Выращивание монокристаллов зонной плавкой, очистка зонной плавкой: ...в газообразном или парообразном состоянии – C30B 13/12
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой
C30B 13/12 ...в газообразном или парообразном состоянии
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ИНДУКЦИОННОЙ БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Изобретение относится к металлургии полупроводникового кремния и может быть использовано при получении легированных монокристаллов кремния методом индукционной бестигельной зонной плавки. Способ включает вакуумирование рабочей камеры, осушку ее атмосферы и оснастки. Затем проводят расплавление зоны исходного стержня кремния и вводят в нее легирующую добавку. Введение добавки ведут порциями с заданной частотой в середину зоны расплава из сопла, отстоящего от нее на расстоянии 1,1 1,5 R, где R радиус выращиваемого монокристалла. 2 с. и 1 з. п. ф-лы, 1 ил. | 2049164 патент выдан: опубликован: 27.11.1995 |
|