ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ...кварц – C30B 29/18

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
C30B 29/18 ...кварц

Патенты в данной категории

СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ

Изобретение относится к области изготовления деталей для оптических, акустоэлектронных и лазерных устройств, где в качестве активных и пассивных материалов используются тугоплавкие оксиды, преимущественно, двух-, трех- и четырехвалентных металлов, как в форме простых оксидов, так и сложных соединений. Способ соединения деталей из тугоплавких оксидов включает полировку соединяемых поверхностей, их совмещение и нагрев. По крайней мере, на одну из полированных соединяемых поверхностей наносят слой материала, образующего твердый раствор, по крайней мере, с одним из материалов соединяемых деталей. Температура плавления твердого раствора ниже температуры плавления каждого из материалов соединяемых деталей. После этого совмещенные детали отжигают при температуре выше температуры образования твердого раствора. Изобретение позволяет соединить детали из тугоплавких оксидов, снизить потери на рассеивание оптического излучения, тепла, и звука за счет размытия оптической границы. 9 з.п. ф-лы.

2477342
патент выдан:
опубликован: 10.03.2013
ДЕТАЛЬ ИЗ ИСКУССТВЕННОГО КВАРЦА, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ВКЛЮЧАЮЩИЙ ЕЕ ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к технологии изготовления детали из искусственного кварца для применения в качестве оптического элемента для ArF-литографии, подлежащего облучению лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче. Деталь из искусственного кварца выращена гидротермальным синтезом и содержит алюминий в количестве 200 частей на миллиард (ppb) или менее и натрий в количестве 100 ppb или менее. Технический результат изобретения заключается в создании детали из искусственного кварца с подавленной способностью претерпевать снижение пропускания в области длин волн лазерного света, которое вызывается длительным облучением лазерным светом, имеющим длину волны 200 нм или короче, таким как ArF-эксимерный лазерный свет. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.

2441840
патент выдан:
опубликован: 10.02.2012
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к технологии выращивания оптических кристаллов, в частности монокристаллов кварца, используемого в радиоэлектронике, оптоэлектронике и оптике. Способ выращивания монокристаллов кварца в гидротермальных условиях в автоклаве путем перекристаллизации кварца из шихты на экранированные затравочные пластины, расположенные под углом к горизонтальной плоскости, при наличии температурного перепада между камерами роста и растворения, заключается в том, что перекристаллизацию ведут на затравочные пластины ZY ориентации, установленные радиально относительно вертикальной оси автоклава и под углом от 15 до менее 45° к горизонтальной плоскости, сторона затравочных пластин, направленная к камере роста, расположена выше, чем сторона пластин, направленная к оси автоклава, при этом экранируют верхние Z - поверхности и торцевые поверхности затравочных пластин. Изобретение позволяет выращивать монокристаллы высококачественного оптического кварца с повышенной скоростью. 3 ил.

2320788
патент выдан:
опубликован: 27.03.2008
ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ГИДРОТЕРМАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к аппаратам для гидротермального синтеза кристаллов, в частности кварца, и может использовался в химической промышленности. Технологическая установка для гидротермального выращивания кристаллов кварца содержит корпус, днище которого установлено на подставке через опорное теплоизоляционное кольцо, имеющий зону растворения шихты и зону кристаллизации с затравочными пластинами, разделенные между собой по вертикали диафрагмой, и снабженный наружным обогревателем в зоне кристаллизации и двухсекционной системой теплоизоляции, крышку корпуса, в которую вмонтированы элементы контроля температуры и давления в зоне кристаллизации, секция теплоизоляции которой отделена от корпуса зазором для обеспечения в ней вентиляции. Корпус установки дополнительно снабжен внутренним обогревателем в зоне растворения шихты и наружным обогревателем в области днища, обе секции системы теплоизоляции выполнены из наборной полужесткой минераловатной плиты в экранирующих внутренней и наружной обечайках из оцинкованной стали, при этом секция теплоизоляции зоны растворения шихты плотно прилегает снаружи к корпусу и снабжена системой теплоконтроля в виде термопары. Выполнение системы теплоизоляции двухсекционной из наборной полужесткой минераловатной плиты, оборудованной системой вентиляции в области зоны кристаллизации, эффективно ограничивает теплоотдачу нагретого сосуда в окружающую среду и улучшает условия термостатирования зоны кристаллизации, а также обеспечивает поддержание требуемого температурного перепада между зонами роста кристаллов и растворения шихты, что позволяет улучшить качество выращиваемых кристаллов. Комбинированная система обогрева (основная - внутренним нагревателем и дополнительная - наружными нагревателями) также эффективно обеспечивает поддержание рабочих параметров технологического процесса, а дополнительный нагреватель в днище сосуда при наличии опорного теплоизолирующего кольца снижает закварцевание шихты в нижней части сосуда и образование труднорастворимых минеральных соединений, также обеспечивая повышение качества выращиваемых кристаллов. 1 ил.

2290460
патент выдан:
опубликован: 27.12.2006
ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к средствам для выращивания монокристаллов из раствора с использованием растворителя и применением давления, в частности монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку, и может быть использовано в химической промышленности. Сущность изобретения: Затравка для выращивания монокристалла кварца выполнена из пластины ZY-среза, ориентированной кристаллографической осью Х в горизонтальной плоскости, а одной из осей - в вертикальной плоскости и имеющей экран, который выполнен из материала, индифферентного к условиям гидротермального синтеза, при этом затравка выполнена в виде прямоугольной, незамкнутой с одной стороны рамки, при этом кристаллографическая ось Z рамки также расположена в горизонтальной плоскости, а кристаллографическая ось У - в вертикальной плоскости, причем ее сторона, противоположная незамкнутой части и параллельная оси У, с двух боковых сторон и с ее торца со стороны -X закрыта экраном (1 вариант). Затравка для выращивания монокристалла кварца представляет собой ориентированную кристаллографической осью Х в горизонтальной плоскости, а одной из осей - в вертикальной плоскости пластину ZY-среза, одна из сторон и торец которой со стороны +Х закрыты экраном, который выполнен из материала, индифферентного к условиям гидротермального синтеза. Кристаллографическая ось Z пластины также расположена в горизонтальной плоскости, а кристаллографическая ось У пластины - в вертикальной плоскости, вторая сторона пластины, расположенная вдоль кристаллографической оси Х, также закрыта экраном из индифферентного материала, причем экраны с обеих сторон пластины, ориентированных вдоль кристаллографической оси У, не доходят на одинаковое расстояние до краев пластины (2 вариант). Технический результат изобретения заключается в повышении однородности получаемого монокристалла и сокращении срока его роста по оси Z. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 2 ил.

2261294
патент выдан:
опубликован: 27.09.2005
ДИАФРАГМА АВТОКЛАВА ДЛЯ ГИДРОТЕРМАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к средствам для выращивания кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада, в частности к конструкции диафрагм (перегородок) между зонами растворения шихты и роста кристаллов в автоклавах. Сущность изобретения: диафрагма состоит из двух расположенных один над другим и связанных между собой по вертикали металлических дисков, нижний из которых расположен на верхней границе зоны растворения шихты и имеет в центре отверстие, а верхний расположен на нижней границе зоны роста кристаллов и имеет отверстия, распределенные по всей поверхности, при этом диаметр отверстия в нижнем диске составляет 1-75% диаметра самого диска. Конструкция диафрагмы обеспечивает выход раствора из зоны шихты через центральное отверстие нижнего диска и достаточно длительное и интенсивное перемешивание его в зоне между дисками, образующими в совокупности разделяющую между зоной роста и зоной растворения шихты зону смешения потоков для циркуляции рабочего раствора между камерой растворения шихты и камерой роста, где оседают твердые макрочастицы, присутствующие в растворе и загрязняющие растущие монокристаллы, позволяет осуществлять хороший массообмен при небольшом перепаде температур, получить чистый раствор в зоне роста и выращивать кристаллы более высокого качества при более простой конструкции диафрагм. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

2248417
патент выдан:
опубликован: 20.03.2005
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИСКУССТВЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к производству искусственных кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада. Сущность изобретения заключается в способе получения искусственных кристаллов кварца, включающем предварительную гидротермальную обработку автоклава и выращивание кристаллов в гидротермальных условиях методом температурного перепада перекристаллизацией кварцевой шихты на вертикально ориентированную затравку ZY-среза из водно-щелочного раствора с добавлением нитрата лития LiNO3 концентрацией 0,01-0,02 моль/л. При этом в качестве водно-щелочного раствора используют раствор Na2CO3 и/или NaOH. Технический результат, который достигается при реализации изобретения, заключается в улучшении качества полученных искусственных кристаллов за счет уменьшения концентрации твердых включений. 1 з.п.ф-лы, 1 ил., 3 табл.

2236489
патент выдан:
опубликован: 20.09.2004
ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА

Изобретение относится к средствам выращивания кристаллов из растворов, в частности кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада, и может использоваться для выращивания крупных кристаллов. Сущность изобретения: затравка для выращивания монокристалла кварца содержит размещенные встык в одной плоскости так, что направления их кристаллографических осей совпадают, базовые затравки и наложенные на места стыка с двух сторон базовых затравок кварцевые держатели, выполненные в виде прямоугольной скобы, охватывающей базовые затравки по их толщине. При этом базовые затравки имеют одинаковые срезы - ZY или ZХ либо XY, а плоскости контакта их в местах стыка параллельны оси Х или Y или Z. Выполнение кварцевых держателей в виде прямоугольной скобы, охватывающей базовые затравки по их толщине, обеспечивает надежную фиксацию базовых затравок в заданной ориентации их друг относительно друга и позволяет повысить качество выращиваемого монокристалла за счет уменьшения числа дислокаций на стыках базовых затравок. 6 з.п.ф-лы, 1 ил.
2215069
патент выдан:
опубликован: 27.10.2003
ГИДРОТЕРМАЛЬНЫЙ СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из водных растворов и промышленно применимо при синтезе оптических и пьезоэлектрических монокристаллов кварца для радиоэлектронной, оптоэлектронной и оптической техники. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из водного раствора фтористого натрия, который берут в количестве от 0,001 до 0,08 г/л при 320-380oС, давлении 200-3000 кг/см2 и температурном перепаде в растворе 1,5-30oС, вследствие чего образование коллоидно-дисперсных макрокомплексов становится невыгодным из-за высоких антикоагуляционных свойств фтористого натрия в гидротермальных условиях. В изобретении решена техническая задача повышения оптических и пьезоэлектрических свойств кристаллов кварца за счет снижения содержания твердых включений. 10 з.п.ф-лы, 2 ил.
2213168
патент выдан:
опубликован: 27.09.2003
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЦВЕТНЫХ РАЗНОВИДНОСТЕЙ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к области выращивания в гидротермальных условиях методом температурного перепада кварца и его разновидностей, использующихся в ювелирной промышленности в качестве полудрагоценных камней. Сущность изобретения: в способе выращивания цветных разновидностей кристаллов кварца гидротермальным методом, включающем ввод автоклава в ростовой режим, осуществляя его нагрев при условии гидротермального травления затравочных пластин и рост кристаллов на эти затравочные пластины при температуре кристаллизации 300-315oС в автоклаве с температурным перепадом между зонами роста и растворения, на этапе ввода автоклава в ростовой режим нагрев и гидротермальное травление затравочных пластин проводят до температуры на 10-20oС выше температуры кристаллизации, после чего осуществляют снижение температуры от установившейся в автоклаве до ростовой со скоростью 1,5-2,0oС/сут с одновременным увеличением температурного перепада от нулевого значения до ростового со скоростью 3-5oС/сут при соблюдении в этом случае постоянными средней температуры и давления. Изобретение позволяет повысить качество получаемых цветных разновидностей кристаллов кварца. 1 табл.
2209859
патент выдан:
опубликован: 10.08.2003
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3). Сущность изобретения: рассматриваются способ и устройство для гидротермального выращивания кристаллов в сосуде под давлением, содержащем питание кристаллов, погруженное в минерализующий раствор. Устройство размещается в сосуде под давлением выше минерализующего раствора. Устройство включает ограничительный кожух, имеющий противоположные главные стенки с проходящими через них каналами. Ограничительный кожух полностью окружает затравочную пластину, имеющую противоположные главные поверхности. Удерживающее устройство удерживает затравочную пластину в ограничительном кожухе так, что главные поверхности затравочной пластины отстоят с интервалом внутрь от главных стенок. Изобретение позволяет получить кристаллы, имеющие форму и размер, ведущие к эффективному промышленному использованию. 5 с. и 33 з.п. ф-лы, 8 ил.
2198968
патент выдан:
опубликован: 20.02.2003
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности, гидротермальным методом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин с малым число дислокаций и за более короткое время. Сущность изобретения: затравку, выполненную в виде трехсторонней незамкнутой в направлениях области +Х рамки из базовой затравки ZY или ХY среза и перпендикулярных к ее краям дополнительных элементов помещают в автоклав, где гидротермальным способом при повышенных температуре и давлении наращивают монокристалл по меньшей мере до толщины 5-15 мм в направлении области +Х. Затем затравку извлекают из автоклава, вырезают из нее исходную часть базовой затравки со стороны области -Х таким образом, что при этом образуется двунаправленная трехсторонняя незамкнутая в направлениях областей +Х и -Х рамка при следующем соотношении высот оставшихся после удаления исходной базовой затравки дополнительных элементов: h= (1/4-1/2)h, где h - высота дополнительных элементов в направлениях областей соответственно +Х и -Х. Далее оставшуюся затравку снова помещают в автоклав и в тех же условиях выращивают монокристалл кварца до необходимых размеров. Изобретение позволяет получать малодислокационные кристаллы за более короткое время. 1 з.п.ф-лы, 1 ил.
2197570
патент выдан:
опубликован: 27.01.2003
ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, например, гидротермальным способом и может использоваться при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов с малым числом дислокаций. Затравка для выращивания монокристалла кварца содержит во всех вариантах выполнения базовую затравку и дополнительные элементы, механически соединенные с ней под углом =90o, или 90o<<180 (I и II варианты), или под углом =180o (III вариант). При этом базовая затравка может иметь ZY или XY срез, а дополнительные элементы срез ZY или ZX либо YX для I варианта выполнения, YX или YZ либо ZX срез для II варианта, ZY или XY срез для III варианта или иметь двойниковые зоны для всех вариантов. Дополнительные элементы могут быть механически соединены с базовой затравкой встык или внахлест либо прикреплены к ней по два с боковых ее сторон по краям. Выполнение затравки составной в виде базовой затравки ZY или XY среза и дополнительных элементов с указанными выше срезами для трех вариантов и углами крепления позволяет независимо от размеров базовой затравки выращивать кристалл вдоль оси Х без ограничения по размерам (ограничение - только размерами автоклава), достаточным для промышленного применения, а также увеличивать по оси Y полезную бездислокационную зону в затравке. 3 с. и 35 з.п.ф-лы, 3 ил.
2195519
патент выдан:
опубликован: 27.12.2002
ЗАТРАВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА КВАРЦА (ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к средствам выращивания монокристаллов из растворов с применением давления, в частности гидротермальным способом, и может использоваться при изготовлении затравочных пластин большого размера. Сущность изобретения: затравка в первом варианте выполнения содержит базовую затравку-основание ZY или XY среза, механически прикрепленные перпендикулярно к ее краям дополнительные элементы - боковые стороны, длина которых L связана с длиной l базовой затравки-основания соотношением L=ltg60o-h, где h - размер базовой затравки-основания по оси X. Затравка во втором варианте выполнения содержит базовую затравку-основание ZY или XY среза и механически прикрепленные к ее краям под прямым углом дополнительные элементы - боковые стороны, направленные в область +Х, и дополнительные элементы - боковые стороны, направленные в область -X. Соотношение размеров следующее: длина дополнительных элементов - боковых сторон в направлении области +Х составляет от 1/4 до 1/2 L, в направлении области -X - от 1/2 до 3/4 L, а длина l базовой затравки-основания связана с суммарной длиной L дополнительных элементов - боковых сторон в направлении +Х и -X соотношением L=ltg60o-h, где h - размер базовой затравки по оси X. В третьем варианте затравка выполнена монолитной из базовой затравки, дополнительных элементов в области +Х и дополнительного элемента, являющегося продолжением одного из дополнительных элементов в область -X. Изобретение позволяет увеличить размеры затравки по оси Y. 3 с. и 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
2193078
патент выдан:
опубликован: 20.11.2002
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО КВАРЦА

Изобретение относится к области получения синтетических кристаллов, а именно монокристаллов кварца больших размеров и необходимого качества, используемых, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике. Сущность изобретения: в способе выращивания кристаллов синтетического кварца гидротермальным методом, включающем перекристаллизацию кварцевой шихты на стержневые затравки при наличии температурного перепада между камерой роста и растворения, используют стержневые затравки, ориентированные своей длиной вдоль кристаллографического направления причем боковые стороны стержневых затравок оконтурены либо четырьмя гранями основного отрицательного ромбоэдра либо двумя гранями положительной и отрицательной тригональной призмы и двумя гранями второго ромбоэдра или имеют цилиндрическую форму, а также стержневые затравки изготовлены из малодислокационных или бездислокационных областей предварительно выращенных r/r-кристаллов. Изобретение позволяет снизить плотность ростовых дислокаций или получить полностью бездислокациионные кристаллы синтетического кварца. 1 з. п. ф-лы, 8 ил.
2186885
патент выдан:
опубликован: 10.08.2002
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КВАРЦА

Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков. Сущность изобретения: выращивание кристаллического кварца осуществляют в гидротермальных условиях из натрийсодержащих растворов на затравки, параллельные плоскости основного отрицательного ромбоэдра r, где размеры проекций затравки по оси Y на r-плоскость Y превышают размеры затравки по оси Х, а наращивание кристалла происходит на обе стороны от ребер затравки вдоль положительного и отрицательного направлений оси Х гранями острейших ромбоэдров и отрицательных тригональных трапецоэдров, причем проводят предварительное последовательное разращивание затравок rY"-ориентации. Изобретение позволяет получить заготовки АТ-среза диаметром от трех до пяти дюймов без фрагментов затравки. 1 з.п.ф-лы, 5 ил.
2181796
патент выдан:
опубликован: 27.04.2002
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности. Сущность изобретения: монокристаллы кварца выращивают гидротермальным методом из щелочных растворов перекристаллизацией кварцевой шихты из шихтового контейнера на горизонтально расположенные экранированные затравочные пластины при наличии температурного перепада между камерой роста и растворения, при этом используют многосекционный шихтовой контейнер с перфорированными перегородками по высоте, каждая из которых является дном следующей секции, а рост осуществляют при экранировании верхней и торцевых поверхностей затравочной пластины с прокладкой из стальной фольги между экраном и затравочной пластиной, где в начале ростового цикла проводят стравливание раствора на 25-40 МПа при неизменной температуре синтеза, а после завершения процесса выращивания проводят охлаждение автоклава с темпом 8-10oС/ч до температуры 270oС и давления 10 МПа, после чего производят окончательное стравливание раствора при том же темпе охлаждения до температуры 120oС, по достижению которой отключают электропитание нагревателей автоклава. Техническим результатом изобретения является получение высококачественного оптического кварца. 1 табл.
2180368
патент выдан:
опубликован: 10.03.2002
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКРАШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Изобретение относится к технологии получения окрашенных кристаллов кварца и может быть использовано в ювелирной промышленности. Сущность изобретения: способ осуществляется в гидротермальных условиях, методом температурного перепада, перекристаллизацией кварцевой шихты на затравку из водного раствора карбоната натрия в присутствии в растворе кобальтсодержащего соединения и алюминия при следующем содержании элементов: Со (0,1-0,2)10-3 г/л, Аl (3,0-6,0)10-3 г/л с последующим ионизирующим облучением. Изобретение позволяет выращивать окрашенные кристаллы кварца по цвету, близкому к "сапфиру". 1 табл.
2178019
патент выдан:
опубликован: 10.01.2002
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЦИТРИНА

Изобретение относится к гидротермальным способам получения монокристаллов цитрина с различными оттенками, используемых в качестве полудрагоценных камней в ювелирной промышленности. Сущность изобретения: цитрин получают в гидротермальных условиях из водного раствора карбоната калия в присутствии ионов железа и азотнокислого лития с добавкой оксида кобальта, содержащего трехвалентный кобальт, при температуре 300-350oС и давлении 400-1500 атм, на ориентированные затравки, при этом в раствор вводят дополнительно азотнокислый марганец (Мn(NО3)2-6Н2O) в количестве 0,7-1,2 г/л. Получают высококачественное кварцевое ограночное сырье с оптической плотностью окраски более 1,0 см-1, с красноватым оттенком сорта (Мадера), аналогично природному цитрину. 1 табл.
2136790
патент выдан:
опубликован: 10.09.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКОГО ОПАЛА

Может быть использовано в производстве искусственных ювелирно-ограночных материалов. Сущность изобретения: синтетический опал получают путем выращивания в гидротермальных условиях при температуре 280-300oC и давлении 20-39 МПа с последующей резкой кристаллов на заготовки, их механической обработкой и полировкой и термообработкой заготовок в засыпке из песка при 500-590oC. 1 табл.
2132414
патент выдан:
опубликован: 27.06.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КВАРЦА

Способ может быть использован в области выращивания монокристаллов. Сущность изобретения: способ включает гидротермальное выращивание путем перекристаллизации кварцевой шихты на затравочные пластины ZY-среза в вертикальном автоклаве. Новым в способе является то, что затравочные пластины в камере кристаллизации располагают кристаллографической осью X вдоль вертикальной оси сосуда вверх гранями положительной или отрицательной тригональной призмы. Изобретение позволяет получать беcприсыпочные кристаллы кварца с максимальным выходом деловой области для пьезотехники без дополнительных затрат. 3 ил.
2120502
патент выдан:
опубликован: 20.10.1998
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЦИТРИНА

Использование: в ювелирной и камнерезной промышленности. Сущность изобретения: кристаллы цитрина получали в гидротермальных условиях из водного раствора карбоната калия в присутствии ионов железа, окислителя азотнокислого лития и растворимого соединения кобальта CO3O4 в количестве 0,2 - 0,5 г/л. Синтез ведут при температуре 300 - 350oC и давлении 400 - 1500 атм. Получают кристаллы с красноватым оттенком типа "Мадера" и плотностью окраски в диапазоне 0,6 - 1,0 см-1. 1 с.п, ф-лы, 1 табл.
2071511
патент выдан:
опубликован: 10.01.1997
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КВАРЦА ДЛЯ ЮВЕЛИРНЫХ ИЗДЕЛИЙ

Использование: в производстве искусственных ювелирно-ограночных материалов, а именно монокристаллов кварца, обладающих опалесценцией и его окрашенных разновидностей. Сущность изобретения: монокристаллы кварца выращивают гидротермальным методом из кварцевой шихты на затравочных пластинах косых срезов, которые отличаются от базисного (пинакоидального) среза (0001) кристалла на угол не менее 30o, в щелочной среде при температуре 300-350oC и давлении 200-300 кгс/см2. После резки кристаллов на заготовки, механической обработки и полировки до получения изделий заданной формы вставки проводят термообработку в засыпке медного купороса при 550-600oC в течение не менее 10 часов при подъеме и спаде температуры со скоростью не более 50-100oC/час. Получают вставки однородно oкрашенные в оранжевые, желтые, медовые и тому подобные цвета с яркой (огненной, пламенной) опалесценцией.
2066717
патент выдан:
опубликован: 20.09.1996
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПАЛОВИДНОГО КВАРЦА

Использование: в ювелирной промышленности. Сущность изобретения: опаловидный кварц получают гидротермальным методом из кварцевой шихты в щелочной среде при высоком давлении и температуре на затравочных пластинах различной ориентации. После выращивания проводят термообработку при 480 - 600oС непосредственно в той же реакционной камере, где проводился синтез, без вскрытия автоклава. Проведение термообработки в едином производственном цикле с выращиванием позволяет исключить трудозатраты на дополнительные операции, снизить потери материала из-за трещин, исключить возникновение в кристаллах дополнительного напряжения, ведущего к растрескиванию заготовок, и тем самым получить крупноразмерные кондиционные нетрещиноватые моноблоки опаловидного кварца.
2064979
патент выдан:
опубликован: 10.08.1996
СПОСОБ ОЧИСТКИ ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ КВАРЦЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ

Использование: в технологии получения полупроводниковых материалов высокой чистоты. Сущность изобретения: способ включает ионноплазменную обработку поверхности кварца в плазме ВЧ-разряда с использованием аргона и кислорода в качестве компонентов плазмообразующей газовой смеси при давлении ниже атмосферного. Способ отличается тем, что плазму ВЧ-разряда возбуждают индуктивным способом из внешнего источника, формируя плазменную струю путем создания избыточного давления плазмообразующей газовой смеси внутри источника и кварцевого изделия по отношению к окружающему их предварительно вакуумируемому рабочему объему с остаточным давлением не выше 510-3 Па, при частоте ВЧ-разряда 3oC13,56 МГц, мощности его 700oC25000 Вт, времени обработки 2oC20 мин и парциальном давлении аргона и кислорода 210-2 oC 110-1 Па и 610-2 oC 310-1 Па соответственно. После обработки кварцевых ампул их использовали для получения особочистых веществ в идентичных условиях. После получения веществ определяли концентрацию свободных электронов при 77 К, которая не превышала 21014см-3, что подтверждает высокую чистоту материалов, полученных в обработанных по предложенным режимом ампулах. 1 н.з.п.ф-лы, 1 ил. 1
2061804
патент выдан:
опубликован: 10.06.1996
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКИХ КВАРЦЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ

Использование: в полупроводниковой промышленности. Сущность изобретения: способ включает напыление диоксида кремния, полученного в производстве разложения летучего соединения кремния в потоке кислородно-водородной плазмы на жаростойкий формообразователь с последующим остекловыванием напыленной заготовки в вакууме. Напыление заготовок кварцевых изделий (тиглей) производят на формообразователь из кремния полупроводниковой чистоты с использованием в качестве летучего соединения кремния моносилана при мольном соотношении последнего и кислорода 1:(10 - 30) при 1373 - 1573 К. Водород подают по щелевому каналу между каналами подачи моносилана и кислорода в мольном соотношении к кислороду 1:(0,3 - 0,5). Моносилан выделяют методом низкотемпературной ректификации из парогазовой смеси, предназначенной для получения высокоомного кремния, и используют без дополнительной очистки. Способ позволяет улучшить качество тиглей за счет снижения содержания примесей примерно на порядок, увеличить извлечение диоксида кремния из сырьевого продукта и исключить выбросы хлорсодержащих соединений в окружающую среду. 2 з. п. ф-лы.
2061111
патент выдан:
опубликован: 27.05.1996
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КВАРЦА

Использование: для получения кристаллического кварца стандартизированных размеров для массового выпуска резонаторных устройств на современных высокопроизводительных линиях разделки кристаллов. Сущность изобретения: способ выращивания кристаллического кварца в гидротермальных условиях из раствора гидроокиси натрия концентрации 3,5 - 5,0 вес.% на стержневые затравки, вытянутые вдоль кристаллографической оси Y, осуществляют при трехэтапном изменении скорости температурного перепада, включающем: на первом этапе - увеличение скорости температурного перепада от 0,2 до 0,5oС/сут; на втором этапе - постоянный температурный перепад; на третьем этапе - увеличение скорости температурного перепада от 0,5 до 1,5oС/сут. Получают кристаллы кварца со стабильными пьезоэлектрическими свойствами стандартизированных размеров. 3 ил., 3 табл.
2057210
патент выдан:
опубликован: 27.03.1996
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКОГО АМЕТИСТА

Изобретение относится к гидротермальному синтезу кристаллов аметиста для ювелирной промышленности с использованием в качестве шихты кремнийсодержащих материалов. Изобретение позволяет повысить один из основных показателей ювелирного качества интенсивность окраски минимум до 1,9 бел. Аметист выращивают в гидротермальных условиях методом температурного перепада. Используют шихту, предварительно перекристаллизованную из обычного жильного кварца. При перекристаллизации в шихту вводятся примеси железа, лития, марганца и кобальта. Наращивание аметиста производят на затравки, параллельные граням большого или малого ромбоэдров. В качестве рабочего раствора используют раствор карбоната калия с добавками железа и азотнокислого марганца. Выросшие кристаллы для придания окраски подвергают ионизирующегому облучению. 1 табл.
2040596
патент выдан:
опубликован: 25.07.1995
Наверх