Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы: ..реакционные камеры, выбор материалов для них – C30B 25/08
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 25/00 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
C30B 25/08 ..реакционные камеры; выбор материалов для них
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ И РЕАКТОР ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Изобретение может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, способных работать при высоких температурах. Сущность изобретения: способ эпитаксиального выращивания объемных монокристаллов карбида кремния путем химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности подложки (10) в реакторе горизонтального типа включает подачу в камеру реактора с установленной в ней, по меньшей мере, одной подложкой (10) газообразных реагентов, содержащих кремний и углерод, нагрев стенок камеры до температуры в пределах интервала 1800- 2500°С и нагрев подложки (10). Реагенты подают в камеру раздельно, реагент, содержащий кремний, - по каналу (7) вдоль камеры, а реагент, содержащий углерод, - с двух боковых сторон по каналам (14). Смешение реагентов происходит непосредственно в зоне ростовой поверхности подложки (10). Изобретение позволяет получать объемные монокристаллы SiC высокого качества и большой толщины с низкими производственными затратами и высокой производительностью. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 2 ил. | 2162117 патент выдан: опубликован: 20.01.2001 |
|
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ И ПОКРЫТИЙ ИЗ НИТРИДА БОРА Изобретение относится к высокотемпературному газофазному осаждению. Устройство содержит реактор с графитовой подложкой внутри, обогреваемый индуктор, снабженный радиационным экраном и газовводом. Подложка размещена внутри радиационного экрана, выполненного из нитрида бора, плотно соединенного с газовводом. Улучшается качество изделий и покрытий. 1 ил. | 2042751 патент выдан: опубликован: 27.08.1995 |
|