Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ....титанаты, германаты, молибдаты, вольфраматы – C30B 29/32

Изобретение относится к области химической технологии и касается получения объемных кристаллов состава Li₈ Bi₂(MoO₄)₇. Кристаллы выращивают из раствора-расплава литий-висмутового молибдата в растворителе путем кристаллизации при постепенном охлаждении расплава и выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют эвтектическую смесь, содержащую 47 мол. % оксида молибдена и 53 мол. % молибдата лития при содержании литий-висмутового молибдата и эвтектической смеси, равном 10-40 мол. % и 90-60 мол. %, соответственно, выращивание ведут в условиях низких градиентов температуры, составляющих менее 1 град/см, на затравку, ориентированную по [001] и вращающуюся со скоростью 20-30 об/мин при скорости вытягивания 0,5-2,0 мм/сутки при постоянном охлаждении раствора-расплава со скоростью 0,2-5,0 град/сутки с последующим отделением выращенных кристаллов от раствора-расплава и охлаждением до комнатной температуры. Изобретение позволяет получать крупные (размером 20×30 мм) кристаллы Li₈Bi₂(MoO₄) высокого оптического качества. 1 пр.

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов литий-магниевого молибдата Li₂Mg₂(MoO ₄)₃. Способ включает расплав литий-магниевого молибдата в расплаве растворителя, кристаллизацию при охлаждении расплава и охлаждение выращенных кристаллов, при этом в качестве растворителя используют молибдат лития Li₂MoO ₄ при мольном соотношении литий-магниевого молибдата и молибдата лития Li₂MoO₄, равном 2:3, соответственно, кристаллизацию ведут на вращающуюся затравку со скоростью 35 об/мин, ориентированную по направлению [010], скорости вытягивания затравки от 1 до 3 мм/сутки с одновременным охлаждением расплава со скоростью от 0,2 до 5 град/сутки и последующим отделением выращенных кристаллов от расплава и их охлаждением со скоростью 30 град/час. Предлагаемый способ позволяет получать оптически однородные кристаллы литий-магниевого молибдата, Li₂ Mg₂(MoO₄)₃, не содержащих включений, блоков и трещин, размерами 25×45 мм. 1 з.п. ф-лы.

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO ₄)₂, являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5 мм/час и скоростью вращения кристалла 15-19 мин^-1 . Способ позволяет получать кристаллы, прозрачные в видимом диапазоне начиная с длины волны 352 нм. 3 ил., 4 пр.

Оптическая среда для преобразования монохроматического излучения лазера с длиной волны 975±5 нм в полосу от 1483 нм до 1654 нм, представляет собой сложный кальциевый тетрагерманат эрбия и иттрия состава Er_xY_2-xCaGe ₄O₁₂, где 0,1<х<0,3. Способ получения указанной оптической среды включает приготовление двух исходных смесей компонентов, содержащих соответственно мас.%: карбонат кальция - 11,11; оксид эрбия - 42,45; оксид германия - 46,43 и карбонат кальция - 13,45; оксид иттрия - 30,34; оксид германия - 56,21. Производится раздельное перемешивание компонентов каждой смеси в присутствии спирта, нагрев до 700-900°С с выдержкой при этой температуре в течение 8-10 часов. Повторный нагрев осуществляется до 1050-1100°С с выдержкой при этой температуре в течение 100-150 часов и перешихтовкой через каждые 20 часов. Затем производится перемешивание обеих исходных смесей в соотношении 1:4,6÷15,3 в присутствии спирта и нагрев до 1050-1100°С с выдержкой при этой температуре в течение 40-50 часов и перешихтовкой через каждые 10 часов. Технический результат заключается в осуществлении возможности преобразования монохроматического излучения в полосу с одновременным его усилением при работе лазера в режиме непрерывной накачки. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к выращиванию высокотемпературных неорганических монокристаллов и может быть использовано в квантовой электронике и физике элементарных частиц, в частности, для создания детекторов процесса двойного безнейтринного бета-распада. Выращивание осуществляют путем вытягивания монокристаллов молибдата цинка ZnMoO₄ из расплава исходной шихты в тигле на затравку. В качестве исходной шихты используют смесь оксидов ZnO и МoO ₃, взятых в стехиометрическом соотношении с избытком М0О3 в количестве от 1,0 до 7,0 вес.%, а выращивание осуществляют при объемной скорости кристаллизации не более 0,4 см³ /час. При выращивании методом Чохральского скорость вытягивания составляет 0,3-3,0 мм/час при осевом температурном градиенте на фронте кристаллизации 80-100°/см. При выращивание методом Киропулоса скорость вытягивания составляет не более 0,5 мм/час при поддержании диаметра кристалла от 80 до 95% диаметра тигля. Предложенный способ позволяет получать крупные монокристаллы (размером 1 см³ и более), имеющие оптическое качество, пригодные для работы в качестве сцинтилляционных детекторов и оптических элементов. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Изобретение может быть использовано в электронике для изготовления сцинтилляторов для регистрации излучения и рабочих тел лазеров. Сущность изобретения: выращивание монокристалла вольфрамата осуществляют с использованием в качестве исходного материала триоксида вольфрама и оксида или карбоната двухвалентного металла, триоксида вольфрама и оксида или карбонатом одновалентного металла и оксида трехвалентного металла, или вольфрамата, имеющего молекулярную формулу X _IIWO₄ или X_IX_III(WO ₄)₂, где X_I обозначает одновалентный металл, Х_II - двухвалентный металл и Х_III - трехвалентный металл, который образован путем нагревания указанных оксидов и/или карбонатов, и затем нагревают выращенный монокристалл вольфрамата при температуре от 600 до 1550°С в атмосфере, где парциальное давление кислорода регулируют так, чтобы оно было отрицательным по отношению к парциальному давлению кислорода в атмосферном воздухе. Способ позволяет получать монокристалл вольфрамата, обладающий высокой плотностью и излучающий свет высокой интенсивности, и следовательно, пригодный в качестве сцинтиллятора для регистрации излучения, в частности рентгеновских или -лучей. Кроме того, полученный указанным способом монокристалл вольфрамата обладает повышенной теплопроводностью и, следовательно, является пригодным в качестве рабочего тела лазера для двухволнового лазерного прибора. 14 з.п. ф-лы, 1 табл.