Химическое нанесение покрытия путем разложения жидких соединений или растворов покрывающего вещества с образованием элементов, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, контактная металлизация: ..характеризуемые осаждением неорганического материала иного, чем металл – C23C 18/12

Группа изобретений относится к композиции покрытия для металлических устройств, обеспечивающей защиту от коррозии, защитной пленке, полученной из указанной композиции покрытия, и применению такой композиции покрытия. Композиция покрытия содержит керамические частицы, содержащие, по меньшей мере, один ингибитор коррозии, по существу однородно распределенный в каждой частице. Указанный ингибитор коррозии является высвобождаемым в присутствии жидкости в результате солюбилизации в указанной жидкости. Композиция покрытия также характеризуется тем, что керамические частицы получены с использованием золь-гель способа для инкапсулирования ингибитора коррозии. Указанный золь-гель способ основан на гидролизе и конденсации соответствующих предшественников. Технический результат - контролируемое высвобождение ингибиторов коррозии с помощью использования керамических частиц для их инкапсулирования, включение указанных частиц в композиции покрытия для покрытия металлических поверхностей. 3 н. и 17 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил., 13 пр.

Изобретение относится к технологии полупроводниковой микро- и наноэлектроники, а именно к золь-гель технологии получения сегнетоэлектрических тонких стронций-висмут-тантал-оксидных пленок на интегральных микросхемах, применяемых в частности в устройствах энергонезависимой памяти типа FRAM. Техническим результатом изобретения является обеспечение однородности изготавливаемой сегнетоэлектрической пленки, упрощение контроля над процессом приготовления золя и увеличение срока хранения исходного золя, снижение энергоемкости процесса и снижение его стоимости. В золь-гель способе формирования сегнетоэлектрической стронций-висмут-тантал-оксидной пленки готовят исходные растворы хлорида стронция, хлорида висмута и хлорида тантала. Каждый полученный раствор подвергают ультразвуковой обработке в течение 20-40 минут, выдерживают в течение суток при комнатной температуре и фильтруют. Смешивают растворы в один и выдерживают его в течение суток при комнатной температуре. Образуется пленкообразующий раствор, который наносят на подложку, сушат подложку с нанесенным пленкообразующим раствором при температуре 50-450^°С и отжигают пленку в присутствии кислорода при температуре 700-800^°С в течение 1-2 часов. В результате получают сегнетоэлектрическую стронций-висмут-тантал оксидную пленку. 5 ил.

Изобретение относится к начальной стадии технологии осаждения алмазных пленок и может быть использовано для подготовки плоских подложек из различных материалов для дальнейшего осаждения на них однородных нанокристаллических алмазных пленок. Проводят подготовку суспензии наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости, наносят суспензию наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости на поверхность подложки, вращают подложку для равномерного распределения суспензии наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости и ускорения испарения жидкой части суспензии. Предварительно подложку очищают, при подготовке суспензии используют порошок алмазных наночастиц с размерами в диапазоне от 5 до 100 нм. Перед нанесением суспензии наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости на подложку на ее поверхность наносят тонкий слой спиртосодержащей жидкости, которая должна покрывать поверхность полностью. Нанесение суспензии наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости проводят непосредственно на тонкий слой спиртосодержащей жидкости, покрывающей подложку, так, чтобы суспензия покрывала всю поверхность подложки. Количество наносимой на подложку суспензии выбирают исходя из равенства массы наноалмазного порошка в суспензии и массы равномерного слоя наноалмазного порошка на подложке толщиной от одного до трех средних размеров алмазных наночастиц в суспензии и концентрации по массе наноалмазного порошка в спиртосодержащей жидкости - в диапазоне от 0,01% до 8%. Обеспечивается высокая плотность и однородность центров роста алмаза на поверхности неалмазных подложек с диаметром до 100 мм и более. 5 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении дисплеев, светоизлучающих диодов и защитных покрытий. Способ получения трис(N,N-диалкилкарбамата)органоолова включает взаимодействие галогенида олова со вторичным амином и углекислым газом, отделение фильтрованием осадка галогенида диалкиламмония, упаривание фильтрата, при этом в начале смесь вторичного амина и ароматического растворителя насыщают углекислым газом до окончания реакции, а затем прибавляют раствор тригалогенида органоолова, взятого в качестве исходного соединения, и осуществляют дополнительное насыщение углекислым газом в течение часа. Способ получения модифицированных тонких пленок оксида олова (IV) из раствора трис(N,N-диалкилкарбамата)органоолова, полученного способом, приведенным выше, включает нанесение раствора на подложку, сушку на воздухе при комнатной температуре с последующей термообработкой при температуре 200-300°C. Технический результат: упрощение способа получения исходных компонентов и тонких пленок оксида олова на их основе. 3 н. и 4 з.п. ф-лы, 6 пр.

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении дисплеев, светоизлучающих диодов, затворов полупроводниковых структур типа металл-диэлектрик-полупроводник и защитных покрытий. Способ включает приготовление раствора исходного компонента, нанесение раствора на подложку, сушку на воздухе при комнатной температуре с последующей термообработкой, при этом в качестве исходного компонента используют тетра(N,N-диалкилкарбамат)олова, термообработку осуществляют при температуре 250-300°С, а в качестве растворителя используют эфирный или спиртовой растворитель с концентрацией тетра(N,N-диалкилкарбамата)олова 0,1-15,0%. Технический результат: упрощение способа получения пленок диоксида олова. 2 з.п. ф-лы, 12 пр.

Изобретение может быть использовано в неорганической химии. Для получения частиц легированных оксидов металлов окисляющееся и/или гидролизующееся соединение металла, являющееся легирующей добавкой, совместно с атомизирующим газом атомизируют в поток частиц оксидов металлов в газе-носителе в первой зоне реакции. При этом массовый поток частиц оксидов металлов и массовый поток легирующей добавки выбраны так, чтобы указанные частицы содержали от 10 част./млн до 10 мас.% легирующего компонента. Количество вводимой легирующей добавки рассчитывают в пересчете на соответствующий оксид. Температура в первой зоне реакции ниже температуры кипения легирующей добавки, ниже температуры реакции превращения легирующей добавки в соответствующий оксид и составляет от 200 до 700°С. Далее во вторую зону реакции вводят поток из первой зоны реакции и необязательно такое количество кислорода и/или пара, чтобы оно было по меньшей мере достаточным для полного превращения легирующей добавки. Температура во второй зоне реакции ниже температуры кипения легирующей добавки и равна от 300 до 2000°С, предпочтительно - от 500 до 1000°С. Реакционную смесь охлаждают или ей дают охладиться. Затем частицы легированных оксидов металлов отделяют от газообразных веществ. Изобретение позволяет получить оксиды металлов, легированные только на поверхности. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 1 ил., 5 табл.