Выращивание монокристаллов зонной плавкой, очистка зонной плавкой: .с расплавленной зоной, не занимающей поперечное сечение полностью – C30B 13/06
Раздел C ХИМИЯ; МЕТАЛЛУРГИЯ
C30 Выращивание кристаллов
C30B Выращивание монокристаллов; направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой; получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для вышеуказанных целей
C30B 13/00 Выращивание монокристаллов зонной плавкой; очистка зонной плавкой
C30B 13/06 .с расплавленной зоной, не занимающей поперечное сечение полностью
Патенты в данной категории
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Изобретение относится к обработке материалов, может быть использовано во всех отраслях машиностроения и, позволяет расширить технологические возможности обработки. Обработку осуществляют нагревом слоя обрабатываемого материала вихревыми токами до расплавления, сбором и перераспределением его в ограниченном объеме, формированием обработанной поверхности и удалением излишка расплавленного материала. Обрабатывающее устройство имеет корпус, индуктор с электротермоизносостойкой изоляцией, накопитель (ограниченный объем), основной охладитель, дополнительные охладители и выпускные отверстия. При обработке на поверхность устанавливают устройство, индуктор включают в цепь источника тока и начинают перемещать. Обрабатываемый материал нагревают и расплавляют тепловым действием вихревых токов на определенную глубину, собирают в накопитель устройства, поддерживают жидкотекучесть расплава, часть расплава используют для формирования обработанной поверхности, излишек расплава удаляется, материал отформованной поверхности охлаждается до отвердевания охладителем. Накопитель устройства изготовляют из термоизносостойкого материала и располагают за индуктором в зоне эффективного действия вихревых токов, задняя стенка накопителя отстоит наружу от соприкасающейся с обрабатываемым материалом поверхности индуктора на толщину снимаемого слоя и имеет ширину, меньшую ширины слоя расплавленного под индуктором материала. Для улучшения формования обработанной поверхности устрайвают выпускные отверстия, увеличивающие объем накопителя и давление на формуемый расплавленный материал. Для предотвращения растекания расплава при обработке поверхностей с низкой шероховатостью по периметру устройства устраивают дополнительные охладители. Изобретение позволяет осуществить обработку крупногабаритных и протяженных объектов, труднообрабатываемых материалов и получение фасонных поверхностей без режущего инструмента. 2 с. и 4 з. п. ф-лы, 7 ил. | 2055721 патент выдан: опубликован: 10.03.1996 |
|