Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы: ..разбрызгиванием продуктов реакции – C30B 25/06
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 25/00 Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы
C30B 25/06 ..разбрызгиванием продуктов реакции
Патенты в данной категории
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ Сущность изобретения: устройство состоит из камеры для получения парогазовой смеси, вакуумной камеры и разделительного клапана между ними. Эффективность процесса осаждения кристаллов на подложке повышается за счет того, что в канале, соединяющем камеры, размещена форсунка, обеспечивающая формирование газового потока в виде узконаправленного газового факела в направлении подложки, выполненной в виде плоского нагревательного элемента и размещенной в вакуумной камере. 1 з. п. ф-лы, 1 ил. | 2049830 патент выдан: опубликован: 10.12.1995 |
|
| СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ АЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ В ПЛАЗМЕННОЙ СТРУЕ Изобретение относится к методам химического газофазного осаждения покрытий, в частности в струе термической плазмы. В способе для осаждения алмазного покрытия используют в качестве газа-носителя воздух, а углеводород добавляют в область взаимодействия струи с подложкой. 1 з.п. ф-лы, 1 ил. | 2040600 патент выдан: опубликован: 25.07.1995 |
|