Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ...сложные оксиды – C30B 29/22

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
C30B 29/22 ...сложные оксиды

Патенты в данной категории

СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ

Изобретение относится к области изготовления деталей для оптических, акустоэлектронных и лазерных устройств, где в качестве активных и пассивных материалов используются тугоплавкие оксиды, преимущественно, двух-, трех- и четырехвалентных металлов, как в форме простых оксидов, так и сложных соединений. Способ соединения деталей из тугоплавких оксидов включает полировку соединяемых поверхностей, их совмещение и нагрев. По крайней мере, на одну из полированных соединяемых поверхностей наносят слой материала, образующего твердый раствор, по крайней мере, с одним из материалов соединяемых деталей. Температура плавления твердого раствора ниже температуры плавления каждого из материалов соединяемых деталей. После этого совмещенные детали отжигают при температуре выше температуры образования твердого раствора. Изобретение позволяет соединить детали из тугоплавких оксидов, снизить потери на рассеивание оптического излучения, тепла, и звука за счет размытия оптической границы. 9 з.п. ф-лы.

2477342
патент выдан:
опубликован: 10.03.2013
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛЕКСАНДРИТА

Изобретение относится к технологии получения объемных кристаллов александрита, которые могут быть использованы в качестве высококачественного сырья для изготовления оптических элементов лазерных систем. Способ включает растворение исходной шихты, ее гомогенизацию, введение в раствор вращающейся монокристаллической затравки и выращивание кристалла, при этом исходная шихта содержит 40 мас.% алюмината бериллия с добавкой оксида хрома в количестве до 1 мас.% и 60 мас.% растворителя, состоящего из 95-98 мас.% оксида свинца и 2-5 мас.% оксида бора, а выращивание ведут при температуре 1250°С, осевом градиенте температуры от 2 до 20°С, скорости вытягивания до 5 мм/сутки, частоте вращения до 10 об/сек. Изобретение обеспечивает получение объемных монокристаллов александрита оптического качества с низкой плотностью дислокации. 2 пр.

2471896
патент выдан:
опубликован: 10.01.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЖНОГО ОКСИДА СО СТРУКТУРОЙ СИЛЛЕНИТА

Изобретение относится к области материаловедения, а именно к получению нового сложного оксида со структурой силленита, который является перспективным материалом для различных акусто- и оптоэлектронных устройств: пьезодатчиков, фильтров и линий задержки электромагнитных сигналов, электро- и магнитооптические измерителей напряженности полей, пространственно-временных и магнитооптических модуляторов. Сложный оксид со структурой силленита получают гидротермальным синтезом из щелочного раствора, при этом в исходную шихту, состоящую из NaBiO3 и V 2O5, добавляют редкоземельный элемент Sm в виде Sm2O3 с образованием сложного оксида состава

2463394
патент выдан:
опубликован: 10.10.2012
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА "123"

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) типа «123», необходимых для проведения экспериментальных исследований фундаментальных свойств ВТСП, а также изготовления приборов и устройств сверхпроводниковой электроники. Способ заключается в том, что тигель со смесью порошков, содержащей 1 весовую часть предварительно синтезированного высокотемпературного сверхпроводящего материала типа «123» и 5÷15 весовых частей эвтектической смеси окиси бария и окиси меди, нагревают в печи до температуры плавления смеси, выдерживают при этой температуре в течение 20÷50 часов в однородном температурном поле и проводят рост кристаллов в процессе охлаждения тигля со смесью в присутствии горизонтально направленного температурного градиента, при этом нагрев и выдержку тигля со смесью осуществляют при температуре 1000±5°С, непосредственно перед началом охлаждения тигель с указанной смесью порошков плавно, в течение 10-15 минут, смещают в область печи с горизонтальным температурным градиентом 9÷11°С/см, поддерживая неизменной температуру 1000±5°С на горячей стенке тигля, а последующий рост кристаллов проводят при охлаждении тигля со смесью со скоростью 0,5÷2°С/час в постоянном температурном градиенте. Изобретение позволяет получать высококачественные монокристаллы ВТСП типа «123», обладающие зеркальными поверхностями и размерами в плоскости ab более 1 мм.

2434081
патент выдан:
опубликован: 20.11.2011
Pr-СОДЕРЖАЩИЙ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ, ДЕТЕКТОР ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОБСЛЕДОВАНИЯ

Изобретение относится к оксидным сцинтилляционным монокристаллам, предназначенным для приборов рентгеновской компьютерной томографии (РКТ) и обследования просвечиванием излучением. Предложены Pr-содержащий монокристалл на основе фторидов, в частности Pr-содержащий монокристалл оксида типа граната, Pr-содержащий монокристалл оксида типа перовскита и Pr-содержащий монокристалл типа силикат-оксида, а также Pr-содержащий монокристалл редкоземельного оксида. Указанные сцинтилляционные монокристаллы обладают высокой плотностью, большим уровнем световой эмиссии, коротким временем жизни и низкой стоимостью получения. 14 н. и 25 з.п. ф-лы, 43 ил.

2389835
патент выдан:
опубликован: 20.05.2010
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЦЕЗИЯ ИЗ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ РАСТВОРОВ-РАСПЛАВОВ

Изобретение относится к способу получения монокристаллов трибората цезия с нелинейно-оптическими свойствами, которые могут быть использованы в лазерной технике при изготовлении преобразователей частоты лазерного излучения. Кристаллы CsB3O5 (CBO) выращивают из расплава, который, наряду с оксидами бора В2О3 и цезия Cs2O, содержит добавку третьего компонента - оксида переходного металла, образующего химическое соединение с оксидом цезия, например оксида ванадия или оксида молибдена. Для приготовления шихты используют карбонат цезия, борную кислоту или оксид бора, оксиды молибдена или ванадия. Шихту, состав которой лежит в области первичной кристаллизации CBO на диаграмме плавкости Cs2O-В2О 3 - третий компонент, готовят одним из двух способов. Первый заключается в твердофазном синтезе из компонентов или соединений, при разложении которых образуются компоненты смеси. Процесс приготовления шихты состоит из однократного или многократного изотермического отжига, охлаждения и измельчения продукта. При многократном процессе температура отжига на каждой последующей стадии выше, чем на предыдущей. Второй способ приготовления шихты состоит из перемешивания исходных реактивов в стеклянных емкостях с последующим расплавлением порциями в платиновом тигле в печи при температуре 800°С. Используется механическое перемешивание для получения однородного расплава. Выращивание кристаллов осуществляют на затравку методом снижения температуры со скоростью 0.1-2 град/сутки. Применение растворителя снижает температуру роста кристаллов на 150-270°С по сравнению с ростом из стехиометрического расплава и одновременно уменьшает вязкость расплава. Это позволяет избежать испарения

Cs2O, стабилизировать процесс роста кристаллов и предотвратить образование паразитных кристаллов на поверхности расплава. В результате обеспечивается возможность получения кристаллов без включений или с незначительными включениями, характеризующихся высокими показателями оптического качества. 2 з.п. ф-лы.

2367729
патент выдан:
опубликован: 20.09.2009
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ДЛЯ ШИРОКОПОЛОСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ УЛЬТРАЗВУКА

Изобретение относится к области физической и технической акустики твердого тела и может быть использовано в радиоэлектронике, автоматизации технологических процессов, материаловедении, в частности, в области практического применения пьезоэлектрических свойств кристаллов при изготовлении из них пьезоэлектрических преобразователей для приборов ультразвукового неразрушающего контроля. Кристаллы иодата лития для широкополосных преобразователей ультразвука получают из водного раствора методом выпаривания при контролируемых кислотности раствора и температуре, при этом кислотность рН раствора поддерживают равной 0,8, а в раствор добавляют иодат цезия в количестве 0.2 мас.%. Изготовленные данным способом кристаллы йодата лития позволяют получить на их основе широкополосные преобразователи ультразвука с существенным увеличением эффективности преобразования, что значительно повышает диапазон их использования, приводит к более высокому значению коэффициента электромеханической связи, т.е. к более высокому коэффициенту полезного действия при практическом применении преобразователей. 1 табл.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"abstract. YAKUSHEV V.G. et al. Influence of the content of the solution upon the growth and the properties of lithium iodate crystals. "Izvestiya Sibirskogo Otdeleniya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskich Nauk", (5), 1985, p.78-82, STN БД С A, AN 104:43299, abstract. SU 1535077 A1, 20.02.1996.

2347859
патент выдан:
опубликован: 27.02.2009
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛА НА ОСНОВЕ БОРАТА И ГЕНЕРАТОР ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к технологии получения материала на основе бората для последующего выращивания кристаллов на основе бората цезия или бората цезия-лития, которые могут быть использованы в качестве оптических устройств для преобразования длины волны, в частности генератора лазерного излучения. Способ получения материала для выращивания кристаллов на основе бората цезия включает растворение водорастворимого соединения цезия и водорастворимого соединения бора в воде с получением водного раствора, испарение воды из водного раствора с последующим спеканием или без спекания для получения материала для выращивания кристаллов и плавление полученного материала с целью выращивания кристалла на основе бората цезия. Для выращивания кристалла на основе бората цезия-лития в качестве исходных компонентов материала для выращивания используют водорастворимые соединения цезия, лития и бора. Изобретение позволяет получать кристаллы на основе бората с превосходной однородностью и надежностью, с малыми затратами и за короткий период времени. Кроме того, при использовании этого кристалла в качестве оптического устройства для преобразования длины волны можно получить очень надежный генератор лазерного излучения (лазерный осциллятор). 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 21 ил.

2338817
патент выдан:
опубликован: 20.11.2008
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ НА ЗАТРАВКУ, РАЗМЕЩАЕМУЮ В ФОРМООБРАЗОВАТЕЛЕ

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейнооптических эффектов. Выращивание монокристаллов осуществляют из раствора на прямоугольную затравку, изготовленную из Z-среза монокристалла, размер которой в направлении [ ] значительно меньше, чем в направлении [ ], размещают ее внутри разъемного формообразователя в виде замкнутой рамки, собранного из отдельных планок, каждую из которых устанавливают относительно друг друга и торцов затравки под углами, обеспечивающими заданную форму и размеры растущего монокристалла в виде заготовки. При выращивании монокристалла для изготовления прямоугольной заготовки нелинейного оптического элемента формообразующие планки устанавливают исходя из условия соблюдения синхронизма, обеспечивающего расположение прямоугольной заготовки под углом 30° к направлению [ ] растущего монокристалла. Изобретение позволяет перейти от традиционного технологического процесса, когда при свободном размещении затравки в реакционном объеме кристаллизатора получают кристалл с естественным для данного вещества габитусом, к технологическому процессу, который позволяет получить непосредственно в процессе выращивания монокристалл-заготовку, который по своим размерам и форме максимально приближен к размерам и форме изготавливаемого из него оптического элемента. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 4 ил.

2332529
патент выдан:
опубликован: 27.08.2008
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ АНТИФЕРРОМАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов. Может использоваться в магнитоэлектронике. Полупроводниковый антиферромагнитный материал характеризуется температурой перехода в парамагнитное состояние TN=600-650 К и представляет собой гомогенный твердый раствор оксидов цинка и кобальта Zn1-XCoX O, где Х=0,01÷0,25; или гомогенный твердый раствор оксидов цинка, кобальта и лантаноида Zn1-X-YCo XLnYO, где Ln - Pr, Nd, Sm или Eu; X=0,01-0,24; Y=0,01-0,03; X+Y 0,25. Полученный материал обладает полупроводниковыми и антиферромагнитными свойствами, высокой температурой Кюри при высокой термической стабильности. 2 ил., 1 табл.

2318262
патент выдан:
опубликован: 27.02.2008
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ХРИЗОБЕРИЛЛА И ЕГО РАЗНОВИДНОСТЕЙ

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники. Способ выращивания объемных монокристаллов хризоберилла и его разновидностей включает расплавление исходной шихты, ее гомогенизацию, введение в расплав вращающейся монокристаллической затравки и выращивание кристалла при температуре ниже температуры фазового перехода. При выращивании используют исходную шихту, в которой, по сравнению со стехиометрическим составом, увеличено содержание одной из ее составляющих, а именно: или оксида бериллия на 3-6 мас.%, или оксида алюминия на 5-6 мас.% при соответствующем уменьшении содержания другой составляющей, а выращивание кристалла ведут в режиме снижения температуры со скоростью 0,5-4°С/час, в том числе и ниже температуры эвтектики. Исходная шихта может содержать катионы В3+ или Si 4+ в виде соответствующих оксидов в количестве 0,3-0,5 мас.%. Изобретение обеспечивает выращивание визуально бездефектных монокристаллов хризоберилла и его разновидностей с высокой массовой скоростью роста. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

2315134
патент выдан:
опубликован: 20.01.2008
СПОСОБ ОКРАШИВАНИЯ ФИАНИТОВ

Изобретение может быть использовано в ювелирной промышленности для окрашивания вставок из фианита в зеленые, синие и коричнево-желтые цвета и в оптике для получения цветных светофильтров, выдерживающих температуры свыше 1000°С. Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что способ окрашивания фианитов включает предварительное нанесение в виде покрытия на окрашиваемую поверхность фианита кобальта и, по меньшей мере, одного металла, окисел которого способен к шпинелеобразованию с окисью двухвалентного кобальта, например железо и/или алюминий. Затем в кислородосодержащей атмосфере проводят термообработку при температуре выше 1000°С, но не превышающей температуру плавления фианита, не менее 3 часов. Преимущественно покрытие наносят методом термического распыления металлов в вакууме. Упомянутые металлы могут наносить как поочередно, так и одновременно. Для придания фианиту окраски сине-зеленой гаммы наносят кобальт и алюминий с атомным соотношением от 1:1 до 1:2. Для придания фианиту окраски желто-зеленой гаммы наносят кобальт, алюминий и железо с атомным соотношением 1:1:0,1-0,2. Для придания фианиту окраски желто-коричневой гаммы наносят кобальт и железо в атомном соотношении от 1:1 до 1:2. Способ обеспечивает получение устойчивой к высоким температурам и химическому воздействию воспроизводимой окраски. 6 з.п. ф-лы.

2296825
патент выдан:
опубликован: 10.04.2007
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ИЗ РАСТВОРА ПРИ НЕПРЕРЫВНОМ ВЫТЯГИВАНИИ РАСТУЩЕГО КРИСТАЛЛА ЗА ПРЕДЕЛЫ РОСТОВОЙ КАМЕРЫ

Изобретение относится к способам получения ориентированных монокристаллов, применяемых в лазерной физике, акустоэлектронике, оптоэлектронике для реализации пьезоэлектрических и нелинейно-оптических эффектов. Способ осуществляют путем выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации на затравку z-среза заданной формы изотермическим испарением водного раствора йодата лития, при этом затравку, скрепленную с вытягивающим механизмом, размещают внутри и вблизи нижнего обреза соответствующей профилированной трубки, введенной в ростовую камеру и выходящей верхним обрезом за ее пределы, с последующим, по мере роста, вытягиванием растущего кристалла через эту трубку за пределы ростовой камеры. В процесса роста монокристаллов может осуществляться непрерывная подпитка маточного раствора. Изобретение позволяет выращивать кристаллы практически неограниченных размеров заданной высокой степени чистоты и структурной однородности. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

2291919
патент выдан:
опубликован: 20.01.2007
СПИНТРОННЫЙ КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к материалам спиновой электроники - спинтронике, способным служить источниками спинов - спиновыми инжекторами при комнатных и выше температурах в гетероструктурах ФП/П, где ФП - ферромагнитный полупроводниковый материал или ферромагнитный композит, П - немагнитный полупроводник или спиновый приемник. Техническим результатом изобретения является создание спинтронного композиционного материала, обладающего высокими значениями ферромагнитного момента насыщения и полупроводниковой проводимости, при этом получаемого в объемном виде. Указанный технический результат достигается тем, что спинтронный композиционный материал содержит оксид металла и ферромагнитный металл, в качестве оксида металла он содержит монооксид европия, а в качестве ферромагнитного металла - -железо при следующем соотношении компонентов, вес.%: монооксид европия EuO - 75-85; железо -Fe - 25-15. 2 ил.

2291134
патент выдан:
опубликован: 10.01.2007
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРУПНЫХ СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ

Изобретение может быть использовано в лазерной технике при изготовлении преобразователей частоты лазерного излучения. Готовят шихту состава, определенного областью АВС диаграммы трехкомпонентной смеси Li2О-В2О3-МоО3 , где координаты составов определены следующими точками, мол. доли: A: Li2O - 0,24; В2О3 - 0,60; МоО3 - 0,16; B: Li2O - 0,20; В 2O3 - 0,20; МоО3 - 0,60; С: Li 2O - 0,3; В2О3 - 0,13; МоО3 - 0,57. Шихту перемешивают и загружают в печь с двумя и более зонами нагрева. Расплавление ведут порциями при 850°С. Раствор-расплав выдерживают при перемешивании, затем охлаждают до температуры на 5°С выше температуры насыщения, вносят затравку и выращивают кристалл при снижении температуры путем управления скоростями снижения температуры индивидуально на каждой из зон печи по нелинейному графику с увеличением скорости роста кристалла. Скорость снижения температуры на различных зонах печи может быть одинаковой (синхронный принцип) или различной (асинхронный принцип). Получают совершенные кристаллы массой не менее 400 г с незначительными включениями в периферийной зоне. До 90% общего объема кристалла пригодно для использования в нелинейной оптике. 5 ил.

2262556
патент выдан:
опубликован: 20.10.2005
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ШИХТЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ВЮРЦИТНОЙ СТРУКТУРОЙ

Изобретение относится к химической технологии, а именно к технологии приготовления поликристаллической шихты для выращивания оксидных монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO 2, использующихся для изготовления подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия. Способ получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2 включает смешивание оксида металла, входящего в состав формулы монокристалла, с карбонатом лития, взятых в стехиометрическом соотношении, и спекание в тигле. Перед смешиванием соединения элементов, входящих в состав формулы монокристалла LiMeO 2, где Me - алюминий или галлий, предварительно подвергают измельчению до размера частиц не более 2 мкм и нагреванию в пределах устойчивости этих соединений, а спекание осуществляют при температуре, составляющей 87-88% от температуры плавления соответствующего монокристалла, в течение 6 часов в алундовом тигле. Изобретение позволяет получать шихту в компактном рациональном виде - в форме профилированных таблеток любого диаметра, равного диаметру тигля для выращивания высококачественных монокристаллов состава LiMeO 2. 1 табл.

2249063
патент выдан:
опубликован: 27.03.2005
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЛОЖНЫХ ОКИСЛОВ

Изобретение относится к технологиям производства объемных монокристаллов и может быть использовано при управляемом раствор-расплавном выращивании кристаллов веществ, например сложных окислов. Сущность изобретения. Устройство содержит составное цилиндрическое тигельное устройство из керамического материала, состоящее из кристаллизационного и вспомогательного тиглей, соединенных через воронку, внутренняя поверхность которых выполнена с платиновым покрытием. Кристаллизационный тигель с внешней стороны снабжен двумя кольцевыми соосными выступами, первый из которых выполнен на нижнем окончании его боковой поверхности, а второй - на внешнем диаметре донной части кристаллизационного тигля, как его продолжение. Центральная часть дна кристаллизационного тигля выполнена в виде пустотелой пирамиды с внутренней поверхностью, представляющей собой конус, и с наружной поверхностью, представляющей собой шестигранную пирамиду. Печное устройство нагрева тигля выполнено в виде трех механически развязанных трубчатых печных модулей планарной структуры, установленных пространственно коаксиально-последовательно друг за другом. Автономные нагревательные элементы трубчатых печных модулей планарной структуры электрически связаны каждый со своим силовым блоком и снабжены каждый своим рабочим термодатчиком и термостатом. Выходы термостатов связаны с входами блока терморегуляторов, а выходы блока терморегуляторов соединены с управляющими входами соответствующих силовых блоков. Каждый рабочий термодатчик связан с собственным термостатом. Блок терморегуляторов состоит из одинаковых контроллеров, количество которых соответствует числу автономных нагревателей печных модулей. Термодатчики для контроля температуры дна вспомогательного и кристаллизационного тигля соединены с собственными термостатами и измерителями температуры, а выходы терморегуляторов и измерителей температуры соединены с компьютером. Устройство позволяет повысить химическую и структурную однородность выращиваемых монокристаллов при одновременном уменьшении затрат на проведение технологических процессов. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

2245945
патент выдан:
опубликован: 10.02.2005
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛЮМИНАТА ЛИТИЯ

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов тугоплавких многокомпонентных соединений из расплава методом Чохральского. Монокристаллы алюмината лития LiAlO2 , полученные по этому способу, могут быть использованы для изготовления дисков, применяемых в качестве подложек при выращивании эпитаксиальных пленок, в частности пленок нитрида галлия(GaN). Сущность изобретения: процесс получения монокристалла алюмината лития методом Чохральского осуществляют на установках с индукционным нагревом. Рост кристалла включает в себя плавление в иридиевом тигле шихты, содержащей алюминат лития, с последующим вытягиванием монокристалла из расплава на ориентированную затравку в атмосфере инертного газа. В качестве исходной шихты используют предварительно приготовленную шихту-спек, полученную смешиванием оксида алюминия и карбоната лития, причем избыток карбоната лития составляет 2-4 мол.% по отношению к стехиометрическому соотношению. Термообработку смеси проводят в две ступени: первая - при температуре 700°С и вторая - при температуре 1050°С с выдержкой по 3 часа на каждой ступени. Для предотвращения потерь легколетучих компонентов шихты процесс кристаллизации осуществляют в условиях избыточного не менее 0,3 атм давления инертного газа. С этой же целью осуществляют экранирование большей площади поверхности расплава в начале роста, разращивая затравку до диаметра, равного 0,8 диаметра тигля, затем вытягивают кристалл заданной длины, уменьшая при этом его диаметр к концу роста до величины 0,5-0,6 диаметра тигля. Таким образом, деловая часть кристалла имеет форму усеченного конуса. Предлагаемый способ позволяет получать крупные и качественные кристаллы моноалюмината лития. 1 ил., 1 табл.

2245402
патент выдан:
опубликован: 27.01.2005
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЖНОЙ КОМПОЗИЦИОННОЙ СИСТЕМЫ

Изобретение относится к способам получения поликристаллических керамических материалов на основе оксидов и может быть использовано в металлургии, химии, машиностроении, энергетике и т.п. Сущность изобретения: способ получения сложной композиционной системы включает смешение порошка титана с оксидом алюминия и последующую термическую обработку, которую проводят сначала при температуре 950-1100С и выдержке 2-3 ч, а затем при температуре 1150-1200С 1-2 ч до полного образования соединения TiAl2O5. Способ позволяет получить сложную композиционную систему, содержащую диоксид титана и оксид алюминия, с однородной структурой типа шпинели. Полученный материал обладает повышенным пределом прочности и высокой термостабильностью.
2232213
патент выдан:
опубликован: 10.07.2004
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ВЫСОКОГО КАЧЕСТВА

Изобретение может быть использовано для получения кристаллов CsLiB5O10 GdxY1-x Ca4O(BO3)3 (0<x<1), LiNbO3, LiTaO3, NaxCO2O4. В способе выращивания монокристалла при помощи приведения затравочного кристалла (4) в контакт с расплавом (2) сырьевых материалов, расплавленных при нагревании в тигле (1), где в расплаве (2) сырьевых материалов, находящемся в тигле (1), расположен элемент (5) в виде лопасти или перегородки, монокристалл выращивают, вытягивая его при вращении тигля (1), чтобы таким образом вырастить из высоковязкого расплава (2) сырьевых материалов различные монокристаллы. Получают кристаллы с высоким качеством и хорошими характеристиками. 3 с. и 9 з.п. ф-лы, 7 ил.
2209860
патент выдан:
опубликован: 10.08.2003
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ, ИЗДЕЛИЕ ИЗ ЭТОГО МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к области новых высокопрочных материалов на основе диоксида циркония, которые могут быть использованы для производства изделий, работающих при повышенных нагрузках, а также как износостойкие режущие инструменты в медицинской технике. Сущность изобретения: материал состоит из кристаллитов тетрагональной модификации диоксида циркония игольчатой или пластинчатой формы размером не более 0,05 мм с соотношением длины и максимального поперечного сечения не менее 2:1, ориентированных параллельно своим длинным осям и образующих прямоугольную решетку. Материал получают методом плавления в холодном контейнере при горизонтальном перемещении его относительно индуктора. Изобретение позволяет повысить стойкость материала к началу растрескивания за счет изменения структуры материала. Высокие физико-механические показатели материала позволяют изготавливать из него высокоострые скальпели, которые обеспечивают ресурс работы лезвия до 60 операций на плотных тканях, при этом допускают до 10 перезаточек без изменения профиля лезвия. 4 с. и 9 з.п. ф-лы, 11 ил., 1 табл.
2199616
патент выдан:
опубликован: 27.02.2003
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ ИК-ДИАПАЗОНА

Изобретение относится к материалам для лазерной техники, а именно к монокристаллическим материалам, предназначенным для получения активных элементов твердотельных лазеров. Сущность изобретения: предлагается в монокристаллический лазерный материал на основе оксиортобората кальция-иттрия с иттербием дополнительно вводить в качестве активатора эрбий в соответствии с химической формулой: Ca4Y1-x-yYbxEry(BO3)3O, где x>0,001, у>0,001, х+у0,57. Изобретение позволяет получать активные элементы 1,5-микронного диапазона генерации. 4 ил., 1 табл.
2186161
патент выдан:
опубликован: 27.07.2002
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов сверхпроводниковых соединений для производства устройств сверхпроводниковой электроники. Сущность изобретения: смешивают предварительно синтезированную сверхпроводниковую шихту заданного фазового состава и газообразующую добавку, необходимую для формирования парогазовой каверны в растворе-расплаве. Затем смесь материала заданного фазового состава в количестве не менее 20 вес.%, газообразующей добавки в количестве не менее 20 вес.% и флюса загружают в ростовой тигель, нагревают до 800-875oС, выдерживают в течение нескольких часов, осуществляют выращивание монокристаллов в каверне при вертикальном градиенте в растворе-расплаве 1-3oС/см и температуре 795-860oС, после чего проводят охлаждение в 2 этапа. Получены чистые, обладающие сверхпроводимостью после выращивания, нелегированные зеркально-гладкие монокристаллы с линейными размерами до 5 мм, свободно выросшие в парогазовых кавернах раствора-расплава. 2 з.п. ф-лы.
2182194
патент выдан:
опубликован: 10.05.2002
ИТТРИЙ-АЛЮМИНИЕВЫЙ СЛОЖНЫЙ ОКСИД В КАЧЕСТВЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СРЕДЫ ДЛЯ ЛАЗЕРНЫХ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к получению нового сложного оксида на основе иттрия и алюминия, являющегося перспективным материалом для оптоэлектроники. В частности, данный сложный оксид после активации ионами Сr3+ или Ln3+ (в частности, Nd3+, Yb3+) может использоваться в качестве лазерного материала. Сущность изобретения состоит в создании нового сложного оксида состава Y2(Be0,5B0,5)2A1O7, кристаллизующегося в структуре семейства мелилита, что предопределяет возможность промышленного производства этих кристаллов. Кристаллы размером 15 мм и длиной 30 мм хорошего оптического качества были выращены на ростовой установке "Кристалл-3" (атмосфера выращивания - азот/кислород с относительной объемной концентрацией 98/2; иридиевый тигель 40х2х40 мм; температура на поверхности расплава около 1650oС; затравка - иридиевый стержень; скорость вытягивания 1,5-3 мм/ч; скорость вращения штока 10 об/мин; теплоизоляция ростовой камеры - керамика А12О3, ZrO2).
2181151
патент выдан:
опубликован: 10.04.2002
НЕЛИНЕЙНЫЕ КРИСТАЛЛЫ

Изобретение относится к кристаллам для нелинейной оптики. Кристаллы согласно изобретению получают путем кристаллизации композиции с конгруэнтным плавлением общей формулы: M4LnO(BO3)3, в которой M обозначает кальций или частично замещенный стронцием или барием кальций, Ln обозначает один из лантанидов из группы, состоящей из Y, Gd, La, Lu. Кристаллы согласно изобретению используют в качестве удвоителей и смесителей частоты, в качестве параметрического оптического генератора или когда они активированы с помощью Nd3+, в качестве лазерного удвоителя частоты. 9 з.п.ф-лы, 2 табл.
2169802
патент выдан:
опубликован: 27.06.2001
СПОСОБ ТВЕРДОФАЗНОГО СИНТЕЗА ШИХТЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА (La3Ga5,5Ta0, 5О14)

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а именно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение поликристаллической шихты в компактном виде, в форме профилированных таблеток для выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата и сокращение предварительных операций на ее подготовку с тем, чтобы создать экономически рациональный процесс получения высококачественных монокристаллов. Для этого при твердофазном синтезе осуществляют смешивание оксида лантана, оксида галлия и оксида тантала в соотношении La2O3 : Ga2O3 : Ta2O5 = 4,42 : (4,67-4,69) : 1, последующий их нагрев до температуры 1430-1450oC и выдержку в течение 6 ч. 1 табл.
2160797
патент выдан:
опубликован: 20.12.2000
СПОСОБ ТВЕРДОФАЗНОГО СИНТЕЗА ШИХТЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО НИОБАТА (La3Ga5,5,Nb0, 5O14)

Изобретение относится к твердофазному синтезу шихты для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, а более конкретно к способу твердофазного синтеза шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата методом Чохральского. Технический результат изобретения - получение в компактном рациональном виде (в форме профилированных таблеток) поликристаллической шихты для выращивания монокристаллов лантангаллиевого ниобата и сокращение предварительных операций на ее подготовку с тем, чтобы создать экономический рациональный процесс получения высококачественных монокристаллов. Для этого при твердофазном способе синтеза осуществляют смешивание исходных оксидов элементов, входящих в состав формулы монокристалла лантангаллиевого ниобата в соотношении La2O3 : Ga2O3 : Nb2O5 = 7,35 : (7,77-7,79) : 1, последующий нагрев их до температуры синтеза 1410-1430oC и спекание в течение 6 часов. 1 табл.
2160796
патент выдан:
опубликован: 20.12.2000
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОПРОЧНОГО МАТЕРИАЛА (ВАРИАНТЫ), УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ ЭТОГО МАТЕРИАЛА И СПОСОБ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретения относятся к области синтетических материалов и промышленно применимы при изготовлении износостойких конструкционных деталей для использования в условиях повышенных температур, нагрузок и агрессивных сред, режущих и обрабатывающих инструментов, в медицинской технике. Технический результат - повышение износостойкости материала и устройств на его основе. Материал является нанокристаллическим и содержит диоксид циркония и оксид иттрия в концентрации 0,3-8,0 мол.%, недостаточной для стабилизации кубической фазы. Это обеспечивает по сравнению со стабилизированным диоксидом циркония повышенную прочность на изгиб и сжатие, а также меньший коэффициент трения. При наличии дополнительных примесей в количестве от 0,1 до 5,0 мол.% содержание оксидов иттрия составляет от 0,3 до 8,0 мол.%. Материал получают в гарнисаже методом холодного контейнера. Из него изготавливают режущие элементы, эндопротезы суставов и зубные имплантаты. В последнем случае на поверхность имплантата наносят биоактивное покрытие гидроксилаппатита. 6 с. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.
2157431
патент выдан:
опубликован: 10.10.2000
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ШИХТЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА

Изобретение относится к химической технологии композиционных материалов на основе оксидов для выращивания монокристаллов, в частности лантангаллиевого силиката (ЛГС). Техническим результатом является получение шихты для выращивания ЛГС стехиометрического состава, для пьезо- и лазерной техники. Для получения шихты в качестве исходных компонент используют оксиды лантана и кремния и металлический галлий. Оксиды берут в стехиометрическом соотношении. После смешивания проводят нагрев в присутствии окислителя до начала протекания реакции самопроизвольного высокотемпературного синтеза. Смешивание и нагрев проводят в две стадии с различным содержанием галлия. 2 з.п. ф-лы, 1 табл.
2156326
патент выдан:
опубликован: 20.09.2000
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЖНЫХ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ГАЛЛИЙСОДЕРЖАЩИХ ОКСИДОВ

Способ предназначен для выращивания монокристаллов галлийсодержащих оксидных соединений, обладающих пьезоэлектрическим эффектом. Техническим результатом изобретения является получение кристаллов, из которых впоследствии вырезают пластины с минимальными потерями материала. Сущность способа состоит в использовании в качестве материала расплава соединения La3Ga5,5Me0,5O14, Ме-тантал либо ниобий. Выращивание кристаллов проводят методом Чохральского на ориентированную затравку. 1 з.п. ф-лы.
2152462
патент выдан:
опубликован: 10.07.2000
Наверх