Химическое нанесение покрытия путем разложения газообразных соединений, причем продукты реакции материала поверхности не остаются в покрытии, т.е. способы химического осаждения паров (ХОП): ..осаждение только кремния – C23C 16/24

Изобретение относится к области производства конструкционных материалов, работающих в условиях высокого теплового нагружения и окислительной среды, в установке для силицирования паро-жидкофазным методом. Между частями реторты установки для силицирования в местах расположения стыков со стороны ее наружной поверхности формируют плавкий затвор. Плавкий затвор формируют в торцевом углублении, а в качестве материала плавкого затвора используют: Si₃N₄-Si или Ti₃SiC₅ -Ti Si₂-Si, или TiSi₂-Si. Указанные материалы получают путем пропитки установленных или сформированных на дне кольцевого углубления с перекрытием стыка пористых заготовок на основе Si₃N₄ или смеси TiC и Ti, или Ti расплавом кремния или его сплавами с Cu и Al. Достигается повышение стабильно высоких результатов по степени и равномерности силицирования при сохранении высокого ресурса работы реторт и устройства для силицирования в целом. 5 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к производству стержней поликристаллического кремния. Способ осуществляют в реакторе, содержащем донную плиту, образующую нижнюю часть реактора и колоколообразный вакуумный колпак, прикрепленный с возможностью снятия к донной плите, в котором на донной плите расположено множество газоподводящих отверстий для подачи сырьевого газа снизу вверх в реактор, и газовыводящих отверстий для выпуска отработанного газа после реакции, и в котором множество газоподводящих отверстий расположено концентрически по всей площади, охватывающей верхнюю поверхность донной плиты, в которой устанавливают множество кремниевых затравочных стержней, причем кремниевые затравочные стержни нагревают, и поликристаллический кремний осаждают из сырьевого газа на поверхностях кремниевых затравочных стержней, при этом прекращают подачу сырьевого газа из газоподводящих отверстий вблизи центра реактора в течение заданного времени, в то время как подают сырьевой газ из других газоподводящих отверстий на ранней стадии реакции, и обеспечивают путь для нисходящего газового потока после столкновения с потолком вакуумного колпака. Изобретение позволяет эффективно производить высококачественный поликристаллический кремний. 7 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к технологии получения стержней из поликристаллического кремния. Способ включает нагрев множества кремниевых стержней-затравок, помещенных в реакционную печь, с последующим осаждением на поверхностях кремниевых стержней-затравок поликристаллического кремния с помощью сырьевого газа, испускаемого из газовыпускных отверстий, расположенных во внутренней нижней части реакционной печи. Способ включает этап стабилизации осадка, на котором скорость испускания сырьевого газа из газовыпускных отверстий плавно повышают на первой стадии осаждения поликристаллического кремния, при этом 5-15% газовыпускных отверстий закрыто; этап придания формы, на котором первую скорость испускания повышают при скорости повышения более высокой, чем скорость повышения на этапе стабилизации, а затем скорость испускания плавно повышают при скорости, более низкой, чем скорость повышения; при этом длительность, требуемая для этапа придания формы, соответствует 20-35% от общей продолжительности осаждения поликристаллического кремния и 30-55% газовыпускных отверстий закрыто; и этап роста, на котором после этапа придания формы скорость испускания сырьевого газа снижают за счет уменьшения количества закрытых газовыпускных отверстий по сравнению с этапом придания формы. Изобретение позволяет получать большее количество высококачественного поликристаллического кремния, имеющего гладкую морфологию поверхности путем эффективного предохранения поверхности кремниевых стержней от деформации. 3 з.п. ф-лы, 1 табл., 7 ил., 8 пр.

Изобретение относится к технологии производства поликристаллического кремния. Реактор содержит установленный внутри него кремниевый затравочный стержень, нагреваемый посредством подачи электричества, патрубки 6 для подачи газообразного исходного материала, установленные в нижней части 2 реактора, сопла 10 для подачи газообразного исходного материала, которые проходят снизу вверх от патрубков 6, обеспечивая соединение с возможностью сообщения, при этом сопла 10 имеют сужающуюся цилиндрическую форму и включают сквозное отверстие 12, наружную периферическую боковую поверхность 11, внутреннюю периферическую боковую поверхность 12а, поверхность 13 меньшего диаметра на верхнем конце сопла 10, поверхность 15 большего диаметра, которая является торцевой поверхностью на противоположной стороне от поверхности 13 меньшего диаметра, отверстие 14, сформированное в поверхности 13 меньшего диаметра, и цилиндрическое отверстие 16, сформированное в поверхности 15 большего диаметра, при этом наружная периферическая боковая поверхность 11 и внутренняя периферическая боковая поверхность 12а сквозного отверстия 12, выполненного внутри сопел 10, уменьшаются в диаметре по направлению вверх, цилиндрическое отверстие 16 имеет центральную ось, которая совпадает с центральной осью сквозного отверстия 12, цилиндрическое отверстие 16 посажено на патрубок 6 для подачи газообразного исходного материала, посредством чего сопло 10 крепится к патрубку 6, и верхний край 13 сопла 10 устанавливается на высоте в пределах от -10 см до +5 см по отношению к верхнему краю электрода, который удерживает кремниевый затравочный стержень. За счет стабильности подачи газообразного исходного материала на поверхность кремниевого затравочного стержня предотвращается появление нежелательной морфологии в виде попкорна, что способствует улучшению качества и повышению выхода поликристаллического кремния. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл.

Изобретение относится к производству поликремния, а именно к реактору для химического осаждения поликремния из паровой фазы. Технический результат - повышение производительности производства поликремния. Реактор включает опорную систему, снабженную опорами для накальных элементов, и оболочку, прикрепляемую к упомянутой опорной системе с формированием осадительной камеры. Устройство также содержит по меньшей мере один кремниевый накальный элемент, расположенный в камере на опорах, и источник электрического тока, подключаемый к обоим концам накального элемента через электрические вводы, выполненные в опорной системе, для нагревания накального элемента. В опорной системе выполнено устройство для впуска газа, соединяемое с источником кремнийсодержащего газа, и устройство для выпуска газа. При этом накальный элемент выполнен U-образным и имеет по меньшей мере одну трубчатую секцию с наружным диаметром по меньшей мере 20 мм и отношением толщины стенки к наружному диаметру не более чем 1/4. 4 н. и 3 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к способу и установке для получения поликристаллического кремния и может найти применение при изготовлении солнечных элементов. Установка плазменного осаждения для получения поликристаллического кремния включает камерное средство для осаждения, средство для поддерживания подложки-мишени (104), имеющей поверхность осаждения (106) и множество горелочных средств (102) с индуктивно-связанной плазмой для получения множества плазменных факелов для реагирования по меньшей мере одного реагента с получением реакционного продукта и осаждения упомянутого реакционного продукта на упомянутой подложке-мишени (104). Множество горелочных средств (102) расположено на фиксированном расстоянии от упомянутой подложки-мишени. Средство для поддерживания перемещает упомянутую подложку-мишень (104) в направлении от упомянутого множества горелочных средств с индуктивно-связанной плазмой для обеспечения упомянутого фиксированного расстояния между упомянутой подложкой-мишенью и упомянутым множеством горелочных средств с индуктивно-связанной плазмой. 4 н. и 35 з.п. ф-лы, 5 ил.

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск моносилана для осаждения слоев поликристаллического кремния, прекращение подачи моносилана, откачку реактора до предельного вакуума, напуск в реактор инертного газа до атмосферного давления, выгрузку полупроводниковых пластин из реактора. После напуска в реактор инертного газа проводят дополнительный термоотжиг слоев поликристаллического кремния при температуре, не меньшей 1323 К, затем выдерживают пластины при этой температуре в течение 40-60 мин в потоке инертного газа и снижают температуру до температуры роста слоев поликристаллического кремния. Техническим результатом изобретения является уменьшение неоднородности сопротивления слоев поликристаллического кремния. 1 ил., 2 табл.

Изобретение относится к способу и устройству для осаждения по меньшей мере частично кристаллического кремниевого слоя на подложку и может быть использовано в различных отраслях машиностроения. Генерируют плазму и подложку подвергают воздействию кремнийсодержащей текучей среды-источника и вспомогательной текучей среды, обладающей способностью вытравливать некристаллически связанные атомы кремния. На пути движения обеих текучих сред к подложке создают падение давления. Устройство имеет плазменную камеру, реакционную камеру и средства подачи текучей среды-источника. Реакционная камера содержит держатель подложки и находится в открытом сообщении с плазменной камерой через проходное отверстие. Плазменная камера снабжена средствами подачи вспомогательной текучей среды и обеспечена насосными средствами для создания падения давления между плазменной камерой и держателем подложки. В результате даже при низкой температуре образуется высококачественный кристаллический кремниевый слой со значительно высокой скоростью роста. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 2 ил.