, шлифовку и полировку. Перед огранкой, шлифовкой и полировкой проводят операцию по наклейке заготовок на оправку, а затем по переклейке заготовок на их обратную сторону. Полировку проводят путем полирования муассанита на керамическом круге, вращающемся со скоростью от 200 до 300 об/мин, с использованием алмазного порошка (спрея) с размером зерна от 0,125 до 0,45 мкм, обеспечивая глубину рисок меньшую, чем длина световой волны видимой части спектра, при этом обрезанные и сколотые края и заготовки с дефектами, непригодные для огранки, размельчают и возвращают на стадию выращивания. Для шлифовки может быть использована шлифовальная паста с размером зерна 0,25 мкм. Технический результат изобретения заключается в повышении качества кристаллов, а также увеличении производительности за счет исключения операции резки, получая при выращивании заготовки, и, как следствие, снижении затрат на производство и потерь материала при резке. 1 з.п. ф-лы.

2434083
патент выдан:
опубликован: 20.11.2011
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку из затравочного монокристалла SiC, также размещенного в тигле на графитовом держателе с использованием переходного слоя. Этот слой содержит механическую смесь порошков углерода и карбида кремния в виде любых их модификаций, с добавлением связующего или без него. Его размещают между затравочным кристаллом и держателем, а поверхности затравочного кристалла и держателя затравки обработаны адгезивом. Переходный слой может состоять из нескольких подслоев различного состава, нанесенных последовательно. При нанесении переходного слоя используют суспензию порошков карбида кремния и углерода в виде графита или сажи, при этом в качестве дисперсионной среды для получения суспензии используют изопропиловый, или виниловый, или этиловый спирт. Технический результат предлагаемого способа заключается в снижении механических напряжений в затравке и, как следствие, улучшении качества целевого продукта. 6 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

2433213
патент выдан:
опубликован: 10.11.2011
КРИСТАЛЛ SiC ДИАМЕТРОМ 100 мм И СПОСОБ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ НА ВНЕОСЕВОЙ ЗАТРАВКЕ

Изобретение относится к полупроводниковым материалам и технологии их получения и может быть использовано в электронике. Полупроводниковый кристалл карбида кремния содержит монокристаллическую затравочную часть 21 и монокристаллическую выращенную часть 22 на указанной затравочной части 21, при этом затравочная 21 и выращенная 22 части образуют по существу правильный цилиндрический монокристалл карбида кремния 20, причем границу раздела между выращенной и затравочной частью определяет затравочная грань 23, которая по существу параллельна основаниям указанного правильного цилиндрического монокристалла 20 и имеет отклонение от оси на угол примерно 0,5°-12° относительно базовой плоскости 26 монокристалла 20, а указанная монокристаллическая выращенная часть воспроизводит политип указанной монокристаллической затравочной части и имеет диаметр, по меньшей мере, примерно 100 мм. Изобретение обеспечивает получение высококачественных (с малым содержанием дефектов) монокристаллов карбида кремния большого диаметра, из которых можно получать отдельные пластины с внеосевыми поверхностями в форме круга. 3 н. и 25 з.п. ф-лы, 7 ил.

2418891
патент выдан:
опубликован: 20.05.2011
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. В ростовой камере, снабженной теплоизоляцией, размещают параллельно одна напротив другой испаряющуюся поверхность поликристаллического карбида кремния и ростовую поверхность затравочного кристалла. Ростовую камеру нагревают. Одновременно с нагревом ростовой камеры затравочный кристалл охлаждают через пирометрическое отверстие в теплоизоляции ростовой камеры. В зоне роста создают поле рабочих температур с осевым градиентом в направлении от затравочного кристалла к источнику карбида кремния. Рост кристалла происходит за счет испарения поликристаллического карбида кремния и кристаллизации карбида кремния из паровой фазы на ростовой поверхности затравочного кристалла. Перед тем как начать охлаждение монокристалла в пирометрическое отверстие устанавливают теплоизолирующую заглушку. Температуру монокристалла снижают постепенно со скоростью 30-100°С в час, уменьшая мощность нагревателя ростовой камеры. Изобретение направлено на повышение качества монокристаллов карбида кремния при одновременном повышении скорости их роста. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

2411195
патент выдан:
опубликован: 10.02.2011
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC предусматривает сублимацию источника SiC 9, размещенного в тигле, на подложку из затравочного монокристалла SiC 8 при прохождении паровой фазы источника SiC 9 через барьерный уловитель углерода (БУУ). В качестве БУУ используют не менее двух перекрывающихся пластин 10, 11, выполненных из жаропрочного материала (графита, тантала или ниобия) и установленных параллельно основанию тигля из расчета h=(0,2÷0,6)·d·(1- ), где h - расстояние между перекрывающимися пластинами, мм; d - диаметр тигля, мм; - коэффициент перекрытия (отношение площади, перекрываемой смежными пластинами, к площади тигля), равный 0,5-0,8. Технический результат изобретения заключается в повышении скорости роста SiC (оптимально 1,5 мм/ч) при высоком качестве целевого продукта, характеризуемом плотностью микропор 19-25 см-2. 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.

2405071
патент выдан:
опубликован: 27.11.2010
CVD-РЕАКТОР И СПОСОБ СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ

Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Реактор для синтеза гетероэпитаксальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке путем химического осаждения из газовой фазы включает кварцевую трубу с размещенным в ней контейнером 5 с подложкой 1, нагреватели 6 с резистивным или индукционным типом нагрева и средства подачи в зону синтеза компонентов пленки и водорода, при этом средство подачи водорода содержит активный водород и выполнено в виде трубок 9, расположенных в верхней и нижней стенках контейнера 5 и содержащих отверстия, направленные по нормали к подложке 1, а средство подачи компонентов пленки размещено в испарителе 10 с газораспределительным кольцом с отверстиями, через которые данные компоненты вводятся в зону синтеза параллельно подложке, при этом указанные средства подачи размещены отдельно друг от друга. Отличительная особенность реактора заключается в том, что нагреватели и подложки располагаются параллельно, образуя сэндвич. Данная конструкция позволяет более эффективно использовать излучение от каждого нагревателя. Синтез пленки карбида кремния осуществляют в условиях пониженного давления от 5·102 до 5·10-2 Па на поверхности как минимум двух кремниевых подложек, имеющих температуру от 800 до 1380°С, и при температуре водорода выше температуры подложки и компонентов пленки как минимум на 100°С. Изобретение позволяет синтезировать высококачественные гетероэпитаксиальные монокристаллические пленки карбида кремния на кремнии при температурах до 1400°С. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

2394117
патент выдан:
опубликован: 10.07.2010
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов карбида кремния на подложках. Устройство содержит камеру (1), расположенную вдоль оси, причем камера (1) включает отдельные средства (2, 3) для входа газов, содержащих углерод, и для газов, содержащих кремний, средство для поддерживания подложки (4), расположенное в первой концевой зоне (Z1) камеры, средство для выпуска отработанных газов (5), расположенное вблизи средства для поддерживания (4), и средство для нагревания, обеспечивающее нагревание камеры (1) до температуры свыше 1800°C; средство (2) для входа газов, содержащих кремний, которое размещено, сформировано и отрегулировано таким образом, что газы, содержащие кремний, входят во вторую концевую зону (Z2) камеры; средство (3) для входа газов, содержащих углерод, которое размещено, сформировано и отрегулировано таким образом, что углерод и кремний контактируют, по существу, в центральной зоне (ZC) камеры, удаленной и от концевой первой зоны (Z1) и от концевой второй зоны (Z2), при этом средство (2) для входа газов, содержащих кремний, содержит трубку, которая открыта во вторую зону (Z2) камеры и которая имеет в области ее концевой части ячейку для испарения жидких кремниевых частиц. Изобретение позволяет выращивать кристаллы карбида кремния с однородной кристаллической структурой и однородным химическим составом с постоянной скоростью роста. 18 з.п. ф-лы, 3 ил.

2341595
патент выдан:
опубликован: 20.12.2008
ПЕЧЬ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к электротермическому оборудованию и предназначено, в частности, для производства монокристаллов карбида кремния эпитаксией из газовой фазы. Печь для эпитаксии карбида кремния включает водоохлаждаемый корпус с крышкой, нагреватели, тепловые экраны, кристаллизатор со съемной крышкой, смотровое окно, патрубок для вакуумирования, систему водоохлаждения, электропитания и контрольно-измерительную аппаратуру. Корпус печи снабжен люком для загрузки кристаллизаторов, а в полости печи установлена карусель, на которой по окружности размещены ячейки для кристаллизаторов, причем ось карусели соединена с механизмом ее вращения, а кристаллизаторы установлены с возможностью их подачи к съемной крышке, установленной в нагревателе, при помощи механизма подъема. Конструкция печи позволяет выращивать крупноразмерные монокристаллы SiC высокого качества в непрерывном режиме с высокой скоростью роста и в стабильных температурных условиях. 4 ил.

2330128
патент выдан:
опубликован: 27.07.2008
ТИГЕЛЬ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к материалам электронной техники, в частности к технологии производства монокристаллов карбида кремния эпитаксией из газовой фазы. Тигель содержит корпус и крышку с пьедесталом, при этом крышка снабжена концентрическими пазами, в которые вставляются теплопередающие элементы, которые увеличивают температуру части поверхности крышки, на которой растут поликристаллы, что замедляет их рост. В результате выращиваемый монокристаллический SiC начинает расти одновременно и в направлении 90 градусов к грани (0001), используя при этом поверхность поликристаллов как продолжение пьедестала. Учитывая, что скорость роста SiC в направлении 90 градусов к грани SiC подложки гораздо выше скорости роста в направлении (0001), то за несколько циклов монокристалл увеличивается в диаметре, занимая всю поверхность крышки, и продолжает расти по высоте, несмотря на наличие вокруг него паразитных поликристаллических сростков. 2 ил.

2324019
патент выдан:
опубликован: 10.05.2008
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРУБЧАТОГО КРИСТАЛЛА КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения, а именно к способам размерного профилирования кристаллов карбида кремния, и может быть использовано в микросистемной технике, оптоэлектронике и т.п. Сущность изобретения: предложен способ получения трубчатого кристалла карбида кремния, включающий сублимацию карбида кремния вдоль профилирующего стержня в ростовую полость, перекрытую затравочным монокристаллом, причем на начальной стадии процесса сублимацию осуществляют в полость, образованную стенкой ростовой полости и поверхностью конического наконечника профилирующего стержня, способного совершать движение относительно монокристаллической затравки, в том числе в условиях электрического поля. Техническим результатом предлагаемого изобретения является возможность получения: трубчатых монокристаллов с низкой плотностью дислокаций (ND<10 см-2); трубчатых монокристаллов с любой формой поперечного сечения внутренней полости; трубчатых монокристаллов с эксцентричной полостью; затравки трубчатой формы; трубчатых монокристаллов с внутренней винтовой нарезкой; трубчатых гетерополитипных структур, в частности политипа 4Н на затравочном кристалле 6Н-SiC. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
2182607
патент выдан:
опубликован: 20.05.2002
ЗАТРАВОЧНЫЙ КРИСТАЛЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии. Сущность изобретения: поверхность (3) затравочного кристалла (2) в первой частичной области (4) предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для наращиваемого из газовой фазы монокристалла (6) и во второй частичной области (5) снабжена покрытием (7), которое является химически стойким относительно затравочного кристалла (2) и газовой фазы и не плавится при температурах роста. За счет этого избегаются термические деградации затравочного кристалла (2) и повышается качество изготовленных монокристаллов (6). 2 с. и 15 з.п. ф-лы, 1 ил.
2163273
патент выдан:
опубликован: 20.02.2001
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КАРБИД КРЕМНИЯ SIC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для светоизлучающих диодов, рентгеновских оптических элементов, высокотемпературных полупроводников и т.д. Сущность изобретения: комплекс (М), сформированный путем выращивания пластины (4) из поликристаллического -SiC способом термохимического осаждения из паровой фазы на поверхностях (2а) ориентации кристалла, которые объединены в одном направлении, многочисленных пластинчатых заготовок из монокристаллического SiC, уложенных в стопу и находящихся в плотном контакте, подвергают термообработке при температуре в диапазоне 1850-2400°С, за счет чего монокристалл, ориентированный в том же направлении, что и кристаллографические оси заготовок из монокристаллического SiC, выращивают от поверхностей ориентации кристалла в направлении к пластине из поликристаллического -SiC. В результате этого можно легко и эффективно получать монокристаллический SiC высокого качества, в котором на поверхности раздела не образуются зародыши кристаллизации, примеси, дефекты в виде микрораковин и т.д. 3 с. и 15 з.п.ф-лы, 9 ил.
2162902
патент выдан:
опубликован: 10.02.2001
СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ И РЕАКТОР ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Изобретение может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, способных работать при высоких температурах. Сущность изобретения: способ эпитаксиального выращивания объемных монокристаллов карбида кремния путем химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности подложки (10) в реакторе горизонтального типа включает подачу в камеру реактора с установленной в ней, по меньшей мере, одной подложкой (10) газообразных реагентов, содержащих кремний и углерод, нагрев стенок камеры до температуры в пределах интервала 1800- 2500°С и нагрев подложки (10). Реагенты подают в камеру раздельно, реагент, содержащий кремний, - по каналу (7) вдоль камеры, а реагент, содержащий углерод, - с двух боковых сторон по каналам (14). Смешение реагентов происходит непосредственно в зоне ростовой поверхности подложки (10). Изобретение позволяет получать объемные монокристаллы SiC высокого качества и большой толщины с низкими производственными затратами и высокой производительностью. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 2 ил.
2162117
патент выдан:
опубликован: 20.01.2001
МОНОКРИСТАЛЛ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Выращен комплекс (M), который выполнен укладыванием в стопку поликристаллической -SiC пластины на поверхности монокристаллического -SiC базового материала с плотным контактом через отполированную поверхность или получен путем химического парового осаждения, затем подвергнут тепловой обработке при температуре в диапазоне от 1850 до 2400oC, посредством чего поликристаллы поликристаллической кубической -SiC пластины трансформированы в монокристалл, а монокристалл ориентирован в том же направлении, что и кристаллическая ось монокристаллического -SiC базового материала. В результате легко и продуктивно может быть получен большой монокристалл SiC высокого качества, не имеющий микроусадочных дефектов, дефектов решетки, образования шероховатых границ, вызванных примесями и т.п. 4 с. и 17 з.п. ф-лы, 8 ил.
2160329
патент выдан:
опубликован: 10.12.2000
МОНОКРИСТАЛЛ SiC И СПОСОБЫ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности при производстве диодов, усилителей и оптических элементов.Комплекс (M), который выполнен посредством выращивания поликристаллической -SiC пластины, имеющей толщину около 10 мкм или более, на поверхности монокристаллического -SiC базового материала посредством напыления высококачественным магнетроном или термохимическим паровым осаждением подвергнут тепловой обработке при температуре в пределах от 1650 до 2400oC, благодаря чему поликристаллы поликристаллической кубической -SiC пластины трансформированы в монокристалл и выращен монокристалл, ориентированный в том же направлении, как кристаллическая ось монокристаллического -SiC базового материала. В результате легко и продуктивно получается монокристалл SiC высокого качества, который, преимущественно, свободен от микроусадочных дефектов и дефектов, вызванных микроусадочными дефектами. 2 с. и 9 з.п. ф-лы, 3 ил.
2160328
патент выдан:
опубликован: 10.12.2000
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для производства светодиодов, оптических элементов и т.д. Поверхность монокристаллической -SiC подложки 1 обрабатывается так, чтобы иметь шероховатость поверхности, равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение , и предпочтительно равную или меньше, чем среднеквадратическое отклонение . На поверхности 1а монокристаллической -SiC подложки 1 термическим химическим осаждением из газовой фазы выращивается поликристаллическая -SiC пленка 2. После этого комплекс M помещается в пористый углеродный контейнер 3 и внешняя сторона углеродного контейнера 3 покрывается -SiC порошком 4. Комплекс M подвергается термообработке при высокой температуре, равной или меньшей, чем температура роста пленки, т.е. в диапазоне от 1900 до 2400oC, в потоке газа аргона, посредством чего интегрально выращивается монокристалл -SiC на монокристаллической -SiC подложке 1 на основе кристаллического роста и перекристаллизации поликристаллической -SiC пленки 2. Получают монокристалл -SiC большого размера, который имеет высокое качество и в котором не генерируются кристаллические зародыши. 2 с. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл.
2160327
патент выдан:
опубликован: 10.12.2000
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КАРБИД КРЕМНИЯ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Изобретение предназначено для полупроводниковой техники и может быть использовано при получении полупроводниковых подложек для светоизлучающих диодов. На подложку - монокристаллический -SiC- наносят методом термохимического осаждения из паровой фазы поликристаллический слой -SiC. Температура осаждения 1300-1900°С. Комплекс монокристалл -SiC-поликристалл -SiC подвергают термообработке под давлением насыщенного пара SiC для превращения -SiC в монокристалл. Температура термообработки 1800-2400°С. Монокристалл -SiC ориентирован в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристалла -SiC. Получают монокристалл большого размера, превосходящий по термостойкости, механической прочности, емкости, частоте, электрической прочности и стойкости к внешним воздействиям известные полупроводниковые материалы. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 3 ил.
2160227
патент выдан:
опубликован: 10.12.2000
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: при высоких избыточных давлениях порошок SiC или другой исходный материал растворяют в растворителе и наращивают на затравочном кристалле. Способ позволяет изготавливать объемные монокристаллы карбида кремния. 12 з.п.ф-лы.
2157864
патент выдан:
опубликован: 20.10.2000
ДРАГОЦЕННЫЕ КАМНИ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к синтетическим драгоценным камням из полупрозрачного монокристаллического карбида кремния и может быть использовано в ювелирной промышленности. Синтетические драгоценные камни, имеющие чрезвычайный блеск и твердость, изготавливаются из больших одиночных кристаллов полупрозрачного карбида кремния одного политипа с относительно низким содержанием примесей. Кристаллы выращиваются в системе с применением сублимационной печи. Кристаллы разрезаются на неотшлифованные драгоценные камни, которым затем придается форма, и таким образом получают обработанные драгоценные камни. В процессе выращивания при помощи выбранных присадок к кристаллу камни приобретают разнообразные цвета и оттенки. Бесцветный драгоценный камень получают в результате выращивания кристалла без присадки в системе, защищенной от нежелательных атомов примесей. 14 с. и 36 з.п.ф-лы, 3 ил., 2 табл.
2156330
патент выдан:
опубликован: 20.09.2000
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПУТЕМ СУБЛИМАЦИОННОГО ВЫРАЩИВАНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии. Реакционную камеру 2 окружают газонепроницаемой стенкой 20, которая по меньшей мере на обращенной к реакционной камере 2 внутренней стороне 21 состоит из изготовленного CVD-способом карбида кремния. По меньшей мере часть карбида кремния стенки 20 сублимируют и наращивают на зародышевом кристалле 3 в качестве монокристалла карбида кремния 4. Изобретение позволяет получать монокристаллы карбида кремния высокого качества. 2 с. и 9 з.п. ф-лы, 10 ил.
2155829
патент выдан:
опубликован: 10.09.2000
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения монокристаллического SiC, который может быть использован в качестве пластины-подложки для светодиода, рентгеновского оптического прибора высокотемпературного электронного элемента, силового прибора и т.д. Два комплекса М, а каждом из которых поликристаллическая пленка 2-SiC (или - SiC) выращивается на поверхности монокристаллической -SiC подложки 1 термохимическим осаждением, и поверхность 2а поликристаллической пленки 2 полируют так, чтобы гладкость имела шероховатость поверхности со среднеквадратическим отклонением 200 или менее, предпочтительно со среднеквадратическим отклонением от 100 до 50 , подвергают термообработке в состоянии, при котором комплексы плотно скреплены друг с другом отшлифованными поверхностями 2 а" при высокой температуре 2000oC или выше и в атмосфере давления насыщенных паров SiC, посредством чего поликристаллические пленки 2 комплексов М перекристаллизовываются с ростом монокристалла, который интегрируется с монокристаллическими -SiC подложками 1. Монокристалл SiC большего размера, в котором отсутствуют примеси, микротрубочные дефекты и т.п. и который имеет высокое качество, может быть получен с высокой продуктивностью. 2 с. и 8 з.п. ф-лы, 4 ил.
2154698
патент выдан:
опубликован: 20.08.2000
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ), СТРУКТУРА КАРБИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ)

Использование: изобретение относится к способу попучения эпитаксиальных слоев карбида кремния, которые являются по существу свободными от дефектов в виде микротрубочек. Способ включает рост эпитаксиального слоя карбида кремния на подложке из карбида кремния путем жидкофазной эпитаксии из расплава карбида кремния в кремнии и в элементе, который увеличивает растворимость карбида кремния в расплаве. Атомный процент этого элемента доминирует над атомным процентом кремния в расплаве. Дефекты в виде микротрубочек, распространяемые подложкой в эпитаксиальный слой, закрываются с помощью продолжения роста эпитаксиального споя при соответствующих условиях до тех пор, пока эпитаксиальный слой не будет иметь толщину, при которой дефекты в виде микротрубочек, присутствующие в подложке, не будут по существу далее воспроизводиться в эпитаксиальном слое. Изобретение позволяет существенно уменьшить число дефектов в виде микротрубочек в эпитаксиальном слое. 5 с. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.
2142027
патент выдан:
опубликован: 27.11.1999
СУБЛИМАЦИОННЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ И ИСТОЧНИК КАРБИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА

Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния, включающий параллельное размещение друг напротив друга испаряющей поверхности источника карбида кремния и ростовой поверхности по меньшей мере одного затравочного монокристалла карбида кремния заданного политипа, образующих зону роста, создание в зоне роста пониженного давления и поля рабочих температур с осевым градиентом в направлении от затравочного монокристалла к источнику, обеспечивающих испарение карбида кремния источника и кристаллизацию карбида кремния из паровой фазы на ростовой поверхности затравочного монокристалла, отличающийся тем, что зону роста герметизируют до достижения в ней рабочих температур, при этом процесс ведут в присутствии в зоне роста твердого раствора тантала и кремния в тантале и их химических соединений. При этом источник карбида кремния и затравочный монокристалл помещают в контейнер, выполненный с возможностью герметизации, материал внутренней поверхности которого представляет собой твердый раствор карбидов тантала и кремния в тантале и их химические соединения, а объем контейнера ограничен плоскостью закрепления затравочного монокристалла, а с боковых сторон периметром зоны роста и источника может быть использован монокристалл карбида кремния политипа 4Н, при этом в зону роста дополнительно вводят пары олова. В качестве материала источника для выращивания монокристаллов порошка при температуре, обеспечивающей частичную пересублимацию зерен карбида кремния. 2 с. и 3 з. п. ф-лы, 2 ил.
2094547
патент выдан:
опубликован: 27.10.1997
Наверх