Выращивание монокристаллов путем химических реакций реакционноспособных газов, например химическим осаждением из паровой фазы: .выращивание эпитаксиальных слоев – C30B 25/02

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического алмазного материала для электроники и ювелирного производства. Способ включает выращивание монокристаллического алмазного материала методом химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD) на главной поверхности (001) алмазной подложки, которая ограничена по меньшей мере одним ребром <100>, длина упомянутого по меньшей мере одного ребра <100> превышает наиболее длинное измерение поверхности, которое является ортогональным упомянутому по меньшей мере одному ребру <100>, в соотношении по меньшей мере 1,3:1, при этом монокристаллический алмазный материал растет как по нормали к главной поверхности (001), так и вбок от нее, и во время процесса CVD значение составляет от 1,4 до 2,6, где =( 3×скорость роста в <001>) ÷ скорость роста в <111>. Изобретение позволяет получать имеющие большую площадь алмазные материалы с низкой плотностью дислокаций. 2 н. и 12 з.п. ф-лы, 8 ил., 3 пр.

Изобретение относится к устройству для осаждения атомного слоя и к способу загрузки этого устройства. Устройство содержит реакторы ALD, каждый из которых выполнен с возможностью приема партии подложек для ALD-обработки и включает реакционную камеру с верхней загрузкой, систему крышек, подъемное устройство для подъема системы крышек для загрузки реакционной камеры, и загрузочный робот. Загрузочный робот включает захватную часть и устройство перемещения, при этом загрузочный робот выполнен с возможностью осуществления нескольких операций загрузки для загрузки каждого из реакторов ALD. Каждая операция загрузки включает подхват захватной частью в зоне или на полке складирования держателя подложек c партией подложек, перемещение устройством перемещения держателя подложек с партией подложек в реакционную камеру соответствующего реактора ALD и опускание упомянутого держателя подложек вертикально сверху в соответствующую реакционную камеру. Повышается автоматизация устройства и его производительность. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии производства синтетического алмазного материала, который может быть использован в электронных устройствах. Алмазный материал содержит одиночный замещающий азот в концентрации более примерно 0,5 ч/млн и имеющий такое полное интегральное поглощение в видимой области от 350 нм до 750 нм, что по меньшей мере примерно 35% поглощения приписывается . Алмазный материал получают путем химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD) на подложку в среде синтеза, содержащей азот в атомной концентрации от примерно 0,4 ч/млн до примерно 50 ч/млн, при этом газ-источник содержит: атомную долю водорода, H_f, от примерно 0,40 до примерно 0,75; атомную долю углерода, C_f, от примерно 0,15 до примерно 0,30; атомную долю кислорода, O_f, от примерно 0,13 до примерно 0,40; причем H_f+C_f+O_f =1; отношение атомной доли углерода к атомной доле кислорода, C_f:O_f, удовлетворяет соотношению примерно 0,45:1<C_f:O_f< примерно 1,25:1; а газ-источник содержит атомы водорода, добавленные в виде молекул водорода, Н₂, при атомной доле общего числа присутствующих атомов водорода, кислорода и углерода между 0,05 и 0,40; при этом атомные доли H_f, C_f и O_f представляют собой доли от общего числа атомов водорода, кислорода и углерода, присутствующих в газе-источнике. Изобретение позволяет получать алмазный материал с относительно высоким содержанием азота, который равномерно распределен, и который свободен от других дефектов, что обеспечивает его электронные свойства. 4 н. и 13 з.п. ф-лы, 11 ил., 6 пр.

Изобретение относится к технологии химического осаждения из газовой фазы алмазных пленок и может быть использовано, например, для получения алмазных подложек, в которых монокристаллический и поликристаллический алмаз образует единую пластину, используемую в технологии создания электронных приборов на алмазе или применяемую в рентгеновских монохроматорах, где необходимо осуществить теплоотвод от монокристаллического алмаза. Получение пластин монокристаллического и поликристаллического алмаза большой площади включает в себя расположение, не соприкасаясь друг с другом, монокристаллов-затравок с ориентацией поверхности (100) на подложкодержателе, создание центров нуклеации на поверхности подложкодержателя, свободной от монокристаллов-затравок, одновременное осаждение CVD методом эпитаксиального слоя на поверхности монокристаллов-затравок и поликристаллической алмазной пленки на остальной поверхности подложкодержателя. В результате химического осаждения из газовой фазы алмаза происходит сращивание монокристаллического и поликристаллического алмаза по боковой поверхности монокристаллов-затравок с образованием алмазной пластины большой площади, содержащей срощенные вместе монокристаллический и поликристаллический алмаз. Для получения плоскопараллельной пластины CVD алмаза выращенную комбинированную алмазную подложку шлифуют с обеих сторон. Изобретение обеспечивает получение пластин монокристаллического и поликристаллического CVD алмаза большой площади (диаметром более 75 мм и толщиной 200-300 мкм), имеющих общую гладкую внешнюю поверхность. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Изобретение относится к способу изготовления высококачественных пластин нитрида галлия эпитаксиальным выращиванием с низкой плотностью дислокации на подложке и отделением от исходной подложки, а также к полупроводниковым пластинам, имеющим кристалл GaN. Способ изготовления монокристалла нитрида эпитаксиальным выращиванием на основе (100), включающей плоскость роста (105), включает этапы: образование жертвенного слоя (101) на основе (100), образование столбиков (102) на указанном жертвенном слое, выращивание слоя нитридного кристалла (103) на столбиках при таких условиях выращивания, что этот слой нитридного кристалла не проходит вниз к основе в углубления (107), образованные между столбиками, удаление слоя нитридного кристалла с основы. Причем указанные столбики (102) изготовлены из материала, совместимого с эпитаксиальным выращиванием GaN, а соотношение D/d высоты D одного столбика к расстоянию d между двумя соседними столбиками больше или равно 1,5. Изобретение позволяет осуществить способ изготовления свободностоящих подложек GaN с низкой плотностью дислокаций и их равномерным распределением. 4 н. и 17 з.п. ф-лы, 34 ил., 4 пр.

Изобретение относится к оптико-механической промышленности, в частности к оптическим материалам, применяемым в устройствах и приборах инфракрасной техники, и может быть использовано для изготовления защитных входных люков (окон), обеспечивающих надежное функционирование приборов. Композиционный оптический материал включает основу в виде прозрачной пластины-подложки, выполненной из ZnSe, выращенной методом химического осаждения пара (CVD), на полированную поверхность которой нанесен защитный слой ZnS, который получен методом физического осаждения пара (PVD), причем сцепление пластины-подложки ZnSe с защитным слоем ZnS обеспечено оптически прозрачным переходным слоем в виде непрерывного ряда твердых растворов ZnSe_xS_1-x, где x изменяется от 0 до 1 за счет взаимодиффузии серы и селена, соответственно, в слои ZnSe и ZnS. Композиционный оптический материал ZnSe/ZnS обладает улучшенной прозрачностью в видимой и ближней области спектра при сохранении высокой механической прочности подложки ZnSe, повышенной адгезией слоя ZnS к подложке при сохранении величины микротвердости слоя ZnS. 2 н.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического бесцветного алмаза химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ), который может быть использован для оптических и ювелирных применений. Способ включает подготовку подложки, использование атмосферы синтеза ХОПФ-алмаза, содержащей азот в концентрации в пределах от 300 частей на миллиард (ppb) до 30 частей на миллион (ppm), и добавление в атмосферу синтеза газа, содержащего бор в концентрации в пределах от 0,5 ppb до 0,2 ppm; причем бор добавляют в атмосферу синтеза управляемым образом так, что обеспечивается стабильность концентрации бора лучше 20% и в количестве, выбранном с обеспечением уменьшения негативного влияния на цвет алмаза, оказываемого азотом, где доминирующий объем по меньшей мере 80% монокристаллического алмаза обладает по меньшей мере одной из следующих характеристик: спектр поглощения, измеренный при комнатной температуре, соответствующий цвету стандартного круглого бриллианта весом 0,5 карат, лучше, чем К по цветовой шкале Американского геммологического института (GIA), а коэффициент поглощения, измеренный при комнатной температуре, на длине волны 270 нм составляет менее 2,9 см^-1, на длине волны 350 нм - менее 1,5 см^-1, на длине волны 520 нм - менее 0,45 см^-1 и на длине волны 700 нм - менее 0,18 см^-1; и при этом этот монокристаллический ХОПФ-алмаз имеет толщину более 0,1 мм; концентрация азота в доминирующем объеме алмаза находится в пределах от 1·10¹⁴ до 5·10¹⁷ атомов/см³, а концентрация бора - от 3·10¹⁴ до 1·10¹⁷ атомов/см ³. Изобретение позволяет получать бесцветный или почти бесцветный монокристаллический алмаз для производства драгоценных камней и оптических устройств. 2 н. и 13 з.п. ф-лы, 3 ил., 6 табл., 9 пр.

Изобретение относится к технологии неорганических веществ и материалов. Способ включае выращивание алмазного покрытия химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера которой содержит 5-30% метана на единицу объема H₂, на поверхности изделий из вольфрама, имеющих осевую симметрию вдоль оси вращения, в игольчатых держателях так, чтобы тело вращения могло свободно вращаться соосно своей оси и подвергаться осевому перемещению со скоростью перемещения радиальной образующей в пределах 10-50 мм/ч. 2 ил.

Изобретение относится к оборудованию для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении (ХОГФПД) и может быть использовано при формировании и диэлектрических, полупроводниковых и проводящих слоев в производстве. Реактор в виде горизонтальной трубы, герметизированный от атмосферы, включает нагреватель, вводы для газов, откачной трубопровод с затвором и клапаном медленной откачки, вакуумный насос. В реакторе установлен подложкодержатель, состоящий из нижнего основания 9 в виде полуцилиндра, содержащий секции 10, 11 носителей подложек 14, выполненные из двух торцовых фланцев, по торцам которых прикреплены полосковые носители 12 с прорезями 13 для подложек 14, секции скреплены внутренними торцовыми фланцами, по периметру торцовых фланцев и внешней стороне полосковых носителей 12 закреплен перфорированный кожух 15, к внешним торцовым фланцам нижнего основания 9 прикреплены дополнительные фланцы 17, обеспечивающие коаксиальное расположение подложкодержателя в реакторе, нижнее основание 9 закрыто верхним кожухом с перфорацией в виде полуцилиндра с радиусом, равным радиусу нижнего основания, кожухи перфорированы в шахматном порядке. Подложкодержатель выполнен из листового титана. Его размеры удовлетворяют условию: L(R _p-r_п)^-1=2, где L - расстояние между подложками, R_p - внутренний радиус нижнего и верхнего кожухов; r_п - радиус подложки. Под подложкодержателем может быть установлена, по крайней мере, одна трубка, перфорированная отверстиями, по длине, равной зоне осаждения реактора. Техническим результатом изобретения является уменьшение неоднородности толщины осаждаемого слоя, увеличение долговечности устройства, упрощение технологии его изготовления, снижение себестоимости получения диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев для производства интегральных микросхем. 3 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 пр.

Изобретение относится к хлорсилановой технологии получения поликристаллического кремния и может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов и электронных приборов. Способ осуществляют в реакторе путем водородного восстановления смеси хлорсиланов с термическим разложением силана и осаждения до необходимой толщины слоя поликристаллического кремния на нагретую до 1100-1200°С стержневую основу, при этом на кремниевую стержневую основу сначала осаждают поликристаллический кремний до получения слоя толщиной около 2 мм, затем поверхность этого слоя поляризуют приложением к ней положительного потенциала 8-10 В относительно основы и осаждают рыхлый слой поликристаллического кремния толщиной 1,5-2,0 мм, после чего поляризационный потенциал отключают и продолжают осаждение поликристаллического кремния до получения слоя необходимой толщины. Изобретение направлено на упрощение процесса снятия осажденного на стержневую основу слоя поликристаллического кремния. 1 ил.

Изобретение относится к изготовлению слоя бесцветного алмаза (монокристаллического и поликристаллического) химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ-алмаза), который может быть использован, например, для оптических применений или в качестве драгоценных камней. Способ включает подготовку подложки, использование атмосферы ХОПФ-синтеза, содержащей азот в концентрации более 300 частей на миллиард (ppb), и добавление в атмосферу синтеза второго газа, содержащего атомы кремния в качестве примесных атомов второго типа, причем примесные атомы второго типа добавляют управляемым образом в количестве, обеспечивающем уменьшение негативного влияния на цвет, оказываемого азотом, при этом слой монокристаллического алмаза имеет толщину более 0,1 мм, концентрация кремния в доминирующем объеме слоя алмаза меньше или равна 2·10⁸ атомов/см ³, концентрация азота в доминирующем объеме слоя алмаза больше 2·10¹⁶ атомов/см³ и меньше или равна 2·10¹⁷ атомов/см³, а отношение концентрации азота к концентрации кремния в доминирующем объеме слоя алмаза составляет от 1:20 до 20:1. Добавление газа-источника, содержащего кремний, противодействует негативному воздействию на цвет алмаза, оказываемому содержащимся в атмосфере ХОПФ-синтеза азота. Изобретение обеспечивает получение бесцветного, обладающего малым оптическим поглощением алмаза высокой чистоты. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 6 табл., 3 ил.

Изобретение относится к технологии выращивания слоя нитрида галлия с использованием эпитаксии металлоорганических соединений из газовой фазы и получению нитридного полупроводникового устройства. Способ включает инжекцию в реактор газа - источника азота и газа - источника галлия для выращивания слоя нитрида галлия, причем инжекция газа - источника азота и газа -источника галлия включает инжекцию в реактор газа, содержащего атомы индия при температуре от 850 до 1000°С, так, что вакантный центр поверхности, определяющий раковину, сформированную на выращиваемом слое нитрида галлия, объединяется вместе с атомами галлия или атомами индия для заполнения раковины, и реактор имеет внутреннее давление от 200 до 500 мбар. Изобретение обеспечивает улучшение поверхностной морфологии слоя нитрида галлия за счет снижения количества раковин, образуемых на его поверхности. Такой слой используется для изготовления нитридного полупроводникового устройства с улучшенными рабочими характеристиками. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 12 ил.

Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Реактор для синтеза гетероэпитаксальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке путем химического осаждения из газовой фазы включает кварцевую трубу с размещенным в ней контейнером 5 с подложкой 1, нагреватели 6 с резистивным или индукционным типом нагрева и средства подачи в зону синтеза компонентов пленки и водорода, при этом средство подачи водорода содержит активный водород и выполнено в виде трубок 9, расположенных в верхней и нижней стенках контейнера 5 и содержащих отверстия, направленные по нормали к подложке 1, а средство подачи компонентов пленки размещено в испарителе 10 с газораспределительным кольцом с отверстиями, через которые данные компоненты вводятся в зону синтеза параллельно подложке, при этом указанные средства подачи размещены отдельно друг от друга. Отличительная особенность реактора заключается в том, что нагреватели и подложки располагаются параллельно, образуя сэндвич. Данная конструкция позволяет более эффективно использовать излучение от каждого нагревателя. Синтез пленки карбида кремния осуществляют в условиях пониженного давления от 5·10² до 5·10^-2 Па на поверхности как минимум двух кремниевых подложек, имеющих температуру от 800 до 1380°С, и при температуре водорода выше температуры подложки и компонентов пленки как минимум на 100°С. Изобретение позволяет синтезировать высококачественные гетероэпитаксиальные монокристаллические пленки карбида кремния на кремнии при температурах до 1400°С. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к области химической технологии получения покрытий так называемых сверхпроводящих проводников второго поколения. Способ получения двухстороннего сверхпроводника второго поколения методом химического осаждения металлоорганических соединений из паровой фазы в трубчатом реакторе химического осаждения заключается в том, что сначала в трубчатом реакторе одновременно на две стороны движущейся длинномерной подложки осаждают из паров металлорганических соединений буферный слой при температуре 350-850°С, а затем, в указанном реакторе, одновременно на две стороны движущейся длинномерной подложки на нанесенный буферный слой осаждают из паров металлоорганических соединений сверхпроводящий слой при температуре 650-850°С, при этом нагрев трубчатого реактора осуществляют с помощью нагревательных элементов, расположенных вдоль внешней поверхности трубчатого реактора, давление в трубчатом реакторе поддерживают равным 0,1-100 Мбар, металлоорганические соединения предварительно испаряют в испарителе при температуре 150-300°С и газом-носителем подают в зону осаждения трубчатого реактора, движение подложки осуществляют со скоростью 1-10 м/час, а с двух противоположных сторон трубчатый реактор продувают газообразным потоком. Изобретение позволяет наносить буферный и сверхпроводящий слой одновременно на обе стороны длинномерной металлической ленты-носителя и тем самым удвоить величину критического тока единичного проводника, расширить выбор типов используемых подложек, снизить температуру осаждения при повышении качественных характеристик осаждаемых буферных и сверхпроводящих слоев, повысить давление проведения процесса. 12 з.п. ф-лы, 1 табл., 10 ил.

Изобретение относится к технологии маркировки алмазного материала. Способ встраивания производственной марки или идентификационной метки в монокристаллический алмазный материал, полученный методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), включает подготовку алмазной подложки и исходного газа, диссоциацию исходного газа, посредством чего обеспечивают процесс гомоэпитаксиального роста алмаза, и для получения производственной марки или идентификационной метки в синтетическом алмазном материале вводят в процессе синтеза контролируемым образом, по меньшей мере, одну допирующую добавку химического элемента, выбранного из группы, включающей азот, бор и кремний, в форме дефектных центров, испускающих при возбуждении излучение с характерной длиной волны и в такой концентрации, чтобы производственная марка или идентификационная метка при нормальных условиях наблюдения не была легко обнаруживаемой или не влияла на воспринимаемые качества алмазного материала, но была обнаруживаемой или становилась обнаруживаемой при освещении светом с длиной волны, возбуждающей дефектные центры, величина которой меньше упомянутой характерной длины волны излучения, испускаемого дефектными центрами, и видимой при условиях наблюдения, в которых это освещение не видимо для наблюдателя. Изобретение позволяет упростить определение синтетической природы алмазного материала. 2 н. и 50 з.п. ф-лы, 19 ил.

Изобретение относится к технологии получения пластин из монокристаллического алмаза, выращенного методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) на подложке. Выращенный алмаз делят поперек поверхности подложки с получением пластины, главные поверхности которой расположены поперек поверхности подложки. В результате получают пластины большой площади, которые, по существу, не имеют дефектов поверхности. 5 н. и 36 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического алмазного материала и может быть использовано в оптике для изготовления оптических и лазерных окон, оптических рефлекторов и рефракторов, дифракционных решеток и эталонов. Алмазный материал получают методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) в присутствии контролируемого низкого уровня азота, что позволяет контролировать развитие кристаллических дефектов и таким образом получить алмазный материал, обладающий основными характеристиками, необходимыми для использования в оптике. 6 н. и 69 з.п. ф-лы, 8 табл., 9 ил.

Изобретение относится к области получения цветных алмазов, используемых, например, в декоративных целях. Способ преобразования цветного монокристаллического алмаза в другой цвет включает стадии, на которых цветной монокристаллический алмаз получают методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) и осуществляют термическую обработку полученного алмаза при температуре от 1200 до 2500°С и давлении, стабилизирующем алмаз, или в инертной или стабилизирующей атмосфере. Полученный монокристаллический алмаз может иметь форму толстого слоя или фрагмента слоя, например, ограненного как драгоценный камень. Изобретение позволяет получать алмазы с широким диапазоном цветовой гаммы (от бесцветного до различных фантазийных цветовых оттенков). 5 н. и 56 з.п. ф-лы, 5 ил., 6 табл.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии осаждения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев при пониженном давлении. Устройство для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении включает камеру осаждения, состоящую из внутреннего реактора в виде горизонтальной трубы с продольными отверстиями, равномерно расположенными в шахматном порядке на ее стенках, установленной коаксиально внешнему реактору, выполненному в виде горизонтальной трубы, образующему с внутренним реакторам камеру подачи газореагентов, снабженную патрубками для ввода газореагентов, откачную систему, снабженную тремя вакуумными затворами, два из которых расположены в откачной системе вакуумного насоса, подсоединенной к концам камеры осаждения через камеры откачки, а третий затвор размещен между ними, симметрично камере осаждения, и нагреватель. Камера подачи газореагентов снабжена дополнительным патрубком, выполненным в виде вакуумированной кварцевой трубки, введенной до середины камеры подачи газореагентов, при этом выходное отверстие дополнительного патрубка расположено между продольными отверстиями внутреннего реактора. Предложенная конструкция реактора обеспечивает создание изотермическиих и изобарических условий осаждения слоев, что приводит к устранению неоднородности свойств слоев по зоне осаждения (сопротивления, скорости травления, размера зерен, направления роста и других параметров). 2 ил.

Изобретение относится к технологии получения слоя декоративно окрашенного монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы (ХОГФ), который может быть использован, например, для изготовления украшений. Способ получения слоя окрашенного монокристаллического алмаза включает стадию подготовки алмазной подложки, имеющей поверхность, которая, по существу, не содержит дефектов кристалличности, стадию подготовки исходного газа, стадию разложения исходного газа с получением атмосферы для синтеза, которая содержит от 0,5 до 500 част./млн. азота в расчете на молекулярный азот, и стадию гомоэпитаксиального роста алмаза на поверхности, по существу, свободной от дефектов кристаллической решетки. Изобретение позволяет получить слой алмаза значительной толщины (более 1 мм) с однородными характеристиками по всей толщине слоя, при этом необходимая окраска не ослабляется и не исчезает из-за наличия дефектов кристалличности. Для получения окраски нет необходимости в проведении последующей обработки после роста алмазного слоя. В дополнение, следствием свойств, формирующихся в процессе роста монокристаллического алмаза в условиях метода ХОГФ, является наличие полос поглощения при ˜350 нм и при ˜510 нм. Это важно для окончательно получаемой окраски, поскольку таких центров, определяющих окраску, нет в природных или других синтетических алмазах, что говорит об уникальности получаемой данным методом окраски. 5 н. и 35 з.п. ф-лы, 9 ил.

(56) (продолжение):

CLASS="b560m"diamond grown with added nitrogen: film characterization and gas-phase composition studies. "Diamond and Related Materials", v.7, N 7, 1998, p.p.1033-1038.

Изобретение относится к технологии получения алмаза для использования в электронике. Сущность изобретения: монокристаллический алмаз получают путем химического осаждения из газовой фазы на алмазную подложку с поверхностью, практически не имеющей дефектов кристаллической решетки, в потоке газа-носителя в атмосфере, содержащей азот в концентрации менее 300 част. на млрд. Полученный алмаз является химически высокочистым, практически не содержит дефектов кристаллической решетки и обладает величинами электронных характеристик, существенно большими, чем у самых высококачественных природных алмазов. 5 н. и 27 з.п. ф-лы, 1 табл., 8 ил.

Изобретение относится к технологии получения алмазных слоев. Сущность изобретения: химическим осаждением из газовой фазы получен слой монокристаллического алмаза (ХОГ-алмаз), имеющий толщину более 2 мм. Способ включает гомоэпитаксиальный рост слоя алмаза на поверхности подложки с низким уровнем дефектов в атмосфере, содержащей азот в концентрации менее 300 млрд ч. азота. Полученные слои алмаза большой толщины имеют высокое качество и из них могут быть изготовлены драгоценные камни. 4 н. и 32 з.п. ф-лы, 10 ил., 1 табл.

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии для получения були нитрида элемента III-V групп для создания микроэлектронных устройств на подложках, изготовленных из такой були. Сущность изобретения: булю нитрида элемента III-V группы можно получить путем выращивания материала нитрида элемента III-V группы на соответствующем кристалле-затравке из такого же материала нитрида элемента III-V группы путем эпитаксии из паровой фазы при скорости роста выше 20 микрометров в час. Буля имеет качество, пригодное для изготовления микроэлектроронных устройств, ее диаметр составляет более 1 сантиметра, длина более 1 миллиметра и плотность дефектов на верхней поверхности менее 10⁷ дефектов·см ^-2. 9 н. и 96 з.п. ф-лы, 9 ил.

Изобретение относится к ИК-оптике и касается разработки способа получения массивных (толщиной более 20 мм) образцов селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных CO₂-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн. Способ включает подачу паров селеноводорода и цинка потоком аргона к нагретым до 650-750°С подложкам и осаждением на них селенида цинка при общем давлении в системе 0,5-1,3 кПа, эквимолярных расходах цинка и селеноводорода 0,4-0,47 л/мин, аргона - 3-4 л/мин, при этом на протяжении всего времени осаждения селенида цинка температуру подложек повышают со скоростью 0,1-0,15 град/час. Селенид цинка, полученный предлагаемым способом, имеет размер зерна 30-80 мкм и характеризуется поглощением на длине волны СО₂-лазера не выше 5·10^-4 см^-1. 1 з.п. ф-лы.