Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: ..оксиды – C30B 29/16

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
C30B 29/16 ..оксиды

Патенты в данной категории

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕЛЛУРИТА ГРАННОЙ ФОРМЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов парателлурита методом Чохральского, которые могут быть использованы при изготовлении поляризаторов в ближней ИК-области. Способ выращивания кристаллов парателлурита гранной формы из расплава включает наплавление порошка диоксида теллура в платиновый тигель, создание необходимого осевого распределения температуры, обеспеченного градиентом температуры 1-2 град/см над расплавом, скачком в 2-3 град на границе раздела воздух-расплав, повышением температуры на 2-3 градуса до глубины 2 см и постоянством температуры по всей оставшейся толщине расплава, нахождение равновесной температуры при касании затравочным кристаллом поверхности расплава, рост кристалла при его вращении и вытягивании с заданным изменением площади поперечного сечения с использованием системы весового автоматического контроля и нагревательной печи с четырьмя независимыми нагревательными элементами по вертикали, отрыв кристалла от расплава и охлаждение кристалла до комнатной температуры, при этом используют печь, в которой средние нагревательные элементы выполнены в виде трех одинаковых сегментов по 120 градусов каждый, а рост кристалла ведут в условиях неоднородного радиального разогрева расплава повышением на 1-2 градуса температуры в 120-градусном секторе в нижней части ростового тигля. Изобретение позволяет получить крупногабаритные кристаллы парателлурита (массой до 1,8 кг) с пониженным светорассеянием и полностью свободные от газовых включений. 2 н. п. ф-лы, 4 ил., 1 табл., 1 пр.

2507319
патент выдан:
опубликован: 20.02.2014
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРО- И НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАССИВОВ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано для получения отдельных кристаллов и массивов оксида цинка для применения в качестве активных элементов, материала для фотокаталитической очистки сред, пьезоэлектрических датчиков, а также для фундаментальных физических исследований кинетики роста кристаллов. Рост кристаллов осуществляют на воздухе с использованием иттербиевого волоконного лазера непрерывного действия, излучением которого с плотностью мощности порядка 105 Вт/см2 обрабатывают в течение 10 с поверхность латуни, на которую нанесен слой многостенных углеродных нанотрубок. Способ позволяет получать микро- и наноструктурированные массивы оксида цинка, состоящие из нитевидных кристаллов, микропластин и друз. Изобретение позволяет получать кристаллы без специальных катализаторов и кристаллизационных камер. 2 ил.

2484188
патент выдан:
опубликован: 10.06.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОННО-КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к технологии опто- и микроэлектроники и может быть использовано для получения опалоподобных структур. Способ получения фотонно-кристаллических структур на основе металлооксидных материалов включает заполнение темплата, состоящего из монодисперсных микросфер полистирола, растворами металлсодержащих прекурсоров, и последующий отжиг структуры на воздухе при температуре 450-550°С в течение 8-10 часов. В качестве прекурсоров, из которых формируется структура, используют насыщенные спиртовые растворы дихлорида олова SnCl2·2H2O или нитрата цинка Zn(NO3)2·2H2O. Изобретение позволяет получать фотонно-кристаллические структуры на основе SnO2 и ZnO с фотонной стоп-зоной в видимой и ближней ИК-области спектра и пористостью не менее 85%. 5 ил.

2482063
патент выдан:
опубликован: 20.05.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАССИВОВ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано для получения отдельных кристаллов и массивов оксида цинка для применения в качестве активных элементов, материала для фотокаталитической очистки сред, пьезоэлектрических датчиков, а также для фундаментальных исследований кинетики роста кристаллов. Способ характеризуется тем, что латунную мишень, покрытую углеродными нанотрубками, обрабатывают на воздухе непрерывным излучением иттербиевого волоконного лазера в присутствии электростатического поля напряженностью от 250 В/м до 750 В/м, упорядочивающего движение ионов цинка и кислорода и ускоряющего его в направлении области реакции. Изменение параметров электрического поля в указанном диапазоне обеспечивает получение массивов нитевидных кристаллов оксида цинка с диаметром от 50 до 400 нм, в том числе вертикально упорядоченных ориентированных кристаллов. Изобретение позволяет получать кристаллы без катализаторов и кристаллизационных камер. 2 ил.

2478740
патент выдан:
опубликован: 10.04.2013
СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ ИЗ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ

Изобретение относится к области изготовления деталей для оптических, акустоэлектронных и лазерных устройств, где в качестве активных и пассивных материалов используются тугоплавкие оксиды, преимущественно, двух-, трех- и четырехвалентных металлов, как в форме простых оксидов, так и сложных соединений. Способ соединения деталей из тугоплавких оксидов включает полировку соединяемых поверхностей, их совмещение и нагрев. По крайней мере, на одну из полированных соединяемых поверхностей наносят слой материала, образующего твердый раствор, по крайней мере, с одним из материалов соединяемых деталей. Температура плавления твердого раствора ниже температуры плавления каждого из материалов соединяемых деталей. После этого совмещенные детали отжигают при температуре выше температуры образования твердого раствора. Изобретение позволяет соединить детали из тугоплавких оксидов, снизить потери на рассеивание оптического излучения, тепла, и звука за счет размытия оптической границы. 9 з.п. ф-лы.

2477342
патент выдан:
опубликован: 10.03.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов оксида цинка, являющегося перспективным материалом для светодиодов и фотоэлектрических приборов, который также может быть использован в пироэлектрических элементах, пьезоэлектрических приборах, газовых датчиках и прозрачных электропроводящих пленках. Способ включает осаждение кристалла оксида цинка на затравочном кристалле в верхней части и из смешанного расплава оксида цинка и растворителя, способного растворять оксид цинка и имеющего более высокую плотность, чем оксид цинка в расплаве, и вытягивание монокристалла оксида цинка, причем при упомянутом вытягивании подают такое же количество исходного оксида цинка, что и количество вытянутого оксида цинка, при этом предусматривают перемычку между областью вытягивания кристалла из расплава и зоной подачи исходного оксида цинка так, чтобы не вызывать турбулентности в расплаве в области вытягивания кристалла во время подачи исходного оксида цинка, упомянутым растворителем является растворитель, образованный одним или более видами соединений, дающих эвтектический состав от 30 до 99,9 мол.% в единицах концентрации оксида цинка и с температурой эвтектики от 700 до 1720°С, которые представляют собой соединения, образующие эвтектическую фазовую диаграмму с оксидом цинка в качестве растворяемого вещества, соотношение компонентов в смеси между оксидом цинка и соединением(ями), составляющим(и) упомянутый растворитель, составляет от 99,9 до 30 мол.% против от 0,1 до 70 мол.%, а соотношение компонентов в смеси соответствующих растворителей составляет от 0 до 100 мол.%. Изобретение обеспечивает непрерывное получение монокристалла отличного качества и удлиненного в направлении вытягивания. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.

2474625
патент выдан:
опубликован: 10.02.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЧАСТИЦ СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ

Изобретение относится к способам получения наноразмерных порошков сложных оксидов металлов, которые могут быть использованы как электролиты и электродные материалы электрохимических устройств, а также в качестве компонентов каталитических систем. Сущность изобретения: способ получения наноразмерных частиц сложных оксидов металлов включает синтез оксидов, который осуществляют взаимодействием термически стойких расплавов галогенидов металлов с кислородсодержащей газовой фазой. Технический результат заключается в получении наночастиц сложных оксидных материалов с развитой удельной поверхностью, однородным гранулометрическим составом и в возможности их выделения новыми нетрадиционными методами, расширяющими спектр их практического использования. 2 з.п. ф-лы, 12 ил.

2461668
патент выдан:
опубликован: 20.09.2012
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, используемого в различных областях электронной техники, где использование кварца невозможно или ограничено и может применяться в функциональной пленочной электронике, пьезотехнике и акустоэлектронике. Согласно способу используют брикетированную шихту из химического реактива оксида цинка, отожженную при температуре 1100°С в течение 20 часов, которую подвергают гидротермальной перекристаллизации из раствора едкого калия с добавлением ионов лития в герметичных сосудах из коррозионно-стойкого материала на ориентированные параллельно моноэдрическим граням (0001) затравочные пластины, вырезанные из предварительно выращенных гидротермальных кристаллов оксида цинка. Изобретение обеспечивает получение высококачественных кристаллов оксида цинка в промышленных масштабах. 1 пр.

2460830
патент выдан:
опубликован: 10.09.2012
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЛАТЕРАЛЬНО РАСПОЛОЖЕННЫХ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно - к получению латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка. Способ включает формирование на рабочей стороне подложки затравочного слоя оксида цинка, осаждаемого на горизонтальную поверхность рабочей стороны подложки сплошной пленкой. После осаждения затравочного слоя оксида цинка на него наносят слой защитного материала, литографически формируют локальные области затравочного слоя и слоя защитного материала с совпадающими торцевыми участками. Подложку погружают и выдерживают в химическом травителе оксида цинка для подтравливания торцевых участков затравочного слоя оксида цинка на величину, не меньшую 5 нм, а выращивание на затравочном слое латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка проводят погружением и выдержкой подложки в химическом растворе для выращивания нитевидных нанокристаллов оксида цинка рабочей стороной подложки вниз. Технический результат, заключающийся в повышении воспроизводимости процесса, достигается за счет использования нависающего края защитного слоя, который не позволяет расти нанокристаллам оксида цинка в вертикальном направлении. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

2418110
патент выдан:
опубликован: 10.05.2011
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ОКСИДНОГО МАТЕРИАЛА, ЛЕГИРОВАННОГО ИОНАМИ ФЕРРОМАГНИТНОГО МЕТАЛЛА, ДЛЯ СПИНТРОНИКИ

Изобретение относится к области получения тонких пленок материалов, которые могут быть использованы в устройствах систем полупроводниковой спиновой электроники. Способ получения тонкопленочного оксидного материала, легированного ионами ферромагнитного металла, включает распыление прекурсора на подложку в разряженной атмосфере при высоких температурах. Распыление осуществляют путем испарения исходного сыпучего порошка, легированного железом оксида европия (II) фракции 0,2-0,3 мм, в вакууме (1÷5)·10 -5 Торр при подаче его на раскаленный до 2500-3000°С испаритель со скоростью 1-10 мг/с, при этом подложку располагают над испарителем на расстоянии 8-12 см. Изобретение позволяет получить тонкие пленки полупроводникового спинтронного материала, обладающего высокой степенью намагниченности и способного являться спиновым инжектором в устройствах полупроводниковой спиновой электроники при комнатной и выше комнатной температурах. 4 ил., 1 табл.

2360317
патент выдан:
опубликован: 27.06.2009
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к тонкопленочному материалу с монокристаллическим тонкопленочным слоем и способу его изготовления. Тонкопленочный материал (1) со сверхпроводящим монокристаллическим тонкопленочным слоем содержит подложку из сплава на основе никеля (2), промежуточный тонкопленочный слой (3), сформированный на упомянутой подложке (2) и состоящий по меньшей мере из одного слоя, и сверхпроводящий монокристаллический тонкопленочный слой (4), сформированный на упомянутом промежуточном тонкопленочном слое (3), в котором верхняя поверхность (10), которая представляет собой верхнюю поверхность по меньшей мере одного слоя упомянутого промежуточного тонкопленочного слоя (3), обращенная к упомянутому сверхпроводящему монокристаллическому тонкопленочному слою (4), является отшлифованной. Тонкопленочный материал и способ его получения обеспечивают получение монокристаллического тонкопленочного слоя, имеющего улучшенные гладкость поверхности, плоскостную ориентацию. 5 н. и 3 з.п. ф-лы, 10 ил.

2353524
патент выдан:
опубликован: 27.04.2009
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕЛЛУРИТА ИЗ РАСПЛАВА ПО ЧОХРАЛЬСКОМУ

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов парателлурита из расплава методом Чохральского. Выращивание осуществляют из неподвижного тигля с программированием скоростей вытягивания и вращения затравки, при этом после выхода на требуемый диаметр вытягивание цилиндрической части кристалла осуществляют при скоростях вращения, соответствующих диапазону чисел Рейнольдса Re=100-150, рассчитанных согласно формуле Re= ·r(R-r)/ , где - скорость вращения затравки (с-1 ), R - радиус тигля (см), r - радиус кристалла (см), - кинематическая вязкость расплава (см с-1), при которых на поверхности расплава наблюдается устойчивая система двух обращающихся вокруг кристалла диаметрально-противоположных конвективных ячеек (вихрей Тейлора) переохлажденного расплава более темного цвета, чем остальная поверхность расплава. Изобретение позволяет улучшить структурное совершенство кристаллов при одновременном увеличении их размеров. Полученные кристаллы обладают высокой оптической однородностью, минимальным уровнем рассеяния излучения и имеют минимальные концентрации структурных дефектов. 3 ил.

2338816
патент выдан:
опубликован: 20.11.2008
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАЛОРАЗМЕРНЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для получения малоразмерных порошков на основе оксида цинка, которые обеспечивают низкопороговую лазерную генерацию ультрафиолетового излучения при комнатной температуре. В предлагаемом способе целлюлозный носитель пропитывают ZnO-прекурсором - водным раствором соли цинка органической кислоты, а затем подвергают носитель высокотемпературному пиролизу, причем в качестве целлюлозного носителя применяют фильтр бумажный обеззоленный белая лента с массой золы 0,005-0,15 мас.%. Высокотемпературный пиролиз осуществляют поэтапно, вначале фильтр, пропитанный ZnO-прекурсором, нагревают до заданной температуры в температурном диапазоне 500-1150°С, обеспечивая нагрев с температурным градиентом 3,7-4,4°С/мин. В процессе нагрева носитель обдувают воздухом. После достижения заданной температуры нагрев прекращают и выдерживают в изотермическом режиме в течение 10-60 минут, а затем охлаждают до комнатной температуры. В качестве ZnO-прекурсора используют водный раствор ацетата цинка Zn(CH3COO) 2·2Н2О или водный раствор пеларгоновой кислоты Zn[CH3(CH2 )7COO]2 с концентрацией по цинку 10-70 г/л. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

2326994
патент выдан:
опубликован: 20.06.2008
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, которые могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники. Способ выращивания кристаллов оксида цинка в гидротермальных условиях заключается в перекристаллизации шихты из раствора едкого калия с добавлением ионов Li + в герметичных сосудах из коррозионно-стойкого материла на ориетированные параллельно моноэдрическим граням (0001) затравочные пластины, вырезанные из предварительно выращенных гидротермальных кристаллов оксида цинка, при этом в шихту дополнительно вводят нитрид галлия в количестве 0,01-0,5% от ее веса. Использование в шихте азотсодержащего вещества приводит к тому, что при захвате ионов азота решеткой в оксиде цинка возникает дырочная проводимость. Но этот захват осуществляется только при наличии ионов галлия, необходимых для попадания азота именно в решетку, а не в междоузлия, что обеспечивает кристаллам проводимость р-типа.

2320787
патент выдан:
опубликован: 27.03.2008
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКОЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ОСНОВЕ Ga2O 3 И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретение относится к технологии производства тонких оксидных монокристаллических пленок и может быть использовано в оптике. Сущность изобретения: тонкую монокристаллическую пленку -Ga2O3 формируют путем выращивания из газовой фазы на подложке, изготовленной из монокристалла -Ga2O3. Лазерный луч направляют на мишень для возбуждения атомов, составляющих мишень. Атомы Ga высвобождаются из мишени в результате термического и фотохимического воздействия. Свободные атомы Ga связываются с радикалами одного или более газов в атмосфере камеры с образованием тонкой пленки -Ga2O3 на подложке. Описано также светоизлучающее устройство, включающее подложку n-типа, изготовленную легированием монокристалла -Ga2O3 донорами, слой p-типа, изготовленный легированием монокристалла -Ga2O3 акцептором, и представленное в виде перехода на верхней поверхности подложки n-типа. Изобретение позволяет получать тонкие монокристаллические пленки -Ga2O3 и GaN, а также монокристаллы ZnO высокого качества, светоизлучающее устройство способно излучать свет в ультрафиолетовой области. 7 н. и 17 з.п. ф-лы, 27 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"reactive atmosphere. Applied Surface Science, 106, 1996, p.149-153. JP 2001286814 A, 16.10.2001. WO 02089223 A1, 07.11.2002.

2313623
патент выдан:
опубликован: 27.12.2007
СПОСОБ ОКРАШИВАНИЯ ФИАНИТОВ

Изобретение может быть использовано в ювелирной промышленности для окрашивания вставок из фианита в зеленые, синие и коричнево-желтые цвета и в оптике для получения цветных светофильтров, выдерживающих температуры свыше 1000°С. Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что способ окрашивания фианитов включает предварительное нанесение в виде покрытия на окрашиваемую поверхность фианита кобальта и, по меньшей мере, одного металла, окисел которого способен к шпинелеобразованию с окисью двухвалентного кобальта, например железо и/или алюминий. Затем в кислородосодержащей атмосфере проводят термообработку при температуре выше 1000°С, но не превышающей температуру плавления фианита, не менее 3 часов. Преимущественно покрытие наносят методом термического распыления металлов в вакууме. Упомянутые металлы могут наносить как поочередно, так и одновременно. Для придания фианиту окраски сине-зеленой гаммы наносят кобальт и алюминий с атомным соотношением от 1:1 до 1:2. Для придания фианиту окраски желто-зеленой гаммы наносят кобальт, алюминий и железо с атомным соотношением 1:1:0,1-0,2. Для придания фианиту окраски желто-коричневой гаммы наносят кобальт и железо в атомном соотношении от 1:1 до 1:2. Способ обеспечивает получение устойчивой к высоким температурам и химическому воздействию воспроизводимой окраски. 6 з.п. ф-лы.

2296825
патент выдан:
опубликован: 10.04.2007
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ОКСИДА ЦИНКА С БЫСТРЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ В УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА

Использование: в области оптоэлектроники, ядерно-физических исследований, при изготовлении мощных твердотельных лазеров, работающих в УФ-области спектра, в геологии, в химии чистых и сверхчистых элементов, соединений. Сущность предлагаемого способа заключается в том, что монокристаллы и эпитаксиальные слои ZnO в процессе выращивания путем осуществления окислительно-восстановительной транспортной реакции в водороде с давлением 1,4-2,0 атм, содержащем пары воды больше 13% в присутствии галлия в пределах концентраций 0,4-6 ат.%, при температуре зоны подложки (затравки) Т1=770-940 К и температуре зоны тигля (источника) T2=990-1020 К отжигают, при этом отжиг проводят на воздухе или в кислороде атмосферного давления при температуре Т= 970-1020 К в течение времени t40 мин, а затем его выдерживают в водороде с давлением р= 1,8 атм при температуре 820 К в течение времени t10 мин. Изобретение позволяет получать монокристаллический ZnO с высокой степенью прозрачности. Люминесцентное излучение получаемых образцов ZnO:Ga:Н находится в пределах спектральной полосы 360-410 нм со временем флюоресценции меньше 10-8 с. 2 ил.
2202010
патент выдан:
опубликован: 10.04.2003
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3). Сущность изобретения: рассматриваются способ и устройство для гидротермального выращивания кристаллов в сосуде под давлением, содержащем питание кристаллов, погруженное в минерализующий раствор. Устройство размещается в сосуде под давлением выше минерализующего раствора. Устройство включает ограничительный кожух, имеющий противоположные главные стенки с проходящими через них каналами. Ограничительный кожух полностью окружает затравочную пластину, имеющую противоположные главные поверхности. Удерживающее устройство удерживает затравочную пластину в ограничительном кожухе так, что главные поверхности затравочной пластины отстоят с интервалом внутрь от главных стенок. Изобретение позволяет получить кристаллы, имеющие форму и размер, ведущие к эффективному промышленному использованию. 5 с. и 33 з.п. ф-лы, 8 ил.
2198968
патент выдан:
опубликован: 20.02.2003
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ЦИНКИТА

Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов цинкита, которые являются хорошими пьезоэлектриками, обладающими высоким коэффициентом электромеханической связи, и могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники. Сущность изобретения: в способе, включающем выращивание кристаллов цинкита в гидротермальных условиях из раствора КОН с добавлением ионов Li+ на ориентированные параллельно моноэдрическим граням (0001) затравочные пластины, вырезанные из предварительно выращенных гидротермальных кристаллов цинкита в герметичных сосудах из коррозионно-стойкого материала, затравочные пластины вырезаются из кристаллов цинкита, выращенных предварительно на затравках, поверхность которых ориентирована параллельно граням гексагональной призмы а процесс осуществляют в футеровках из титанового сплава или никеля с толщиной стенки 10-20 мм или в автоклавах из того же материала. Получают высококачественные кристаллы цинкита для технического использования при упрощении и удешевлении процесса их выращивания.
2198250
патент выдан:
опубликован: 10.02.2003
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ИЛИ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ ФУЛЛЕРЕНОПОДОБНЫХ СТРУКТУР ХАЛЬКОГЕНИДА МЕТАЛЛА, НЕОРГАНИЧЕСКИЕ ФУЛЛЕРЕНОПОДОБНЫЕ СТРУКТУРЫ ХАЛЬКОГЕНИДА МЕТАЛЛА, СТАБИЛЬНАЯ СУСПЕНЗИЯ IF-СТРУКТУР ХАЛЬКОГЕНИДА МЕТАЛЛА, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ИЗ IF-СТРУКТУР ХАЛЬКОГЕНИДА МЕТАЛЛА И ТОНКАЯ ПЛЕНКА, ПОЛУЧЕННАЯ ТАКИМ СПОСОБОМ, И НАСАДКА ДЛЯ РАСТРОВОГО МИКРОСКОПА

Изобретение может быть использовано для получения светочувствительных элементов в солнечных батареях, при производстве инертных насадок для микроскопов SPM, аккумуляторных батарей и т.д. Сущность изобретения: предлагается способ приготовления наночастиц металлических оксидов, содержащих введенные частицы металла, относящийся также к получаемым из данных оксидов неорганическим фуллереноподобным (IF) структурам халькогенидов металла с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом, который включает нагрев материала из металла I с водяным паром или выпаривание электронным лучом упомянутого материала из металла I с водой или другим подходящим растворителем, в присутствии соли металла II; сбор оксида металла I с присадкой металла II или продолжение процесса путем последующего сульфидирования, дающего достаточные количества IF-структур халькогенида металла I с интеркалированным и/или заключенным внутри металлом II. Соль металла II представляет собой предпочтительно соль щелочного, щелочноземельного или переходного металла и более предпочтительно хлорид щелочного металла. Интеркалированные и/или служащие оболочкой IF-структуры могут использоваться в качестве смазок. Они также образуют стабильные суспензии, например в спирте, а электрофоретическое осаждение из упомянутых суспензий позволяет получить тонкие пленки из интеркалированных IF-материалов, которые имеют широкий диапазон возможных применений. 7 н. и 14 з.п. ф-лы, 9 ил.
2194807
патент выдан:
опубликован: 20.12.2002
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОВОЛОКОН ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ

Изобретение относится к области материаловедения, в частности к способам получения исходных веществ для композиционных материалов и конструкционной керамики. Способ получения микроволокон диоксида циркония заключается в том, что приготовленный раствор оксихлорида циркония концентрацией от 200 до 2000 г/л перекристаллизовывают при температуре от 0 до 20oС и давлении от 0,1 до 0,01 МПа, затем проводят термическую обработку образовавшихся нитевидных кристаллов до диоксида циркония в 2 этапа: при этом на первом этапе термообработку проводят в тонком слое толщиной от 0,1 до 3 мм при равномерном повышении температуры от 100 до 210oС, на втором этапе прокаливание проводят при 400o-500oС в насыпном виде. В результате получают монокристаллические микроволокна диоксида циркония длиной до 3 мм и диаметром до 30 мкм. 1 ил.
2193608
патент выдан:
опубликован: 27.11.2002
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОПРОЧНОГО МАТЕРИАЛА (ВАРИАНТЫ), УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ ЭТОГО МАТЕРИАЛА И СПОСОБ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Изобретения относятся к области синтетических материалов и промышленно применимы при изготовлении износостойких конструкционных деталей для использования в условиях повышенных температур, нагрузок и агрессивных сред, режущих и обрабатывающих инструментов, в медицинской технике. Технический результат - повышение износостойкости материала и устройств на его основе. Материал является нанокристаллическим и содержит диоксид циркония и оксид иттрия в концентрации 0,3-8,0 мол.%, недостаточной для стабилизации кубической фазы. Это обеспечивает по сравнению со стабилизированным диоксидом циркония повышенную прочность на изгиб и сжатие, а также меньший коэффициент трения. При наличии дополнительных примесей в количестве от 0,1 до 5,0 мол.% содержание оксидов иттрия составляет от 0,3 до 8,0 мол.%. Материал получают в гарнисаже методом холодного контейнера. Из него изготавливают режущие элементы, эндопротезы суставов и зубные имплантаты. В последнем случае на поверхность имплантата наносят биоактивное покрытие гидроксилаппатита. 6 с. и 10 з.п. ф-лы, 6 ил.
2157431
патент выдан:
опубликован: 10.10.2000
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКРАШЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ (ЕГО ВАРИАНТЫ)

Использование: изобретения относятся к области выращивания синтетических монокристаллов и промышленно применимы при изготовлении ювелирных изделий. Изобретение позволяет получать синтетические монокристаллы, близкие и даже не отличимые по окраске от природных. В контейнер с охлаждаемыми стенками загружают шихту следующего состава, мол.%: оксид металла 18-57; оксид кобальта 0,28-3,0; оксид неодима 0,08-1,0; оксид циркония и/или гафния - остальное. Шихту нагревают с образованием расплава в слое гарнисажа. Направленную кристаллизацию расплава осуществляют путем перемещения контейнера относительно зоны нагрева. Затем контейнер выводят из зоны нагрева, а монокристаллы охлаждают. После этого монокристаллы отжигают в инертней атмосфере или вакууме при температуре от 500 до 1600oC в течение 0,5-6,0 ч. В альтернативном варианте в контейнер с охлаждаемыми стенками загружают шихту следующего состава, мол.%: оксид металла 8,0-48,0; оксид кобальта 0,1-15,0; оксид празеодима 2,0-28,0; оксид циркония и/или гафния - остальное. Для получения изумрудней окраски монокристаллы отжигают в инертной атмосфере или вакууме при температуре от 600 до 1400oC в течение 0,5-10 ч. 2 с. и 4 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл.
2134314
патент выдан:
опубликован: 10.08.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ (ЕГО ВАРИАНТЫ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.). Решается задача увеличения размеров монокристаллов и улучшения их оптической однородности. Шихта 8 содержит диоксид циркония и оксид стабилизирующего металла. На трубки 2 помещают слой 6 теплоизолирующей засыпки, шихту 8 и отходы монокристаллов 9. Расплавление шихты 8 и отходов 9, инициируемое металлом 10, осуществляют с помощью индуктора 4 и высокочастотного генератора 5, при одновременном охлаждении контейнера водой. Контейнер перемещают относительно катушки 4 со скоростью 0,5-1,5 мм/ч, если не используется реверсивное вращение контейнера и затравочные монокристаллы. Могут быть использованы реверсивное вращение контейнера и затравочные монокристаллы. Изобретение позволяет увеличить размеры монокристаллов и улучшить их оптическую однородность. 3 с. и 6 з.п. ф-лы, 2 ил.
2133787
патент выдан:
опубликован: 27.07.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКРАШЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ (ЕГО ВАРИАНТЫ)

Использование: изобретение относится к области выращивания синтетических монокристаллов и промышленно применимы при изготовлении ювелирных изделий. Технический результат - получение синтетических монокристаллов благородного красного цвета. В контейнер с охлаждаемыми стенками загружают шихту 8 следующего состава, вес.%:

Y2О3 - 10-40

Nd2О - 3-8

CeO2 - 2-4

ZrO2 - Остальное

Шихту 8 нагревают с образованием расплава в слое гарнисажа. Направленную кристаллизацию расплава осуществляют путем перемещения контейнера относительно зоны нагрева. Затем контейнер выводят из зоны нагревы, а монокристаллы охлаждают. После этого монокристаллы отжигают в инертной или разреженной атмосфере при давлении 10 -4 - 10-3 мм рт. ст. и температуре 500 - 1600oC в течение времени 1,0 - 2,0 ч, после чего температуру снижают со скоростью 400 - 1000oC в час. В альтернативном варианте в контейнер с охлаждаемыми стенками загружают шихту 8 следующего состава, вес.%:

Y2О3 - 10-40

Nd2О3 - 1-4

Pr2O3 - 2-8

ZrO2 - Остальное

Для получения красной окраски с александритовым эффектом монокристаллы отжигают в инертной или разреженной атмосфере при давлении 10 -4 - 10-3 мм рт.ст. и температуре 1200 - 1400oC в течение времени 1,0 - 2,0 ч, после чего температуру снижают со скоростью 400 - 1000oC в час. 2 с. и 4 з.п.ф-лы, 1 ил.
2132416
патент выдан:
опубликован: 27.06.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА

Изобретение может быть использовано в полупроводниковом материаловедении. Сущность изобретения: рост нитевидных кристаллов оксида цинка осуществляют на воздухе с использованием излучения CO2- лазера непрерывного действия. Изобретение позволяет получать нитевидные кристаллы без затравок и кристаллизационных камер. 1 ил.
2131951
патент выдан:
опубликован: 20.06.1999
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ДИОКСИДА ТИТАНА ИЗ РАСПЛАВА В ТИГЛЕ

Изобретение относится к способу выращивания кристаллов из расплава методом Чохральского с получением монокристаллов. В поверхности расплава предусмотрен регулятор с целью регулирования потока расплава по его поверхности, который включает цилиндрическую стенку, которая выполнена со средствами для открывания в виде щелей. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
2079581
патент выдан:
опубликован: 20.05.1997
СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ НАМАГНИЧЕННОСТИ МАГНИТНЫХ ОКСИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в микроэлектронике и оптоэлектронике для записи и считывания информации. Целью изобретения является обеспечение возможности перехода пленок EuO и Eu1-x SmxO из ферромагнитного состояния и парамагнитное. Способ включает освещение пленок светом с длиной волны 0,4 - 0,7 мкм при температуре жидкого азота с интенсивностью L(лк), исключающей нагрев пленок и удовлетворяющей условию , где Io - начальный темновой ток (mA); n - коэффициент, равный 1,2 - 1,5, и изменение магнитного состояния фиксируют по изменению энергии активации -E(эВ). Способ обеспечивает наиболее простое размагничивание пленок. 3 ил.
2077618
патент выдан:
опубликован: 20.04.1997
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ГИДРОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ

Изобретение относится к способу получения слоев гидроксидов металлов. Обработку подложки ведут раствором соли металла и щелочью, раздельно, последовательно и многократно с удалением после каждой из обработок избытка реагента промывкой, причем соль металла выбирают из числа солей этого металла с низшей степенью его окисления, а в раствор щелочи вводят окислитель металла с концентрацией 0,1 0,0001 М.
2051207
патент выдан:
опубликован: 27.12.1995
Наверх