ПАТЕНТНЫЙ ПОИСК В РФ
НОВЫЕ ПАТЕНТЫ, ЗАЯВКИ НА ПАТЕНТ
БИБЛИОТЕКА ПАТЕНТОВ НА ИЗОБРЕТЕНИЯ

Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой: .неорганические соединения или композиции – C30B 29/10

Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 29/00 Монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой, отличающиеся материалом или формой
C30B 29/10 .неорганические соединения или композиции

Патенты в данной категории

СПОСОБ СОЗДАНИЯ НА ПОДЛОЖКАХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА ВИСМУТ-СУРЬМА

Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что для получения монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма используют зонную перекристаллизацию сформированных путем напыления в вакууме однородных по составу поликристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма под защитным покрытием, температура плавления которого больше температуры плавления получаемой пленки, при большей скорости движения зоны, чем при выращивании объемных монокристаллов (для пленок твердых растворов висмут-сурьма более 1 см/ч против 0,05 мм/ч для объемных кристаллов). Изобретение обеспечивает получение монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма с равномерным распределением компонентов по объему.

2507317
патент выдан:
опубликован: 20.02.2014
ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к электронной технике, а именно - к материалам для изготовления полупроводниковых приборов с использованием эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Сущность изобретения заключается в использовании для выращивания эпитаксиальных слоев GaAs подложек из интерметаллических соединений, имеющих строго стехиометрический состав, а именно из лантанидов галлия GaLa3 и Ga3La5, цирконидов галлия Ga3Zr и Ga3Zr5, цирконида алюминия Al3Zr, церида алюминия CeAl2, бериллида палладия BePd, лантанида магния MgLa, лантанида алюминия Al 2La, станнида платины Pt3Sn, лантанида индия InLa, цирконида олова SnZr4, плюмбида платины Pt 3Pb. Предлагаемое изобретение позволяет существенно улучшить электрофизические параметры арсенида галлия за счет исключения диффузии компонентов подложки в эпитаксиальный слой. 1 табл.

2489533
патент выдан:
опубликован: 10.08.2013
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (SiC)1-x(AlN)x

Изобретение относится к технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов. Эпитаксиальные пленки твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x, где компонента х больше нуля, но меньше единицы, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре 1000°С магнетронным ионно-плазменным распылением, при этом распыление осуществляют в атмосфере аргона и азота из составной мишени, представляющей собой диск поликристаллического карбида кремния, заданная часть поверхности которого покрыта слоем химически чистого алюминия, причем концентрацию атомов Si, С, Al в осаждаемых пленках регулируют путем изменения площади слоя алюминия на поверхности мишени, а концентрацию азота - изменением соотношения давления азота к общему давлению в распылительной камере. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологии получения, в улучшении совершенства получаемых пленок и возможности получения пленок широкозонного твердого раствора (SiC)1-x(AlN) x во всем интервале составов. 3 ил., 1 пр.

2482229
патент выдан:
опубликован: 20.05.2013
ТИГЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЛИТКА КАРБИДА КРЕМНИЯ С НИТРИДОМ АЛЮМИНИЯ И ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ИХ ОСНОВЕ

Изобретение относится к устройствам для получения твердых растворов карбида кремния с нитридом алюминия, используемых в производстве силовых, СВЧ- и оптоэлектронных приборов, работающих при высокой температуре и в агрессивных средах. Тигель включает графитовый корпус 1 с гранулированным поликристаллическим источником 7, 8, крышку 12, пьедестал 13 и подложки 11, 17. В полости графитового корпуса 1 помещен съемный графитовый контейнер 3 со сквозным цилиндрическим каналом 4 и радиальными отверстиями 5, над контейнером установлена матрица 9 с отверстиями 10 и подложками 11, а полость контейнера 3 герметизируется прокладкой 16, крышкой 12 с резьбовым отверстием и гайкой 2, причем в резьбовое отверстие крышки 12 вкручен пьедестал 13 с глухим отверстием и установленной на его поверхности подложкой 17. Для уменьшения утечки потока тепловой энергии из контейнера в окружающее пространство через крышку и дно корпуса, а также для герметизации внутренней полости тигля от утечки паров засыпки применены прокладки из графитовой фольги - графлекса. Остальные детали выполнены из высокоплотного графита, полученного методом изостатического прессования (например, из графита марки МПГ-9Н). Изобретение обеспечивает повышение производительности труда, экономию материала, более точный контроль температуры подложки, получение в одном технологическом цикле и монокристаллического слитка, и гетероструктур. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

2425914
патент выдан:
опубликован: 10.08.2011
ФЕРРОМАГНИТНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА

Изобретение относится к области материалов и элементов спиновой электроники и может быть использовано для создания элементов спинтронных устройств, сочетающих источник и приемник поляризованных спинов носителей заряда в гетероструктуре: ферромагнитный полупроводник/немагнитный полупроводник. В устройствах спиновой электроники спин используется в качестве активного элемента для хранения, обработки и передачи информации при создании магнитоэлектронных элементов и приборов. Ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура для спинтроники включает ферромагнитную при температурах не менее 300 К пленку легированного полупроводникового диоксида титана на полупроводниковой подложке, при этом пленка диоксида титана легирована ванадием в количестве от 3 до 18 ат.% по отношению к титану, имеет кристаллическую структуру рутила и удельное электрическое сопротивление в диапазоне 0.01 до 0.1 Ом·см или в диапазоне от 2 до 20 кОм·см и эпитаксиально выращена на монокристаллической подложке диоксида титана в той же кристаллической модификации так, что гетероструктура отвечает формуле TiO2:V/TiO2. Гетероструктура предназначена для работы при комнатной и выше температурах и включает бескластерный ферромагнитный полупроводник с высокой намагниченностью, парамагнитный полупроводник и совершенный интерфейс между однородными материалами. Уникальное сочетание родственных ферромагнитного и полупроводникового слоев гетероструктуры на основе оксида титана, обеспечивающее высокое качество интерфейса, делает такие гетероструктуры перспективным продуктом для широкого практического использования в приборах спиновой электроники. 2 ил.

2425184
патент выдан:
опубликован: 27.07.2011
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТРЕХМЕРНОГО ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА НА ОСНОВЕ ПЛЕНКИ ОПАЛА С КРЕМНИЕМ

Изобретение относится к области оптических устройств, конкретно к созданию трехмерных фотонных кристаллов с полной фотонной запрещенной зоной, которые могут применяться в системах оптической связи и передачи информации. Способ включает осаждение пленки опала толщиной 5.0÷40.0 мкм из суспензии сферических частиц аморфного диоксида кремния в этиловом спирте со средним диаметром 880 нм, дисперсией диаметров частиц менее 1% и концентрацией 0.5÷2% об. на диэлектрическую подложку, сушку, осаждение в вакууме слоя аморфного кремния на внутреннюю поверхность пор пленки опала путем термического разложения смеси моносилана с аргоном с концентрацией 5% об. при давлении газовой смеси 50÷70 кПа, объемном расходе газовой смеси 0.02±0.01 см3 /мин, температуре 520÷540°C, продолжительности 5÷7 ч, травление пленки в водном растворе плавиковой кислоты для удаления сферических частиц аморфного диоксида кремния - инвертирование и повторные сушку и осаждение слоя аморфного кремния на внутреннюю поверхность пор пленки опала при тех же условиях. Способ решает задачу создания пленочного инвертированного композита опал-кремний с увеличенной шириной полной фотонной запрещенной зоны в спектральной области 1.5 мкм.

2421551
патент выдан:
опубликован: 20.06.2011
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ НАНОЧАСТИЦ SiO2

Изобретение относится к области получения оптических сред, включая среды с избирательным пропусканием, с высокой лучевой прочностью. Способ осуществляют путем гидролиза коллоидной суспензии из тетраэфира ортокремневой кислоты в органическом растворителе - этаноле в присутствии катализатора - аммиака, в котором тетраэфир ортокремневой кислоты предварительно прогревают в интервале температур 350-420 К в течение 150-240 минут при соотношении последнего и аммиака 25%-ной концентрации в интервале от 2:1 до 1,2:1. Технический результат изобретения заключается в повышение лучевой прочности оптической среды в области 120-600 ГВт/см. 2 ил.

2416681
патент выдан:
опубликован: 20.04.2011
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ КАЛЬЦИЙ-ФОСФАТНОГО ПОКРЫТИЯ

Изобретение относится к способу получения биоактивных кальций-фосфатных покрытий и может быть использовано при изготовлении ортопедических и зубных протезов. Способ получения на подложке кальций-фосфатного покрытия включает высокочастотное магнетронное распыление мишени из гидроксиапатита Са10(РO4 )6(ОН)2 в течение 15-150 мин с использованием в качестве рабочего газа аргона при его давлении в рабочей камере 0,1 Па. При этом осаждение покрытия проводят на подложку, размещенную над кольцевой областью прикатодного пространства магнетрона, где силовыми линиями магнитного поля магнетрона локализована плазма высокочастотного разряда и воздействие заряженных частиц на подложку максимально, при удельной мощности высокочастотного разряда 50 Вт·см-2, что обеспечивает формирование состава покрытия, соответствующего составу стехиометрического гидроксиапатита Са10(РO4)6(ОН) 2. При использовании способа происходит активизация кристаллизации покрытия в процессе его роста с образованием конечной фазы, соответствующей составу мишени. 6 ил.

2372101
патент выдан:
опубликован: 10.11.2009
ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. В качестве материала подложек для выращивания эпитаксиальных слоев нитрида галлия предложен ряд соединений - монокристаллы интерметаллидов, выбранные из группы, включающей силицид марганца (MnSi), силицид палладия (Pd2Si), станнат марганца (Mn3Sn), станнат железа (Fe3 Sn), фосфид ванадия (VP), цирконид алюминия (Zr3Al) с умеренными температурами плавления. Преимущества этого класса соединений в сравнении с известными заключаются в повышении качества выращиваемых на подложках из указанных соединений пленок нитрида галлия.

2369669
патент выдан:
опубликован: 10.10.2009
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ОКСИДА КРЕМНИЯ

Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов, которые могут быть использованы в квантовой оптоэлектронике и телекоммуникационной индустрии. Способ включает нагрев фотонных кристаллов из оксида кремния с модифицирующим агентом - кристаллофосфором йодидом цезия в вакууме при температуре не менее 800°С в течение не менее 15 час. Йодид цезия может быть активирован различными примесями (Na, Tl, In, СО3 и др.), обеспечивающими более яркую, по сравнению с чистым CsJ, радиолюминесценцию на разных длинах волн видимого спектра. Использование в качестве наполнителя йодида цезия, являющегося сцинтиллятором, обеспечивает хорошую смачиваемость микросфер оксида кремния его расплавом под действием капиллярных сил без приложения внешнего давления, позволяя получать оптически инвертированный композит с примерно таким же оптическим контрастом (отношением коэффициентов преломления сред, заполняющих микросферы и поры между ними), как и у исходного оксида кремния. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.

2358895
патент выдан:
опубликован: 20.06.2009
МОНОКРИСТАЛЛ ГЕКСАГИДРАТА СУЛЬФАТА ЦЕЗИЯ-НИКЕЛЯ, СПОСОБ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ФИЛЬТРА УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов гексагидрата сульфата цезия-никеля Cs2Ni(SO4)2 ·6H2O, которые предназначены для применения в качестве фильтров ультрафиолетового излучения в приборах обнаружения источников высокотемпературного пламени. Монокристалл выращивают из маточного раствора методом охлаждения. Предварительно маточный раствор и кристаллизатор с заранее размещенным внутри него затравочным кристаллом перегревают на 8-9°С выше температуры насыщения раствора. Затем заливают раствор в кристаллизатор, понижают температуру раствора до температуры, меньшей температуры насыщения на 0.1-0.5°С, начинают перемешивание раствора, термостатируют раствор при указанной температуре в течение 20-28 часов, после чего производят поэтапное снижение температуры раствора, на первом этапе температуру раствора снижают на 0.5-2°С, а на втором этапе снижение температуры ведут со скоростью от 0.6°С до 4°С в сутки, по завершении второго этапа раствор сливают, снижают температуру внутри кристаллизатора до комнатной и затем извлекают монокристалл из кристаллизатора. Монокристалл сохраняет термостабильность неограниченное время вплоть до температуры 130°С, что повышает эксплуатационную надежность приборов, в которых он используется, и пропускает ультрафиолетовое излучение в диапазоне волн от 220 до 320 нм. Приведены параметры решетки кристалла, ( ): а=6.3576(8), b=12.7660(17), с=9.2550(10), =106.97(01)°, V=718.4 3, Z=2, dвыч=2.887 г·см -3. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.

2357020
патент выдан:
опубликован: 27.05.2009
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК РАСТВОРОВ (SiC) 1-x(AlN)x

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC). Эпитаксиальные пленки твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия (SiC)1-x (AlN)x, где 0<х<1, получают путем осаждения твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6H при температуре 1000°С ионно-плазменным магнетронным распылением мишени из поликристаллического твердого раствора (SiC) 1-x(AlN)x, где 0<х<1, при этом распыление мишени ведут при воздействии переменного тока с частотой 13,56 МГц. Изобретение позволяет получать монокристаллические пленки высокого совершенства во всем диапазоне изменения химического состава, а также увеличить эффективность распыления высокоомных мишеней. 3 ил.

2333300
патент выдан:
опубликован: 10.09.2008
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКОГО МАЛАХИТА

Изобретение относится к изготовлению искусственно выращенных камней и может быть использовано в ювелирной промышленности и ювелирно-прикладном искусстве. Способ получения синтетического малахита заключается в том, что готовят исходный рабочий раствор путем растворения основной углекислой меди в растворе карбоната аммония, содержащем избыточную мольную концентрацию аммиака по отношению к мольному содержанию углекислоты. Объем исходного рабочего раствора разделяют на две части перегородкой, проницаемой для жидкой и газовой фазы, причем в верхней части находится зона растворения, куда помещают твердую основную углекислую медь, а в нижней части находится зона кристаллизации, куда предварительно устанавливают металлические или полимерные элементы будущих изделий и где осуществляют последующее выпаривание раствора при температуре 40-95°С. После выпаривания конденсируют образующуюся парогазовую смесь, а полученный конденсат в виде водного раствора карбоната аммония возвращают в зону растворения для осаждения из упаренного раствора кристаллов синтетического малахита на поверхности металлических или полимерных элементов, установленных в зоне кристаллизации. В зоне растворения поддерживают температуру на 20-30°С ниже, чем в зоне кристаллизации. Концентрацию меди (II) в исходном рабочем растворе устанавливают равной 45-60 г/л. Техническим результатом изобретения является улучшение художественно-декоративных характеристик синтетического малахита, заключающихся в получении малахита с любыми разновидностями текстуры, прежде всего, почковидной и плисовой текстуры с разнообразной цветовой гаммой материала и узором, заранее задаваемыми художниками-дизайнерами для изготовления будущих изделий. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

2308554
патент выдан:
опубликован: 20.10.2007
ФЕРРОМАГНИТНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием. В устройствах спинтроники электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов. Предлагается ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура, включающая цинк, кремний, мышьяк и марганец, которая представляет собой тройное соединение арсенида цинка и кремния, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, указанное соединение синтезировано на подложке монокристаллического кремния и отвечает формуле ZnSiAs 2:Mn/Si, при этом гетероструктура получена путем напыления пленки марганца и диарсенида цинка на подложку кремния с последующей термической обработкой. Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств гетероструктуры с температурой Кюри значительно выше комнатной и совместимость с кремниевой технологией делает ее перспективным продуктом для широкого практического использования. 2 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"Journal of Korean Physical Society. 46 (4), 2005, 977-980, (реферат [он-лайн] [найдено 26.10.2006]. STN International. Database. CA. AN 143: 237409.

2305723
патент выдан:
опубликован: 10.09.2007
МАГНИТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам германия и кадмия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов. Предлагается полупроводниковый материал, характеризующийся температурой Кюри 329-355 К, который включает германий, кадмий, мышьяк и марганец, представляет собой тройное соединение арсенида германия и кадмия, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, и отвечает формуле CdGeAs2<Mn>, при этом в указанном тройном соединении атомами марганца замещаются как атомы кадмия, так и атомы германия. Изобретение позволяет получить материал с уникальным сочетанием полупроводниковых и ферромагнитных свойств, что делает его перспективным материалом для широкого практического использования. 1 табл., 2 ил.

2282685
патент выдан:
опубликован: 27.08.2006
ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов. В качестве материалов подложек для выращивания пленок GaAs ориентации (100) используются монокристаллы интерметаллических соединений, выполненные из одного из бинарных сплавов: NiAl, CoAl, AlTi, NiGa. Изобретение позволяет выращивать зеркальные эпитаксиальные пленки арсенида галлия в более широком диапазоне температур осаждения и пересыщения, обеспечивает упрощение технологии изготовления приборов и снижает их стоимость. 2 з.п. ф-лы.

2267565
патент выдан:
опубликован: 10.01.2006
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ SiC-AlN

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов. Сущность изобретения: Способ получения эпитаксиальных слоев твердого раствора карбида кремния с нитридом алюминия SiC-AlN, включает осаждение твердого раствора на монокристаллическую подложку SiC-6Н при температуре 1000°С магнетронным ионно-плазменным распылением, осуществляемым из одной мишени поликристаллического твердого раствора SiC-AlN, изготовленной путем горячего прессования смеси порошков SiC и AlN. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологии получения слоев, в улучшении их однородности и уменьшении энергетических затрат. 3 ил.

2260636
патент выдан:
опубликован: 20.09.2005
ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК И СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации. Сущность изобретения: предложен класс материалов - моносилициды переходных металлов IV-периода и твердые растворы на их основе - в качестве материала подложек для роста эпитаксиальных слоев нитридов галлия. Преимущества этого класса соединения заключаются в возможности выращивания больших и совершенных кристаллов при умеренных температурах существующими методами и в лучшем согласовании их кристаллических решеток с растущими на них эпитаксиальными слоями нитрида галлия.
2209861
патент выдан:
опубликован: 10.08.2003
ПОДЛОЖКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации. Сущность изобретения: в качестве материала подложек для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия предложено использовать антимониды металлов четвертого периода периодической системы элементов, что существенно упрощает технологию выращивания и снижает цену подложек и приборов, изготовленных на их основе.
2209260
патент выдан:
опубликован: 27.07.2003
КРЕМНЕГЕРМАНИЕВЫЙ КРИСТАЛЛ

Изобретение касается получения полупроводникового материала, являющегося предпочтительным для изготовления термоэлектрических устройств. Сущность изобретения: предложен SiGe кристалл с размером кристаллических зерен объемом от 5 10-5 мм3 или более. SiGe кристалл обладает улучшенным индексом полезности и превосходной обрабатываемостью резанием, может быть использован в качестве материала для изготовления термоэлектрического устройства, которое сохраняет свои характеристики и не растрескивается при эксплуатации. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 2 табл., 8 ил.
2206643
патент выдан:
опубликован: 20.06.2003
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3). Сущность изобретения: рассматриваются способ и устройство для гидротермального выращивания кристаллов в сосуде под давлением, содержащем питание кристаллов, погруженное в минерализующий раствор. Устройство размещается в сосуде под давлением выше минерализующего раствора. Устройство включает ограничительный кожух, имеющий противоположные главные стенки с проходящими через них каналами. Ограничительный кожух полностью окружает затравочную пластину, имеющую противоположные главные поверхности. Удерживающее устройство удерживает затравочную пластину в ограничительном кожухе так, что главные поверхности затравочной пластины отстоят с интервалом внутрь от главных стенок. Изобретение позволяет получить кристаллы, имеющие форму и размер, ведущие к эффективному промышленному использованию. 5 с. и 33 з.п. ф-лы, 8 ил.
2198968
патент выдан:
опубликован: 20.02.2003
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РАСТВОР-РАСПЛАВА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ -BAB2O4

Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе. Сущность изобретения: двустадийным твердофазным синтезом получают шихту путем нагрева смеси карбоната бария, карбоната натрия и борной кислоты при 180-200oС в течение 16-20 ч и при 680-700oС в течение 8 ч. Для многократного использования приготовленного раствор-расплава в ростовых процессах после каждого цикла роста в оставшийся раствор-расплав добавляют основное соединение - метаборат бария, масса которого равна массе выращенного кристалла. Метаборат бария получают двустадийным твердофазным синтезом из смеси карбоната бария и борной кислоты в соответствии с режимами проведения твердофазного синтеза шихты, причем температура второй стадии составляет 780-800oС. Изобретение позволяет упростить способ расплавления и решает задачу повышения воспроизводимости получения заданного состава раствор-расплава. 1 з.п. ф-лы.
2195520
патент выдан:
опубликован: 27.12.2002
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОПТИЧЕСКОГО КАЛЬЦИТА

Использование: указанные кристаллы благодаря высокому двулучепреломлению широко применяются в качестве материала для поляризаторов света, лучеразводящих элементов, быстродействующих лазерных затворов и в других оптических устройствах. Сущность изобретения: монокристаллы оптического кальцита получают гидротермальным методом, включающим нагрев и перекристаллизацию карбоната кальция на затравки из смешанного раствора галогенида лития и галогенида аммония при наличии температурного перепада, в качестве затравок используют пластины кальцита, ориентированные параллельно грани пинакоида (0001), а соотношение концентраций галогенида лития и галогенида аммония в растворе соответственно (25): 1. Получают высококачественное оптическое, наиболее выгодное для изготовления оптических деталей кристаллосырье. 1 табл.
2194806
патент выдан:
опубликован: 20.12.2002
КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ПЕРЕСЫЩЕННОГО РАСТВОРА

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п. Сущность изобретения: предложен кристаллизатор, состоящий из термостата, емкости для выращивания кристалла, внутри которой размещен кристаллоносец, причем конструкция кристаллоносца, снабженная системой определенным образом выполненных каналов, позволяет выращивать бездефектные кристаллы высокого качества. 4 з.п.ф-лы, 4 ил.
2165486
патент выдан:
опубликован: 20.04.2001
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В ДОМАШНИХ УСЛОВИЯХ

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей. Сущность изобретения заключается в том, что создают раствор исходного вещества, например медного купороса CuSO4 5H2O или красной кровяной соли K3Fe(CN)4, в воде до получения насыщенного раствора с последующим подогревом до 45oC, получают ненасыщенный раствор, в который при температуре Tкомн + 8oС вводят затравку, предварительно выращенную на леске с грузиком и петлей, после чего охлаждают раствор до комнатной температуры до получения пересыщенного раствора, что позволяет выращивать крупные кристаллы нужных размеров и декоративной формы. В качестве исходных растворов помимо указанных используют водные растворы минеральных солей: никелевого купороса NiSO4 7H2O, магния сернокислого MgSO4 7H2O, калия двухромовокислого K2Cr2O7, желтой кровяной соли K4 [Fe(CN)6] 3H2O, марганца двухлористого MnCl2 4H2O, меди двухлористой CuCl2 2H2O и др. Изобретение позволяет получать чистые монокристаллы или сростки кристаллов декоративной формы. 6 з.п.ф-лы, 3 ил.
2130978
патент выдан:
опубликован: 27.05.1999
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ВЕЩЕСТВ

Использование: материалы для электротехнической и инструментальной промышленности и техники высоких температур. Сущность изобретения; исходную шихту плавят в холодном контейнере в пульсирующем режиме, расплавляя и охлаждая до 0,8 - 1,0 температуры плавления 2 - 7 раз. После каждого охлаждения проводят выдержку 0,1 - 20 мин. Получают игольчатые и пластинчатые монокристаллы размером до 3,5 м. 1 табл.
2072399
патент выдан:
опубликован: 27.01.1997
Наверх